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[導(dǎo)讀]設(shè)計(jì)高功效電子設(shè)備將需要改變從后CMOS電路到智能建網(wǎng)各個(gè)級(jí)別的架構(gòu),一些演講者在加州大學(xué)伯克利分校主辦的伯克利高功效電子系統(tǒng)研討會(huì)上指出。 在美國(guó),年耗電量總額估計(jì)約為3,700萬(wàn)億度,其中電子設(shè)備年消耗量約

設(shè)計(jì)高功效電子設(shè)備將需要改變從后CMOS電路到智能建網(wǎng)各個(gè)級(jí)別的架構(gòu),一些演講者在加州大學(xué)伯克利分校主辦的伯克利高功效電子系統(tǒng)研討會(huì)上指出。

在美國(guó),年耗電量總額估計(jì)約為3,700萬(wàn)億度,其中電子設(shè)備年消耗量約為290萬(wàn)億度,建筑每年消耗約2,700萬(wàn)億度,Lawrence Berkeley國(guó)家實(shí)驗(yàn)室研究人員Bruce Nordman透露。

Nordman呼吁工程師們基于通用標(biāo)準(zhǔn)為智能型聯(lián)網(wǎng)建筑創(chuàng)建一種本質(zhì)上全新的架構(gòu)以便控制耗電量。

Nordman指出,目前的一些建筑控制設(shè)備(如可編程自動(dòng)調(diào)溫器),由于使用專利技術(shù)且使用不便,實(shí)際上會(huì)增加能量浪費(fèi)?!斑@些產(chǎn)品應(yīng)具有通用性,因?yàn)椴荒芑ゲ僮鞯南到y(tǒng)越多,浪費(fèi)的能量也越多。”他說(shuō)。

行業(yè)也需對(duì)住宅功率控制給予更大關(guān)注,家庭耗電量約占建筑內(nèi)耗電總量的57%,而商業(yè)機(jī)構(gòu)耗電量約占商業(yè)建筑內(nèi)耗電量的30%,他補(bǔ)充道。

在系統(tǒng)級(jí),Norman正在尋找使PC和機(jī)頂盒可以在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中存儲(chǔ)其狀態(tài)信息的方式,以便使這些設(shè)備在睡眠模式仍可對(duì)網(wǎng)絡(luò)通訊做出響應(yīng)?!斑@可以把系統(tǒng)功耗降低50%,非常值得為之付出努力。”他說(shuō)。

在許多情況下,與減少正常工作功耗或把系統(tǒng)關(guān)閉相比,保持系統(tǒng)盡可能長(zhǎng)地處在睡眠狀態(tài)可以節(jié)省更多的能量。“‘關(guān)閉’是20世紀(jì)的思想,”他說(shuō),“把電路和網(wǎng)絡(luò)從睡眠模式轉(zhuǎn)到關(guān)閉狀態(tài)節(jié)省的能量不多,但從工作狀態(tài)轉(zhuǎn)入睡眠模式卻可以節(jié)省極大的能量?!?/FONT>

芯片級(jí),“到了該超越CMOS考慮新的量子躍變的時(shí)候了”,美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究項(xiàng)目局(Darpa)項(xiàng)目總監(jiān)Michael Fritze說(shuō)。

Fritze詳細(xì)介紹了多個(gè)使用炭納米管等材料和微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)來(lái)創(chuàng)建功耗比目前的CMOS器件更低的存儲(chǔ)芯片的Darpa項(xiàng)目。

例如,一些研究人員(如伯克利的Chenming Hu)在開發(fā)波段到波段隧道晶體管,同CMOS電路相比,其工作功率有望降低25倍,待機(jī)功率有望降低100倍。

“這是一類新的物理理論,它利用隧道來(lái)獲取更陡(功率上升)的斜率。”Fritze介紹,“這難度極大,但值得嘗試?!?/FONT>

另一個(gè)Darpa項(xiàng)目是使用所謂的旋轉(zhuǎn)力矩技術(shù)來(lái)創(chuàng)建一種具有DRAM和SRAM的容量和響應(yīng)速度的非易失性存儲(chǔ)器

在Darpa內(nèi)部,這只是非易失性存儲(chǔ)器項(xiàng)目(至少有2個(gè))中的一個(gè)?!拔覀冋l(shuí)也無(wú)法預(yù)測(cè)哪個(gè)架構(gòu)最有潛力;還有許多項(xiàng)目正在考慮中。”Fritze說(shuō)。

幾家新創(chuàng)公司正在開發(fā)閃存的高功效替代物,其中一些可能會(huì)先于Darpa進(jìn)入市場(chǎng),KPCB風(fēng)險(xiǎn)投資公司風(fēng)險(xiǎn)投資家、Sun微電子公司的創(chuàng)始人Bill Joy在做主題演講時(shí)表示。

在一次視頻采訪中,Joy指出盡管風(fēng)險(xiǎn)資金投資緊縮,但一些新創(chuàng)公司仍獲得了研究各種清潔技術(shù)的資金。

資金和技術(shù)壓力是影響高能效電子能否取得下一次大躍進(jìn)的重要因素。英特爾公司研究人員George Bourianoff介紹了這家CPU巨頭通過(guò)目前使用的高k/金屬門45納米工藝把電路泄漏降低了5倍的方法。

“想要繼續(xù)降低泄露電流會(huì)很困難?!彼f(shuō)?!拔覀?cè)谒蓄I(lǐng)域都在穩(wěn)步地向前推進(jìn),但不能無(wú)限期地這樣發(fā)展,所以我們?cè)趯ふ倚碌牟牧虾徒Y(jié)構(gòu)?!?/FONT>

Bourianoff回顧了在旋轉(zhuǎn)電子學(xué)和相變器件領(lǐng)域的一些最新進(jìn)展。隨著芯片制造商推進(jìn)到CMOS之外,可能在4年內(nèi)就會(huì)需要這些技術(shù),他說(shuō)。

“人們開始坐立不安,感受到壓力?!彼f(shuō),“好消息是,可選材料已縮小到石墨烯等幾種。”

這次伯克利研討會(huì)是Citris研究中心主辦的,會(huì)議聚集了約1,000位研究者。該中心最近搬到位于伯克利的新邸,該中心將把一個(gè)納米制造實(shí)驗(yàn)室設(shè)在那里。

 

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