富士通新型抗輻射RFID技術

5月1日至5月3日的Interphex2012展會上,富士通與其它一些合作公司著重展示了其使用鐵電存儲器技術（FRAM）的創(chuàng)新RFID解決方案。
“富士通的高性能FRAM技術可用于醫(yī)療設備和用品的標記，其數據甚至在伽馬射線滅菌過程中也能保持完好。”富士通美國高級營銷經理Tong SwanPang說，“在Interphex2012，與我們合作的一些公司已經在它們的產品中集成了我們的FRAM技術，可提供用于醫(yī)療、生物加工和制藥領域的抗輻射、高性能RFID解決方案。”
FRAM是高性能、低功耗的非易失性存儲器。它最吸引用戶眼球的性能特點是幾乎無限的寫入次數(1百萬億次)，遠遠超過了EEPROM的1百萬次，因此與SRAM、非易失性SRAM模塊、MRAM和NVSRAM一起成為需要頻繁寫入操作的嵌入式應用的存儲器選擇之一。FRAM現已廣泛地在計量、電力能源的監(jiān)測、嵌入式系統(tǒng)、安全系統(tǒng)報警監(jiān)控、工業(yè)控制以及汽車電子等領域得到了應用，全球交貨量已超過1.75億個，且應用空間和規(guī)模還在不斷擴大中。而對于醫(yī)療和制藥領域，最重要的是FRAM技術可以抵抗輻射。FRAM數據可保證免受高達50kGy（殺滅食品中活菌數的90%即減少一個對數周期所需要吸收的射線劑量稱為“D”值，其單位為“Gy”，常用kGy表示）的伽馬射線消毒損害，而這個數字是通常醫(yī)用的兩倍。
結合了FRAM技術，保證重要醫(yī)學與制藥產品的安全性變得更容易。傳統(tǒng)的RFID標簽使用EEPROM技術，容易被輻射破壞，而FRAM正好打破了傳統(tǒng)RFID標簽的一系列限制。