新能源市場(chǎng)已成為功率MOSFET強(qiáng)勁增長(zhǎng)助力
新能源市場(chǎng)全面啟動(dòng)
“由于全球共同的能源短缺問(wèn)題，使得節(jié)能、減碳的要求成為必然的趨勢(shì)，能源替代方案是未來(lái)的發(fā)展重點(diǎn)，與電源管理有關(guān)的省電方案將被積極推動(dòng)，以提升電能效率?！迸_(tái)灣友順科技（UNISONIC）股份有限公司運(yùn)籌中心特別助理林添進(jìn)表示道。
以LED照明應(yīng)用為例，迄今為止，日本、中國(guó)大陸和臺(tái)灣地區(qū)都相繼推出了一系列白熾燈替代計(jì)劃，以全力推動(dòng)LED照明應(yīng)用的普及；在電動(dòng)汽車開發(fā)上，中國(guó)大陸《純電動(dòng)乘用車技術(shù)條件》于2012年7月1日起正式實(shí)施，該標(biāo)準(zhǔn)適用于電池驅(qū)動(dòng)、5座以下的純電動(dòng)汽車，30分鐘最高車速不低于80公里/小時(shí)、續(xù)駛里程大于80公里的基本要求，同時(shí)也規(guī)定了快速充電器規(guī)格及兼容性整合等技術(shù)指標(biāo)，并搭配補(bǔ)貼節(jié)能汽車政策配套，有利地推動(dòng)了電動(dòng)汽車市場(chǎng)應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。而在太陽(yáng)能開發(fā)上，預(yù)計(jì)到2020年，中國(guó)光伏逆變器的市場(chǎng)增幅更為迅速，其年平均增長(zhǎng)率約為50%，市場(chǎng)需求量最高可達(dá)605億元。
在這些因素的推動(dòng)下，友順科技已能提供一系列具有高可靠性、高效率、高EAS能力、導(dǎo)通電阻低、動(dòng)態(tài)參數(shù)優(yōu)等特點(diǎn)的功率MOSFET，應(yīng)用于LED 照明、AC-DC功率電源、DC- DC轉(zhuǎn)換器以及PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。例如800V/900V/1000V等產(chǎn)品，友順的220A/30V N-Channel MOSFET及80A/60V的產(chǎn)品可用在電動(dòng)車電控及電池供電系統(tǒng)；而在LED照明方面，UF601是一顆N Channel 600V的空乏型(Depletion)產(chǎn)品，能取代許多現(xiàn)有方案中的600V N-CH。
具體在太陽(yáng)能逆變器的實(shí)際開發(fā)中，以往高壓高速電機(jī)和逆變器的應(yīng)用，一般會(huì)在一個(gè)封裝中采用帶分立式快恢復(fù)二極管(FRD)的IGBT，以實(shí)現(xiàn)短的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)。然而，由于目前對(duì)于更加高速開關(guān)的需求，以及在穩(wěn)態(tài)運(yùn)行和高性能狀態(tài)下的更低功耗需求，產(chǎn)生了對(duì)于帶快速恢復(fù)體二極管特性的超級(jí)結(jié)MOSFET的需求。瑞薩電子(Renesas)針對(duì)這一領(lǐng)域，開發(fā)出了超結(jié)(Super Junction)工藝的高壓MOSFET，在太陽(yáng)能應(yīng)用中該產(chǎn)品(如：600v/55A)可以替換IGBT的應(yīng)用。胡興江介紹道：“超結(jié)工藝MOSFET的結(jié)構(gòu)布局與傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)不同，它可以在不降低器件耐壓能力的條件下，實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻，這就意味著可以降低每個(gè)單位面積的導(dǎo)通電阻。瑞薩利用其在功率器件技術(shù)方面積累的豐富經(jīng)驗(yàn)，新開發(fā)了一系列采用高速體二極管的高性能超級(jí)結(jié)MOSFET，這一行業(yè)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和低柵極電壓的組合平臺(tái)，同時(shí)結(jié)合了快速體二極管的性能，實(shí)現(xiàn)了低功耗，并提升了高速開關(guān)性能。”
Microsemi功率器件產(chǎn)品市場(chǎng)開發(fā)總監(jiān)Keith Westrum
Microsemi半導(dǎo)體公司目前以上百伏、千瓦功率的市場(chǎng)為主，主要滿足工業(yè)市場(chǎng)所需要的上百伏電壓、千瓦功率的應(yīng)用領(lǐng)域，開關(guān)頻率從大于10KHZ到 250MHz，涉及包括焊機(jī)、感應(yīng)熱處理、等離子體半導(dǎo)體設(shè)備、激光焊接/切割、開關(guān)模式電源(SMPS)，以及太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(EV)充電器等目前及未來(lái)的重要市場(chǎng)。該公司功率器件產(chǎn)品市場(chǎng)開發(fā)總監(jiān)Keith Westrum表示道：“最近幾年我們一直積極投入在太陽(yáng)能逆變器的應(yīng)用市場(chǎng)，事實(shí)上，這也是我們最主要的市場(chǎng)之一，Microsemi已經(jīng)成為全球四大太陽(yáng)能逆變器高電壓 IGBT、MOSFET及模塊化產(chǎn)品的供應(yīng)商之一。除此之外，我們還積極開發(fā)電動(dòng)汽車 (EV) 充電市場(chǎng)，在該領(lǐng)域中，效率和可靠性是關(guān)鍵因素，我們的設(shè)計(jì)獲得了多項(xiàng)大獎(jiǎng)?！?BR>
