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[導讀]美商亞德諾公司與TSMC日前共同宣布雙方合作開發(fā)完成可支持精密模擬集成電路的0.18微米模擬工藝技術(shù)平臺。此嶄新的工藝技術(shù)平臺能夠大幅改善模擬效能,支持諸多組件的應(yīng)用,包括交流電轉(zhuǎn)直流電(A/D)與直流電轉(zhuǎn)交流電(

美商亞德諾公司與TSMC日前共同宣布雙方合作開發(fā)完成可支持精密模擬集成電路的0.18微米模擬工藝技術(shù)平臺。
此嶄新的工藝技術(shù)平臺能夠大幅改善模擬效能,支持諸多組件的應(yīng)用,包括交流電轉(zhuǎn)直流電(A/D)與直流電轉(zhuǎn)交流電(D/A)轉(zhuǎn)換器、電源管理組件、以及音頻編/譯碼器,這些組件皆被廣泛應(yīng)用于消費性電子、通訊產(chǎn)品、計算機、工業(yè)電子、以及汽車產(chǎn)品。0.18微米5伏電壓工藝所達到的性能提升效果包括雜音改善幅度提升一個數(shù)量級(An Order of Magnitude)、靜態(tài)漏電流(Standby Leakage Current)減少幅度達70%、線性度(Linearity)改善50%、以及電容電阻匹配(Capacitor and Resistor Matching)改善幅度達50%。
美商亞德諾公司藉此新開發(fā)平臺于最近發(fā)表的產(chǎn)品包括隔離式控制器局域網(wǎng)絡(luò)(Control-Area Network,CAN)收發(fā)器、高速可尋址遠程換能器(Highway Addressable Remote Transducer, HART)調(diào)制解調(diào)器IC、心電圖(ECG)模擬前端(AFE)芯片、數(shù)字電位器(Digital Potentiometer)、以及音頻編碼器。
TSMC的0.18微米BCD(Bipolar–CMOS -DMOS,雙極–互補金屬氧化半導體–雙重擴散金屬氧化半導體)工藝平臺能夠支持廣大的操作電壓范圍,并且提供具有成本效益的操作優(yōu)勢,擁有極小的覆蓋面積(Footprint)與極高的能源效率,此平臺適合許多計算機、工業(yè)電子及消費性電子產(chǎn)品的應(yīng)用。
美商亞德諾公司模擬技術(shù)副總裁David Robertson表示:「亞德諾公司與TSMC之間緊密且長久的技術(shù)合作關(guān)系讓雙方得以順利開發(fā)此領(lǐng)先業(yè)界的模擬技術(shù)平臺,優(yōu)化工藝與電路及架構(gòu)創(chuàng)新的結(jié)合是我們能夠擁有高效能轉(zhuǎn)換器及線性式產(chǎn)品的關(guān)鍵,TSMC的工藝為亞德諾公司的工藝技術(shù)組合提供了更高的附加價值。」
TSMC美國子公司總經(jīng)理Rick Cassidy表示:「亞德諾公司自從0.6微米與0.35微米模擬工藝就與TSMC合作,雙方在此重要且嶄新平臺的合作上展現(xiàn)了兩家公司對于特殊技術(shù)開發(fā)及提升更廣大產(chǎn)品應(yīng)用的承諾?!?
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