三星半導(dǎo)體部門資本支出大減50%

1月6日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，三星傳出有意調(diào)降今年半導(dǎo)體部門資本支出，由6兆韓元大減五成至3兆韓元，而且僅達(dá)去年10兆韓元的30%，激勵(lì)昨（5）日DRAM現(xiàn)貨價(jià)開新春紅盤大漲逾4%，并朝1美元關(guān)卡靠攏，創(chuàng)波段新高。

三星是全球DRAM與NAND Flash龍頭，DRAM市占率更超過25%，三星大砍資本支出，意味大舉減產(chǎn)時(shí)代來臨，有助舒緩供過于求問題，促使價(jià)格回升，使得上周DRAM報(bào)價(jià)大漲逾四成的狀況可能重現(xiàn)，力晶等臺(tái)灣內(nèi)存芯片廠將受惠。

業(yè)界認(rèn)為，三星節(jié)制資本支出，對(duì)抒解市場(chǎng)供過于求絕對(duì)是好事一樁，以其削減金額龐大來看，應(yīng)該是針對(duì)目前內(nèi)存主力12吋晶圓的配置，絕非僅有6吋與8吋晶圓。

根據(jù)集邦科技（DRAMeXchange）報(bào)價(jià)，1Gb DDRII DRAM有效測(cè)試顆粒（eTT）昨天已起漲，均價(jià)站上0.91美元的波段新高，漲幅超過4%；品牌顆粒報(bào)價(jià)更大漲逾5%。法人預(yù)期，有效測(cè)試顆粒報(bào)價(jià)短期將先朝1美元靠攏，若能再度掀起大漲行情，有助DRAM廠轉(zhuǎn)虧為盈。

三星上個(gè)月初才表示，今年半導(dǎo)體部門的資本支出，將由去年的10兆韓元縮減四成至6兆韓元，迄今不到一個(gè)月，

臺(tái)灣DRAM廠也紛紛縮手今年資本支出。力晶今年資本支出，由去年的300億元降到只剩數(shù)十億元，創(chuàng)近年來最低紀(jì)錄。南科、華亞科、茂德雖然尚未公布今年?duì)顩r，但各公司內(nèi)部已有保守的共識(shí)。