爾必達(dá)將在臺灣設(shè)DRAM開發(fā)基地 合作開發(fā)4F2技術(shù)
[導(dǎo)讀]爾必達(dá)內(nèi)存將在臺灣設(shè)立DRAM開發(fā)基地。計(jì)劃于2010年第一季度（1～3月）在與臺灣力晶半導(dǎo)體（PSC）的合資公司臺灣瑞晶電子設(shè)立個人電腦通用DRAM開發(fā)基地。這是爾必達(dá)和瑞晶于1月5日在臺灣召開的新聞發(fā)布會上發(fā)布的（瑞
爾必達(dá)內(nèi)存將在臺灣設(shè)立DRAM開發(fā)基地。計(jì)劃于2010年第一季度（1～3月）在與臺灣力晶半導(dǎo)體（PSC）的合資公司臺灣瑞晶電子設(shè)立個人電腦通用DRAM開發(fā)基地。這是爾必達(dá)和瑞晶于1月5日在臺灣召開的新聞發(fā)布會上發(fā)布的（瑞晶電子的新聞發(fā)布資料）。
爾必達(dá)、瑞晶及PSC的技術(shù)人員將會聚于該基地，合作開發(fā)40nm工藝、單元面積為4F2（F為設(shè)計(jì)規(guī)則）的DRAM技術(shù)?，F(xiàn)在爾必達(dá)正在量產(chǎn)的最尖端DRAM為45nm工藝產(chǎn)品，單元面積為6F2。合作開發(fā)的目的在于通過大幅改變單元結(jié)構(gòu)等，在版圖設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)可謂終極的單元面積。爾必達(dá)還計(jì)劃把該基地開發(fā)的技術(shù)提供給該公司的代工廠商臺灣茂德科技和臺灣華邦電子。
以往爾必達(dá)主要在日本國內(nèi)從事DRAM開發(fā)，而將臺灣定位于生產(chǎn)基地。爾必達(dá)指出在臺灣設(shè)立開發(fā)基地的好處有“容易在開發(fā)中滿足市場存在感日益增強(qiáng)的臺灣客戶的需求，容易確保優(yōu)秀的技術(shù)人員，容易降低人工費(fèi)”（爾必達(dá)內(nèi)存公關(guān)部）。至于將來是否打算把通用DRAM開發(fā)全部轉(zhuǎn)交給臺灣基地，該公司未明確表態(tài)。
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