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[導(dǎo)讀]新日本制鐵(新日鐵)著手開展作為新一代功率半導(dǎo)體底板材料的SiC(碳化硅)晶圓業(yè)務(wù)。將從2009年4月1日起通過子公司新日鐵材料開始銷售直徑2~4英寸(50~100mm)的SiC晶圓。此前新日鐵一直提供試制用晶圓的樣品,而此次

新日本制鐵(新日鐵)著手開展作為新一代功率半導(dǎo)體底板材料的SiC(碳化硅)晶圓業(yè)務(wù)。將從2009年4月1日起通過子公司新日鐵材料開始銷售直徑2~4英寸(50~100mm)的SiC晶圓。此前新日鐵一直提供試制用晶圓的樣品,而此次將從4月份起供應(yīng)質(zhì)量可用于元件量產(chǎn)的晶圓。計劃2015年前后使該業(yè)務(wù)的年銷售額規(guī)模達(dá)100億日元。“毫無疑問,我們將成為僅次于(壟斷SiC晶圓市場的)美國可瑞(Cree)公司,成為業(yè)界第二。不過我們的晶圓質(zhì)量可是全球第一位的”(新日鐵材料董事社長石山照明)。

新日鐵開展SiC晶圓業(yè)務(wù),“質(zhì)量不輸美國可瑞”

2009年3月26日舉辦了新聞發(fā)布會。左側(cè)為新日鐵材料董事社長石山照明。右側(cè)為新日本制鐵尖端技術(shù)研究所所長橋本操。

新日鐵材料將開始銷售直徑為2英寸(50mm)、3英寸(76mm)及4英寸(100mm)的n型4H-SiC晶圓。所有產(chǎn)品的中空貫通缺陷(微管)的存在密度均降到了1個/cm2以下。在引起元件成品率下降的位錯缺陷方面,與可瑞的晶圓相比,新日鐵的水平也毫不遜色。“為了提高SiC晶圓的結(jié)晶質(zhì)量,采用了通過制鐵用高爐開發(fā)的超高溫溫度控制技術(shù)”(新日鐵新材料研究部長大橋渡)。

日本國內(nèi)首次推出直徑100mm晶圓,150mm晶圓將于2011年樣品供貨

這是日本國內(nèi)廠商首次推出直徑100mm的SiC晶圓產(chǎn)品(參閱本站報道1,參閱本站報道2)。該尺寸是量產(chǎn)元件時使用的最小尺寸,因此,此次實現(xiàn)產(chǎn)品化“將成為加快SiC晶圓元件量產(chǎn)步伐的原動力”(新日鐵材料董事兼技術(shù)部長巽宏平)。可瑞計劃09年~2010年推出的直徑6英寸(150mm)的晶圓產(chǎn)品,“將于2011年開始樣品供貨”(巽宏平)。另外,新日鐵此次推出的直徑50~100mm的晶圓產(chǎn)品均為沒有形成外延膜(Epitaxial Film)的普通晶圓(Bulk Wafer)。關(guān)于事先形成外延膜的外延晶圓(Epitaxial wafer),“我們已經(jīng)擁有制造設(shè)備,目前正在探討當(dāng)業(yè)務(wù)需求增高時如何實現(xiàn)業(yè)務(wù)化的問題”(巽宏平)。

新日鐵開展SiC晶圓業(yè)務(wù),“質(zhì)量不輸美國可瑞”

 新日鐵推出的直徑2~4英寸(50~100mm)的SiC晶圓產(chǎn)品。

新日鐵材料最初計劃主要面向日本國內(nèi)元件廠商銷售SiC晶圓。生產(chǎn)基地為該公司的子公司日鐵微金屬的寄居工廠(埼玉縣)。預(yù)計最初以月產(chǎn)200~400張的規(guī)模進(jìn)行量產(chǎn),年銷售額將達(dá)數(shù)億日元。隨著元件市場的發(fā)展,“生產(chǎn)規(guī)模及銷售額也將實現(xiàn)數(shù)倍以上的增長”(巽宏平)。關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體的用途,“最初將應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)設(shè)備、服務(wù)器及太陽能電池等領(lǐng)域,隨后擴(kuò)大到混合動力車及電動汽車領(lǐng)域”(新日鐵材料的石山)。

新日鐵開展SiC晶圓業(yè)務(wù),“質(zhì)量不輸美國可瑞”

提倡實現(xiàn)業(yè)界最高質(zhì)量水平

“不同于硅晶圓

新日鐵并不是首次開展半導(dǎo)體晶圓業(yè)務(wù)。該公司此前曾開展過硅晶圓業(yè)務(wù),不過03年退出了該業(yè)務(wù)。此次,關(guān)于開展SiC晶圓業(yè)務(wù)的理由,該公司例舉了兩點?!暗谝?,與硅晶圓時期不同,在開展業(yè)務(wù)的過程中可確保自主開發(fā)的技術(shù);第二,設(shè)備投資規(guī)模小,開展業(yè)務(wù)的風(fēng)險較小”(新日鐵材料的石山)。

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