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[導(dǎo)讀]日前,GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù),其全球銷售和市場營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問,對有關(guān)問題進(jìn)行了解讀。 XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫,作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)


日前,GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù),其全球銷售和市場營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問,對有關(guān)問題進(jìn)行了解讀。
XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫,作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)構(gòu),它真正為移動系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計做了優(yōu)化,能提供從晶體管到系統(tǒng)級的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節(jié)點的二維平面晶體管相比,該技術(shù)可望實現(xiàn)電池功耗效率提升 40%~60%。
Noonen表示:“2013年就會有客戶試產(chǎn)14nm-XM技術(shù),2014年則會量產(chǎn)。”
Noonen非常滿意GLOBALFOUNDRIES在14nm上的進(jìn)展,其表示:“能夠跟上Intel的平臺速度,主要取決于我們在該領(lǐng)域研發(fā)了十年以上,同時也可以利用HKMG相關(guān)生產(chǎn)經(jīng)驗,此外14nm制程可以與20nm LPM制程元素結(jié)合。”
Noonen強調(diào),75%以上的FinFET相關(guān)專利是屬于GLOBALFOUNDRIES及合作伙伴。
“XM不只是FinFET,而是一個完整的解決方案。包括IP、CCS等。”和Intel不同,XM技術(shù)首要應(yīng)用將是移動芯片領(lǐng)域,因此這也是第一個專為移動器件優(yōu)化的FinFET技術(shù)。
Noonen認(rèn)為,GLOBALFOUNDRIES開創(chuàng)了全新的代工廠合作模式:在Noonen看來,以前的傳統(tǒng)模式屬于過去的IDM模式都是基于自主研發(fā),風(fēng)險非常之大,現(xiàn)在的代工模式雖然解決了分工問題,但合作方式仍存在部分溝壑,因此雙方仍無法共同解決部分問題。而GLOBALFOUNDRIES開創(chuàng)的合作器件生產(chǎn)模式(Collaborative Device Manufacturing)則很完美的解決了代工廠的種種弊端,Noonen認(rèn)為這種類似IBM模式的合作方式,“是全世界最好的IDM和最復(fù)雜代工模式的結(jié)合??梢酝卣箍蛻舻膽?zhàn)略需要。”
“更重要的是要透過協(xié)同合作才能夠讓兩者之間共享成功的結(jié)果。”Noonen表示。
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