美提名下一代殺手級(jí)應(yīng)用 3D芯片成最大技術(shù)挑戰(zhàn)
[導(dǎo)讀]美國(guó)半導(dǎo)體科技研發(fā)聯(lián)盟Sematech旗下的3D Enablement Center(3DEC)與美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)、Semiconductor ResearchCorp.(SRC)，日前共同定義出了wideI/ODRAM之后的未來(lái)3D芯片(3DIC)技術(shù)殺手級(jí)應(yīng)用，以及將遭遇的
美國(guó)半導(dǎo)體科技研發(fā)聯(lián)盟Sematech旗下的3D Enablement Center(3DEC)與美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)、Semiconductor ResearchCorp.(SRC)，日前共同定義出了wideI/ODRAM之后的未來(lái)3D芯片(3DIC)技術(shù)殺手級(jí)應(yīng)用，以及將遭遇的挑戰(zhàn)。
Sematech表示，上述單位的眾學(xué)者專家經(jīng)過(guò)討論之后，定義出異質(zhì)運(yùn)算(heterogeneouscomputing)、存儲(chǔ)器、圖形(imaging)、智能傳感系統(tǒng)(smartsensorsystems)、通信交換機(jī)(communicationswitches)，以及電力輸送/調(diào)節(jié)(powerdelivery/conditioning)等幾項(xiàng)頗具潛力的未來(lái)殺手級(jí)應(yīng)用技術(shù)。而與這些應(yīng)用相關(guān)的技術(shù)挑戰(zhàn)，則包括：降低3D芯片架構(gòu)成本、系統(tǒng)/架構(gòu)尋址(pathfinding)、通用的異質(zhì)多裸晶堆疊測(cè)試問(wèn)題以及散熱管理。
“克服下一代應(yīng)用的共同技術(shù)挑戰(zhàn)，是加速3D芯片技術(shù)推廣的關(guān)鍵；”Sematech總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)DanArmbrust表示：“Sematech旗下的3DEC在相關(guān)合作研發(fā)計(jì)劃中的下一階段目標(biāo)，是針對(duì)這些共同的技術(shù)挑戰(zhàn)，提供可用的基礎(chǔ)架構(gòu)?！?BR>
Sematech指出，在wideI/ODRAM問(wèn)世之后，市場(chǎng)的高需求、以及各種證實(shí)3D整合優(yōu)勢(shì)的大量應(yīng)用，將驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)界對(duì)3D芯片技術(shù)更進(jìn)一步的研發(fā)；那些優(yōu)勢(shì)包括了較低的功耗、較高的性能，功能性的增加以及較低成本。
自2011年1月以來(lái)，Sematech的3DEC率先投入3D芯片標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范的開(kāi)發(fā)；為了迎接未來(lái)3D整合芯片與系統(tǒng)的時(shí)代，3DEC定義出3~5年內(nèi)可見(jiàn)的相關(guān)殺手級(jí)應(yīng)用與共同技術(shù)挑戰(zhàn)，好為wideI/ODRAM之后的3D芯片技術(shù)鋪平道路。
“3D芯片技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)來(lái)到了一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)；”SIA主席Brian Toohey表示，產(chǎn)業(yè)界已經(jīng)藉由許多工作體會(huì)到合作的好處，此一正在發(fā)展的伙伴關(guān)系，將把3D芯片整合技術(shù)推向下一個(gè)階段，讓業(yè)界充分了解相關(guān)技術(shù)為半導(dǎo)體制造與設(shè)計(jì)領(lǐng)域帶來(lái)的商機(jī)潛力。Sematech的3DEC在2010年12月成立以來(lái)，專注于為具成本效益的TSV制程3D芯片解決方案，推動(dòng)建立橫跨整個(gè)產(chǎn)業(yè)的支持生態(tài)系統(tǒng)。
Sematech表示，上述單位的眾學(xué)者專家經(jīng)過(guò)討論之后，定義出異質(zhì)運(yùn)算(heterogeneouscomputing)、存儲(chǔ)器、圖形(imaging)、智能傳感系統(tǒng)(smartsensorsystems)、通信交換機(jī)(communicationswitches)，以及電力輸送/調(diào)節(jié)(powerdelivery/conditioning)等幾項(xiàng)頗具潛力的未來(lái)殺手級(jí)應(yīng)用技術(shù)。而與這些應(yīng)用相關(guān)的技術(shù)挑戰(zhàn)，則包括：降低3D芯片架構(gòu)成本、系統(tǒng)/架構(gòu)尋址(pathfinding)、通用的異質(zhì)多裸晶堆疊測(cè)試問(wèn)題以及散熱管理。
“克服下一代應(yīng)用的共同技術(shù)挑戰(zhàn)，是加速3D芯片技術(shù)推廣的關(guān)鍵；”Sematech總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)DanArmbrust表示：“Sematech旗下的3DEC在相關(guān)合作研發(fā)計(jì)劃中的下一階段目標(biāo)，是針對(duì)這些共同的技術(shù)挑戰(zhàn)，提供可用的基礎(chǔ)架構(gòu)?！?BR>
Sematech指出，在wideI/ODRAM問(wèn)世之后，市場(chǎng)的高需求、以及各種證實(shí)3D整合優(yōu)勢(shì)的大量應(yīng)用，將驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)界對(duì)3D芯片技術(shù)更進(jìn)一步的研發(fā)；那些優(yōu)勢(shì)包括了較低的功耗、較高的性能，功能性的增加以及較低成本。
自2011年1月以來(lái)，Sematech的3DEC率先投入3D芯片標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范的開(kāi)發(fā)；為了迎接未來(lái)3D整合芯片與系統(tǒng)的時(shí)代，3DEC定義出3~5年內(nèi)可見(jiàn)的相關(guān)殺手級(jí)應(yīng)用與共同技術(shù)挑戰(zhàn)，好為wideI/ODRAM之后的3D芯片技術(shù)鋪平道路。
“3D芯片技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)來(lái)到了一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)；”SIA主席Brian Toohey表示，產(chǎn)業(yè)界已經(jīng)藉由許多工作體會(huì)到合作的好處，此一正在發(fā)展的伙伴關(guān)系，將把3D芯片整合技術(shù)推向下一個(gè)階段，讓業(yè)界充分了解相關(guān)技術(shù)為半導(dǎo)體制造與設(shè)計(jì)領(lǐng)域帶來(lái)的商機(jī)潛力。Sematech的3DEC在2010年12月成立以來(lái)，專注于為具成本效益的TSV制程3D芯片解決方案，推動(dòng)建立橫跨整個(gè)產(chǎn)業(yè)的支持生態(tài)系統(tǒng)。
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