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[導(dǎo)讀]市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 11 日針對(duì) DRAM 合約價(jià)走勢(shì)發(fā)表調(diào)查報(bào)告,表示 DRAM 四月上旬合約價(jià)再度上揚(yáng),主要是由于上月日本地震令硅晶圓吃緊影響 DRAM 供應(yīng)煉,加上近期傳出部份 DRAM 廠在 40nm 制程良率出現(xiàn)問(wèn)題,

市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 11 日針對(duì) DRAM 合約價(jià)走勢(shì)發(fā)表調(diào)查報(bào)告,表示 DRAM 四月上旬合約價(jià)再度上揚(yáng),主要是由于上月日本地震令硅晶圓吃緊影響 DRAM 供應(yīng)煉,加上近期傳出部份 DRAM 廠在 40nm 制程良率出現(xiàn)問(wèn)題,令 DRAM 出產(chǎn)受到影響,在 PC- OEM 廠商加強(qiáng)備貨下,令合約價(jià)得以攀升。
據(jù) DRAMeXchange 指出,受到上月日本關(guān)東地震影響,當(dāng)?shù)毓杈A廠商雖然目前正釋出手上庫(kù)存,令正常供應(yīng)可維持一個(gè)月以上,但如不能在近期恢復(fù)正常運(yùn)作, DRAM 供應(yīng)煉始終會(huì)受到?jīng)_擊,使其產(chǎn)出受到影響,因此 PC-OEM 廠商在供貨穩(wěn)定的疑慮下,加強(qiáng)了備貨意欲。
同時(shí),近期有部份 DRAM 廠在 40nm 制程良率出現(xiàn)問(wèn)題,使 DRAM 產(chǎn)出再出現(xiàn)變量,在種種因素之下,部份 PC- OEM 廠決定拉高庫(kù)存水位,與 DRAM 廠議定合約價(jià)時(shí)亦接受較高的價(jià)格,令到四月上旬 DRAM 合約價(jià)攀升。
目前, DDR3 2GB 四月上旬合約均價(jià)達(dá)到 $18 美元,升幅約為 5.88% ; DDR3 4GB 四月上旬合約均價(jià)達(dá)到 $35 美元,升幅約為 6.1% ,平均每顆 2Gb 顆粒價(jià)格為 $2.03 美元。

據(jù) DRAMeXchange 調(diào)查指出,日本東北大地震過(guò)后,不少 DRAM 生產(chǎn)商已開始將部份 DRAM 產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 NAND Flash 產(chǎn)品,其中包括業(yè)界龍頭 SAMSUNG ,顯見(jiàn) NAND Flash 產(chǎn)品后市比 DRAM 產(chǎn)品更為看好,而據(jù) DRAMeXchange 預(yù)期,假如硅晶圓短期內(nèi)出現(xiàn)短缺,廠商將會(huì)以將滿足 Flash 產(chǎn)品為優(yōu)先考慮。
此外,日系的 Elipda 也已暫緩廣島廠中標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 生產(chǎn),目前僅保留附加價(jià)值高的行動(dòng)式內(nèi)存生產(chǎn)及部份代工業(yè)務(wù),并將標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)交子公司瑞晶及代工廠力晶負(fù)責(zé),而據(jù) DRAMeXchange 指出,瑞晶將加速 38nm 及下半年 32nm 制程轉(zhuǎn)進(jìn),即使面對(duì)投片的不確定性,亦能保持產(chǎn)出量不變,同時(shí)力晶方面也將拉高 45nm 制程投片與毛利較高的代工業(yè)務(wù)比例,確保獲利能力不受地震影響。
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