華虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝取得進(jìn)一步成果

時(shí)間：2008-11-05 07:20:34

關(guān)鍵字： NEC 華虹微米嵌入式閃存

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）日前宣布，與多家智能卡行業(yè)龍頭設(shè)計(jì)公司的合作順利進(jìn)行?；谌A虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝（“EF130”）生產(chǎn)的SIM卡產(chǎn)品完成產(chǎn)品的可靠性測試

純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）日前宣布，與多家智能卡行業(yè)龍頭設(shè)計(jì)公司的合作順利進(jìn)行?；谌A虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝（“EF130”）生產(chǎn)的SIM卡產(chǎn)品完成產(chǎn)品的可靠性測試并進(jìn)入量產(chǎn)階段，從而使EF130工藝的發(fā)展進(jìn)入一個(gè)新的階段。

EF130嵌入式閃存工藝的設(shè)計(jì)平臺(tái)面向智能卡，MCU和SoC等產(chǎn)品。其工藝平臺(tái)擁有中大容量的嵌入式閃存IP，齊全的模擬IP，高速靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和低功耗設(shè)計(jì)庫，高性能的IO單元以及完善的產(chǎn)品和測試方案。產(chǎn)品平臺(tái)具備拓展性的1.6~5.5V寬電壓支持能力。嵌入式閃存工藝在工業(yè)溫度范圍內(nèi)已達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先的可靠性指標(biāo)，運(yùn)用該技術(shù)平臺(tái)開發(fā)的產(chǎn)品的擦寫壽命超過30萬次，數(shù)據(jù)保存時(shí)間至少可達(dá)10年。該工藝同時(shí)具有極低的靜態(tài)功耗，相當(dāng)于同類工藝約10%的靜態(tài)功耗，其特性使產(chǎn)品更具競爭優(yōu)勢。

嵌入式非易失性存儲(chǔ)器工藝平臺(tái)是華虹NEC戰(zhàn)略技術(shù)發(fā)展方向之一，通過多年成功的市場運(yùn)作積累，華虹NEC確立了在嵌入式非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，可為客戶提供高品質(zhì)高附加值的晶圓代工服務(wù)。華虹NEC將繼續(xù)加強(qiáng)該工藝平臺(tái)的發(fā)展，與客戶進(jìn)行深度合作，在智能卡領(lǐng)域攜手前進(jìn)。