IBM制造出22nm SRAM單元

此款SRAM是IBM與AMD、飛思卡爾、意法半導(dǎo)體、東芝以及紐約的奧爾巴尼大學(xué)納米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)聯(lián)合開發(fā)的。

前一款世界最小SRAM位單元的記錄由IBM在2004年創(chuàng)造，是一個(gè)大小為0.143mm2的實(shí)驗(yàn)性32nm器件。

“在引入高K金屬門之前，許多人質(zhì)疑傳統(tǒng)器件結(jié)構(gòu)能否延用至22納米。今天我們向業(yè)界展示了，傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)在22納米級(jí)別仍然適用?！盜BM微電子項(xiàng)目經(jīng)理Mukesh Khare說。

“我們的柵極長度還不到25納米，這在幾年前還被認(rèn)為是不可能的。”他補(bǔ)充道。

IBM能夠縮小22nm晶體管的一些主要特征尺寸，例如柵極長度、間距和位于相鄰柵極之間的觸點(diǎn)，并證實(shí)器件可以被制造出來。而后者正是過去在0.143mm2后進(jìn)一步縮小SRAM位單元時(shí)遇到的最大障礙。與早期版本不同，如今這款0.1mm2的SRAM位單元可以用適合量產(chǎn)的工具制造。

該SRAM位單元是IBM在位于奧爾巴尼的300mm研究機(jī)構(gòu)采用傳統(tǒng)6晶體管設(shè)計(jì)制造的。這款實(shí)驗(yàn)性的22nm器件距離商用還有兩個(gè)階段的差距。在轉(zhuǎn)為采用22nm之前，IBM及其合作伙伴表示他們計(jì)劃第一次先在32nm上用高K電介質(zhì)與金屬柵極來做。

為了制造這款22nm的器件，IBM與其合作伙伴采用了浸沒式光刻、高K電介質(zhì)和金屬柵極堆積。

有關(guān)此款SRAM位單元的詳細(xì)情況計(jì)劃在12月舊金山召開的國際電子元件大會(huì)上公布。