IBM重大技術(shù)突破能耗低于NAND閃存技術(shù)

時(shí)間：2012-08-16 09:41:34

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[導(dǎo)讀]根據(jù)Computerworld網(wǎng)站報(bào)道，IBM研究人員在自旋電子學(xué)領(lǐng)域（“自旋遷移電子學(xué)”的簡(jiǎn)稱）取得了重大技術(shù)突破，能夠利用電子在磁場(chǎng)內(nèi)的自旋并結(jié)合讀寫頭，在半導(dǎo)體材料上記錄和讀取數(shù)位數(shù)據(jù)，可以將電子自旋周期延長(zhǎng)30

根據(jù)Computerworld網(wǎng)站報(bào)道，IBM研究人員在自旋電子學(xué)領(lǐng)域（“自旋遷移電子學(xué)”的簡(jiǎn)稱）取得了重大技術(shù)突破，能夠利用電子在磁場(chǎng)內(nèi)的自旋并結(jié)合讀寫頭，在半導(dǎo)體材料上記錄和讀取數(shù)位數(shù)據(jù)，可以將電子自旋周期延長(zhǎng)30倍，從而有望突破內(nèi)存行業(yè)面臨的“極限困境”，在未來(lái)引發(fā)新一輪“存儲(chǔ)革命”。
對(duì)于自旋電子學(xué)來(lái)說(shuō)，一直面臨一個(gè)固有的問(wèn)題，因?yàn)殡娮印跋蛏匣蛳蛳隆钡姆较驙顟B(tài)只能保持100皮秒（1納秒的千分之一）。100皮秒不足以進(jìn)行一次運(yùn)算，所以晶體管不能完成運(yùn)算功能，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)也不持久。
IBM的研究人員采用砷化鎵作為其主要半導(dǎo)體材料進(jìn)行研究，當(dāng)半導(dǎo)體材料的尺寸縮小到電子流不再受控時(shí)，通過(guò)電子的電荷變化來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的編碼與處理的技術(shù)就受到了限制。針對(duì)NAND閃存產(chǎn)品所使用的電路寬度已經(jīng)小于20納米，然而通過(guò)控制電子的自旋而非電荷，自旋電子學(xué)能夠克服內(nèi)存行業(yè)所面臨的這一困境。
據(jù)悉，早在自旋電子學(xué)領(lǐng)域，法國(guó)斯特拉斯堡材料物理與化學(xué)研究中心的物理學(xué)家們?cè)谧孕?strong>電子學(xué)的基礎(chǔ)上建立了新型激光技術(shù)，可以利用激光來(lái)加速硬盤的存儲(chǔ)輸入/輸出，使其比現(xiàn)有讀寫速度提高10萬(wàn)倍。
IBM的研究人員表示，他們?nèi)〉玫耐黄茷榫w管和非易失性存儲(chǔ)開(kāi)辟了道路，這種新型存儲(chǔ)技術(shù)的能耗將會(huì)遠(yuǎn)低于今天的NAND閃存技術(shù)。