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[導讀]TSMC宣布,客戶美商巨積公司(LSI Corporation)使用TSMC 65納米低功耗工藝的降低功耗(PowerTrim)技術,有效減少下一世代產(chǎn)品的總漏電耗能達百分之二十五以上。 TSMC這項降低功耗的技術與服務獲得Tela Innovation

TSMC宣布,客戶美商巨積公司(LSI Corporation)使用TSMC 65納米低功耗工藝的降低功耗(PowerTrim)技術,有效減少下一世代產(chǎn)品的總漏電耗能達百分之二十五以上。

TSMC這項降低功耗的技術與服務獲得Tela Innovations公司獨家專利授權(quán),是將設計技術與先進半導體工藝巧妙整和的創(chuàng)新技術,能有效降低每個產(chǎn)品的漏電耗能。

降低功耗軟件(PowerTrim Software)分析巨積公司的設計,并些微增加對時序較不敏感的路徑上的閘極長度,以代替本來的元件。而閘極長度的增加,將使漏電功耗成指數(shù)型的遞減,是以這些細微的調(diào)整會有相當可觀的影響。

美商巨積公司產(chǎn)品及測試工程暨網(wǎng)絡元件處處長Norm Lawrence表示:“低功耗與高效能是我們產(chǎn)品成功的關鍵,藉由和TSMC密切的合作并采用Tela Innovations的降低功耗技術,我們的產(chǎn)品減少了超過百分之二十五的漏電耗能,有效改善漏電的良率分布?!?/FONT>

TSMC降低功耗服務藉由臨界尺寸(Critical Dimension)的微調(diào)技術,分析產(chǎn)品設計,并在對時序較不敏感的路徑上將閘極長度調(diào)整為合適的大小,同時有效節(jié)省對時序較不敏感的路徑上的電晶體耗能,而不影響芯片的性能。此閘極臨界尺寸微調(diào)屬于光學臨近效應修正(Optical Proximity Correction)的一部分,并不影響元件或芯片尺寸。因此,降低功耗服務能在不影響芯片性能及尺寸下,有效的大幅降低漏電耗能,同時亦能大幅降低漏電耗能變異性,進而改善元件參數(shù)良率。

TSMC設計建構(gòu)行銷處資深處長莊少特表示:“協(xié)助客戶提高產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢,例如減少耗能,是TSMC創(chuàng)立開放創(chuàng)新平臺的主要目標之一。藉由與不斷創(chuàng)新的公司密切合作,例如Tela Innovations公司,使得開放創(chuàng)新平臺能夠提供客戶具有差異化價值的服務,是建構(gòu)開放創(chuàng)新平臺背后的核心目標。我們很高興美商巨積公司選擇采用TSMC的降低功耗服務,并有效達到降低漏電功耗的成果?!?/FONT>

TSMC低功耗服務可與其他降低漏電的技術如multi-Vt cell libraries, reverse body biasing, header/footer sleep switches, and voltage islands等相容,可進一步減少漏電并強化節(jié)能效果,較臨介高壓電晶體的表現(xiàn)為佳。


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