亞洲晶圓廠領(lǐng)軍, 09下半年資本支出持續(xù)改善

今年初，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)了急劇衰退，SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，從2008年第四季到2009年第一季，全球前段制造設(shè)備資本支出下降26%，達(dá)32億美元。然而，該報(bào)告也指出，在2009年第二季，資本支出將走出谷底，整個(gè)供應(yīng)鏈已呈現(xiàn)出改善的跡象。

SEMI指出，今年6月，臺(tái)積電率先宣布將其2009年資本支出提升至2008年的19億美元水準(zhǔn)(較先前預(yù)估值提高26%)。而在2009年第二季法說(shuō)會(huì)上，該公司則將2009年資本支出計(jì)劃上調(diào)至23億美元，更甚于2008年。這些投資預(yù)計(jì)將集中在40/45nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)。

時(shí)間進(jìn)入2009年第三季，亞洲的領(lǐng)先晶圓代工廠均表示，其第二季的營(yíng)收與產(chǎn)能利用率均強(qiáng)勁反彈。他們希望看到第三季也能持續(xù)成長(zhǎng)。例如，特許半導(dǎo)體認(rèn)為今年65nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的需求強(qiáng)勁，已決定提高33%的資本支出，達(dá)5億美元，將用于Fab 7產(chǎn)能。另一方面，由于對(duì)先進(jìn)制程技術(shù)需求不斷攀升，聯(lián)電也擴(kuò)增了2009年資本支出，從低于4億美元調(diào)整到5億美元。

至于內(nèi)存部份，在歷經(jīng)近兩年的緊縮之后，目前也看到了一些資本支出方面的恢復(fù)跡象，預(yù)計(jì)將成為2010年半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)的推動(dòng)力量之一。最近，所有內(nèi)存廠商都在削減開支和產(chǎn)能。但幸運(yùn)的是，DRAM和NAND閃存的產(chǎn)能過(guò)剩已逐漸緩解，因此，自2009年第一季以來(lái)，內(nèi)存芯片價(jià)格已漸趨穩(wěn)定。

韓國(guó)的三星(Samsung)和海力士(Hynix)已經(jīng)修正了他們的2009年下半年投資計(jì)劃。由于看到主要PC OEM的價(jià)格均能維持一定水準(zhǔn)，且需求也穩(wěn)定成長(zhǎng)，這兩家韓國(guó)巨擘也計(jì)劃加速其技術(shù)升級(jí)的時(shí)間表，以滿足市場(chǎng)需求。以三星為例，這家公司打算提升其半導(dǎo)體部門在2009年第二季的資本支出，以保持領(lǐng)先態(tài)勢(shì)。另一方面，海力士則計(jì)劃下半年提高其NAND與DRAM的產(chǎn)能，并預(yù)計(jì)在今年底前完成44nm DRAM與32nm NAND產(chǎn)品的開發(fā)。這意味著兩家公司的速度將比投資于領(lǐng)先技術(shù)節(jié)點(diǎn)更快。

臺(tái)灣地區(qū)的DRAM制造商是否會(huì)展開整合至今仍不明朗，也許為時(shí)已晚了。但南亞科技(Nanya)與華亞[Inotera，南亞和美光(Micron)合資的企業(yè)]正準(zhǔn)備藉由轉(zhuǎn)移至54nm DRAM的大型投資計(jì)劃翻身。他們預(yù)計(jì)今年就展開投資，但大部分的支出將會(huì)集中在2010年。

后段制程方面，自2009年第二季起，產(chǎn)能利用率便大幅提升，上游的晶圓廠也展現(xiàn)出強(qiáng)勁需求，在臺(tái)灣地區(qū)，領(lǐng)先的封測(cè)公司均針對(duì)先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)和部份特定應(yīng)用修正了今年度的資本支出計(jì)劃，特別是在晶圓植凸塊(wafer bumping)和晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP)方面。

從另一種角度來(lái)看，SEMI的北美訂單出貨報(bào)告顯示，自2009年1月起，已經(jīng)連續(xù)5個(gè)月不斷改善。盡管當(dāng)前的資本支出主要側(cè)重于技術(shù)升級(jí)而非產(chǎn)能[初制晶圓(wafer start)]，但預(yù)計(jì)自2009年下半年起一直到2010年，半導(dǎo)體業(yè)的設(shè)備支出將繼續(xù)改善，可望脫離谷底。