創(chuàng)新技術(shù)降低導(dǎo)通電阻
瑞薩一直致力于溝道工藝低壓MOSFET產(chǎn)品的開發(fā)，其全新的Beam2系列產(chǎn)品的問(wèn)世極大地降低了產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻以及柵電荷，提高了開關(guān)電源系統(tǒng)的整體效率。瑞薩電子大中國(guó)區(qū)模擬及功率器件產(chǎn)品中心統(tǒng)括經(jīng)理胡興江表示：“Beam2系列在上一代Beam系列的基礎(chǔ)上，保持了低的導(dǎo)通阻抗，同時(shí)又進(jìn)一步降低了MOSFET的柵極電荷量，提高了開關(guān)速度并減少了開關(guān)損耗，如RJK03M0DPA的Qg(34.3nC)僅僅為RJK03C0DPA的Qg(66nC)一半左右，并同樣繼承了低的導(dǎo)通阻抗(小于2毫歐)，在產(chǎn)品的成本上也更具有競(jìng)爭(zhēng)力。”目前此系列產(chǎn)品提供WPAK的5mmx6mm和3mmx3mm兩種封裝，高度僅有0.8～0.9mm，特別適合一些超薄的便攜式產(chǎn)品的同步式電源設(shè)計(jì)。據(jù)介紹，該Beam2系列低壓MOSFET為公司推出的第十三代產(chǎn)品，新的第十四代產(chǎn)品也正在按計(jì)劃研制當(dāng)中。
此外，以電動(dòng)車應(yīng)用為例，汽車用的功率MOSFET主要用于承擔(dān)發(fā)電機(jī)、閥門、燈、加熱部件、DC/DC電源和一些由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)配件的負(fù)載，這就與MOSFET的電壓、電流、導(dǎo)通電阻等參數(shù)習(xí)習(xí)相關(guān)。MOSFET的導(dǎo)通電阻要設(shè)法做到最低，才能降低導(dǎo)通損耗，但導(dǎo)通電阻卻和擊穿電壓又成反比，因此在設(shè)計(jì)與工藝上，就要考慮如何在實(shí)際應(yīng)用中將這兩個(gè)參數(shù)都做到最好。
林添進(jìn)表示：“或許這是老生常談，但事實(shí)上，新的技術(shù)工藝可以不斷地被發(fā)展來(lái)將MOSFET的特性發(fā)揮到淋漓盡致，但無(wú)論如何，其目的最終還是回歸到配合巿場(chǎng)應(yīng)用的需求。以電動(dòng)汽車來(lái)說(shuō)，汽車電控裝置必須能承受強(qiáng)電與弱電、高壓和低壓等共存的情況，而又要面臨高低溫差大、潮濕、振動(dòng)、沖擊、電磁干擾等惡劣環(huán)境，對(duì)器件的超載能力及散熱設(shè)計(jì)都有較高的要求。此時(shí)不僅在芯片設(shè)計(jì)工藝上要?jiǎng)?chuàng)新，而且在封裝的要求上也要改善，所以，許多供貨商都會(huì)推出散熱好又小型化的封裝，友順在這些方面也有所投入，并且在部份封裝的材料及結(jié)構(gòu)方面已經(jīng)獲得了多項(xiàng)專利?！?/P>
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瑞薩電子(Renesas)大中國(guó)區(qū)模擬及功率器件產(chǎn)品中心統(tǒng)括經(jīng)理胡興江
目前MOSFET使用的材料多為硅，但在高壓達(dá)到1,000伏后，各項(xiàng)特性的表現(xiàn)已面臨發(fā)展的極限瓶頸，而使用其它材料進(jìn)行研發(fā)也是一些國(guó)際大廠主要的產(chǎn)品開發(fā)方向之一?！霸贛OSFET這一技術(shù)驅(qū)動(dòng)型市場(chǎng)中，更高效、更省電、更高頻，更高電壓，以及每美元更大的電流、更多的選擇等等，這些是所有元器件客戶以及終端客戶所追求的理想目標(biāo)?！盬estrum表示道：“另外，Microsem也正在開發(fā)采用碳化硅(SiC)為原材料的產(chǎn)品，為未來(lái)更為苛刻的產(chǎn)品應(yīng)用做準(zhǔn)備。”
胡興江也補(bǔ)充道：“未來(lái)MOSFET的發(fā)展將主要體現(xiàn)在以下兩個(gè)方面：一是產(chǎn)品性能上的進(jìn)一步突破，如新材料的應(yīng)用；另一方面，則是產(chǎn)品集成度上的發(fā)展，MOSFET將進(jìn)一步和系統(tǒng)集成，以功能模塊的形式出現(xiàn)在未來(lái)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中。同時(shí)，節(jié)能領(lǐng)域的產(chǎn)品應(yīng)用對(duì)MOSFET的需求量將保持比較大的增長(zhǎng)率?！?/P>
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