DRAMeXchange: DRAM與NAND Flash產(chǎn)業(yè)六大趨勢預測
[導讀]北京時間3月7日消息，根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下的分析部門DRAMeXchange的研究，針對對DRAM與NAND Flash產(chǎn)業(yè)的長久觀察下，提出了對2012-2015年間產(chǎn)業(yè)發(fā)展的六大趨勢預測：趨勢一、PC-DRAM現(xiàn)階段主流規(guī)格DDR3將主
北京時間3月7日消息，根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下的分析部門DRAMeXchange的研究，針對對DRAM與NAND Flash產(chǎn)業(yè)的長久觀察下，提出了對2012-2015年間產(chǎn)業(yè)發(fā)展的六大趨勢預測：
趨勢一、PC-DRAM現(xiàn)階段主流規(guī)格DDR3將主宰市場至2014年
2011年開始PC-DRAM的主流規(guī)格已升級為DDR3，DRAMeXchange預期其主流地位至少將維持到2014年。JEDEC組織雖然在2012年將正式公布DDR4的標準規(guī)格，但DRAMeXchange對DDR4是否能遵循DDR與DDR2的歷史軌跡，在2014-2015年期間取代DDR3成為市場主流抱持保守的看法。背后理由在于DDR4帶給PC效能提升的邊際效益幅度是相對有限的，但要注意的是Intel仍將握有最后的關(guān)鍵決定權(quán)。
趨勢二、TSV與2.5D/3D IC技術(shù)的成熟度將成為影響未來Mobile DRAM主流的關(guān)鍵
2011年開始Mobile DRAM的主流顆粒為LPDDR 2Gb，預計2012年開始LPDDR2 2Gb顆粒的出貨量將快速成長，以取代LPDDR的主流地位。行動手持裝置對于帶寬(BW)的需求隨著影音往3D發(fā)展，使得LPDDR2只能滿足2012年之前的需求。2013年以后的趨勢，已確定由LPDDR3勝出。然而，為了滿足2014-2015年期間的BW需求，DRAMeXchange認為LPDDR系列與Wide I/O仍將持續(xù)之前的競爭。DRAMeXchange預期TSV與2.5D/3D IC技術(shù)未來的成熟度，將扮演影響Wide I/O崛起與否的重要關(guān)鍵。
趨勢三、Ultrabook未來可望成為PC-DRAM與Mobile DRAM交鋒的戰(zhàn)場
未來隨著Intel新一代平臺Ivy Bridge與Haswell的上市，可搭載的DRAM規(guī)格將新增DDR3L與LPDDR3。這表示Ultrabook未來將成為PC-DRAM與Mobile DRAM首次交鋒的戰(zhàn)場。后者的優(yōu)勢在于，同樣支持Ultrabook所要求的AOAC(Always-on-Always-Connected)與快速回復等功能上，將較PC-DRAM來得省電，并達成Ultrabook所規(guī)定的待機時間要求。DRAMeXchange認為未來Mobile DRAM若真能打入Ultrabook供應煉時，總市場規(guī)模甚至可能在2015年時超越PC-DRAM，進而轉(zhuǎn)變成DRAM應用的最大市場。
趨勢四、預期SSD單位成本在2012年下半年可望跌破一美元水平，成長潛力將涌現(xiàn)
當采用最新制程等級的SSD在2012年下半年正式進入量產(chǎn)后，單位成本將可望下降至一美元以下的水平，達到市場期待已久的甜蜜點。屆時DRAMeXchange預期Ultrabook將從傾向采用Hybrid HDD的解決方案，轉(zhuǎn)變成Pure SSD的解決方案，主流容量將大幅提升至128GB水平。估計Ultrabook的市場占有率將自2012年第三季快速拉升，使得固態(tài)硬盤的NAND Flash消耗量也將從2011年的5.1%大幅成長至今年的15%，成為眾多NAND Flash應用產(chǎn)品中，成長爆發(fā)力道最強的類別之一。
趨勢五、PC-SSD接口將以SATA 3.0為主，未來可望升級至更高速的PCIe-Like接口
2011年P(guān)C-SSD（PC用固態(tài)硬盤）所采用的標準傳輸接口仍以SATA 2.0為主，2012年開始隨著Ivy Bridge處理器上市后，SATA 3.0將逐漸成為主流接口，并將BW推升至600MB/s水平。然而，日后隨著ONFI 3.0與Toggle DDR 2.0接口的NAND Flash開始進入量產(chǎn)，將使得提升SSD產(chǎn)品傳輸速度瓶頸，轉(zhuǎn)移至控制芯片身上。這樣的發(fā)展已使得SATA-IO在2011年開始建立「SATA Express」＊（注）的標準制定工作。SATA Express的最大傳輸速度將上升至1000MB/s與2000MB/s的水平。依歷史經(jīng)驗推估，Intel最快可能會在2014-2015年推出的CPU平臺支持SATA Express或「PCIe-like」的高速接口，以發(fā)揮ONFI 3.0與Toggle DDR 2.0的最大效能。
趨勢六、系統(tǒng)產(chǎn)品走向「平價時尚」的趨勢下，NAND Flash與DRAM之間的競爭將快速升溫
DRAM與NAND Flash兩者雖然在功能上是呈現(xiàn)互補，但是在Ultrabook、智能型手機等系統(tǒng)產(chǎn)品逐漸走向平價時尚（高價值/低價格）的趨勢下，DRAMeXchange預期DRAM與NAND Flash未來競爭的程度將會逐漸提升。我們認為相關(guān)OEM/ODM業(yè)者在有限預算下，將會把資源用于NAND Flash而非DRAM，因為如此一來才能讓消費者明顯感受到產(chǎn)品效能的提升，以吸引消費者的青睞。
