三星：不會(huì)盲目增產(chǎn)DRAM顆粒

據(jù)報(bào)道，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉近日在出席GSA內(nèi)存大會(huì)時(shí)表示，三星不會(huì)盲目擴(kuò)大DRAM顆粒產(chǎn)量，但會(huì)重視產(chǎn)品價(jià)值，穩(wěn)定產(chǎn)品價(jià)格。力晶半導(dǎo)體總裁FrankHuang也持有相同觀點(diǎn)。

權(quán)五鉉認(rèn)為，上半年的DRAM市場(chǎng)需求預(yù)計(jì)將會(huì)增強(qiáng)，但是下半年的重點(diǎn)應(yīng)該放在維持DRAM顆粒價(jià)格穩(wěn)定上。他督促DRAM制造商不要一味的追求產(chǎn)能，而是應(yīng)該把注意力放在工藝升級(jí)和高端產(chǎn)品的研發(fā)上。

力晶半導(dǎo)體總裁FrankHuang同樣表示，產(chǎn)能的增加只能導(dǎo)致供大于求，產(chǎn)品價(jià)格下降。DRAM市場(chǎng)的供應(yīng)稍緊對(duì)未來(lái)的發(fā)展有利，1GbDRAM顆粒價(jià)格維持在2.5-3美元可以穩(wěn)定市場(chǎng)的供需平衡。

2005-2007年以來(lái)，DRAM制造商一直投入巨額資金來(lái)增加產(chǎn)能，這導(dǎo)致DRAM供遠(yuǎn)大于求，價(jià)格大跌。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli的統(tǒng)計(jì)，從2007年開(kāi)始，DRAM廠商運(yùn)營(yíng)虧損總額達(dá)到了160億美元。

權(quán)五鉉還稱(chēng)，50nm是三星2GbDRAM顆粒的主要制程工藝，他們計(jì)劃于2012年開(kāi)始采用20nm級(jí)工藝生產(chǎn)8GbDRAM顆粒。對(duì)于NAND閃存，三星目前主要利用30nm級(jí)工藝生產(chǎn)32Gb顆粒，2012年則將升級(jí)到10nm。