華虹NEC非外延0.35um BCD工藝進(jìn)入量產(chǎn)

上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）近日宣布，公司非外延0.35um BCD工藝開始進(jìn)入量產(chǎn)。

華虹NEC在2008年成功研發(fā)并量產(chǎn)了BCD350 (0.35 微米Bipolar CMOS DMOS)工藝。針對市場的不同需求，華虹NEC現(xiàn)又推出了非外延工藝的 0.35um BCD工藝，即PMU350工藝。PMU350在BCD350的基礎(chǔ)上用deep Nwell替代了外延層，并簡化了工藝流程，使該工藝更具競爭力。目前，PMU350工藝已經(jīng)順利通過了產(chǎn)品驗(yàn)證，進(jìn)入量產(chǎn)。

華虹NEC PMU350工藝主要面向電源管理、顯示驅(qū)動、汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域，該工藝的標(biāo)準(zhǔn)配置包括3.3V/5V的CMOS，12V/18V/30V/40V的LDMOS以及垂直的NPN和水平的PNP雙極管。此工藝同時還提供高精度的電阻、高密度的電容及一次性可編程器等多種器件以方便客戶選用，是LED驅(qū)動芯片、AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池保護(hù)和充電保護(hù)芯片的最佳工藝選擇之一。

華虹NEC總裁兼CEO邱慈云博士表示，PMU350工藝的成功量產(chǎn)，將為客戶提供更多的工藝選擇。為了持續(xù)不斷地在該平臺上推出下一代工藝來滿足客戶需求，華虹NEC已經(jīng)在開發(fā)0.18微米 BCD技術(shù)平臺，以期為客戶的電源管理和SOC芯片提供更高端的技術(shù)，填補(bǔ)大陸代工市場的空白，成為BCD領(lǐng)域的領(lǐng)航者！