注：SATA Express是結(jié)合SATA的軟件基礎(chǔ)架構(gòu)(software infrastructure)與PCIe的傳輸接口。
趨勢一、PC-DRAM現(xiàn)階段主流規(guī)格DDR3將主宰市場至2014年
2011年開始PC-DRAM的主流規(guī)格已升級為DDR3，DRAMeXchange預期其主流地位至少將維持到2014年。JEDEC組織雖然在2012年將正式公布DDR4的標準規(guī)格，但DRAMeXchange對DDR4是否能遵循DDR與DDR2的歷史軌跡，在2014-2015年期間取代DDR3成為市場主流抱持保守的看法。背后理由在于DDR4帶給PC效能提升的邊際效益幅度是相對有限的，但要注意的是Intel仍將握有最后的關(guān)鍵決定權(quán)。
趨勢二、TSV與2.5D/3D IC技術(shù)的成熟度將成為影響未來Mobile DRAM主流的關(guān)鍵
2011年開始Mobile DRAM的主流顆粒為LPDDR 2Gb，預計2012年開始LPDDR2 2Gb顆粒的出貨量將快速成長，以取代LPDDR的主流地位。行動手持裝置對于帶寬(BW)的需求隨著影音往3D發(fā)展，使得LPDDR2只能滿足2012年之前的需求。2013年以后的趨勢，已確定由LPDDR3勝出。然而，為了滿足2014-2015年期間的BW需求，DRAMeXchange認為LPDDR系列與Wide I/O仍將持續(xù)之前的競爭。DRAMeXchange預期TSV與2.5D/3D IC技術(shù)未來的成熟度，將扮演影響Wide I/O崛起與否的重要關(guān)鍵。
趨勢三、Ultrabook未來可望成為PC-DRAM與Mobile DRAM交鋒的戰(zhàn)場
未來隨著Intel新一代平臺Ivy Bridge與Haswell的上市，可搭載的DRAM規(guī)格將新增DDR3L與LPDDR3。這表示Ultrabook未來將成為PC-DRAM與Mobile DRAM首次交鋒的戰(zhàn)場。后者的優(yōu)勢在于，同樣支持Ultrabook所要求的AOAC(Always-on-Always-Connected)與快速回復等功能上，將較PC-DRAM來得省電，并達成Ultrabook所規(guī)定的待機時間要求。DRAMeXchange認為未來Mobile DRAM若真能打入Ultrabook供應煉時，總市場規(guī)模甚至可能在2015年時超越PC-DRAM，進而轉(zhuǎn)變成DRAM應用的最大市場。
趨勢四、預期SSD單位成本在2012年下半年可望跌破一美元水平，成長潛力將涌現(xiàn)
當采用最新制程等級的SSD在2012年下半年正式進入量產(chǎn)后，單位成本將可望下降至一美元以下的水平，達到市場期待已久的甜蜜點。屆時DRAMeXchange預期Ultrabook將從傾向采用Hybrid HDD的解決方案，轉(zhuǎn)變成Pure SSD的解決方案，主流容量將大幅提升至128GB水平。估計Ultrabook的市場占有率將自2012年第三季快速拉升，使得固態(tài)硬盤的NAND Flash消耗量也將從2011年的5.1%大幅成長至今年的15%，成為眾多NAND Flash應用產(chǎn)品中，成長爆發(fā)力道最強的類別之一。
趨勢五、PC-SSD接口將以SATA 3.0為主，未來可望升級至更高速的PCIe-Like接口
2011年P(guān)C-SSD（PC用固態(tài)硬盤）所采用的標準傳輸接口仍以SATA 2.0為主，2012年開始隨著Ivy Bridge處理器上市后，SATA 3.0將逐漸成為主流接口，并將BW推升至600MB/s水平。然而，日后隨著ONFI 3.0與Toggle DDR 2.0接口的NAND Flash開始進入量產(chǎn)，將使得提升SSD產(chǎn)品傳輸速度瓶頸，轉(zhuǎn)移至控制芯片身上。這樣的發(fā)展已使得SATA-IO在2011年開始建立「SATA Express」＊（注）的標準制定工作。SATA Express的最大傳輸速度將上升至1000MB/s與2000MB/s的水平。依歷史經(jīng)驗推估，Intel最快可能會在2014-2015年推出的CPU平臺支持SATA Express或「PCIe-like」的高速接口，以發(fā)揮ONFI 3.0與Toggle DDR 2.0的最大效能。
趨勢六、系統(tǒng)產(chǎn)品走向「平價時尚」的趨勢下，NAND Flash與DRAM之間的競爭將快速升溫
DRAM與NAND Flash兩者雖然在功能上是呈現(xiàn)互補，但是在Ultrabook、智能型手機等系統(tǒng)產(chǎn)品逐漸走向平價時尚（高價值/低價格）的趨勢下，DRAMeXchange預期DRAM與NAND Flash未來競爭的程度將會逐漸提升。我們認為相關(guān)OEM/ODM業(yè)者在有限預算下，將會把資源用于NAND Flash而非DRAM，因為如此一來才能讓消費者明顯感受到產(chǎn)品效能的提升，以吸引消費者的青睞。
注：SATA Express是結(jié)合SATA的軟件基礎(chǔ)架構(gòu)(software infrastructure)與PCIe的傳輸接口。
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