三星與海力士聯(lián)合開發(fā)450毫米晶圓工藝的MRAM
[導讀] 三星公司(Samsung)與海力士半導體公司(Hynix)，兩家韓國最大的芯片公司，近日對外宣稱，兩家將計劃聯(lián)合開發(fā)自旋扭矩轉(zhuǎn)換式磁性隨機存儲器(STT-MRAM)并使之標準化，從而成為采用450毫米晶圓工藝的該芯片市場的領(lǐng)軍
三星公司(Samsung)與海力士半導體公司(Hynix)，兩家韓國最大的芯片公司，近日對外宣稱，兩家將計劃聯(lián)合開發(fā)自旋扭矩轉(zhuǎn)換式磁性隨機存儲器(STT-MRAM)并使之標準化，從而成為采用450毫米晶圓工藝的該芯片市場的領(lǐng)軍人。
上述消息的宣布來自于漢城舉行的一次半導體商與政府部門的集會上。兩家公司解釋道，這一聯(lián)盟是出于電子關(guān)鍵技術(shù)本地化發(fā)展的考慮，從而避免支付專利費給外國公司的情況。
從事STT-MRAM研發(fā)的合資公司，將定于今年9月掛牌成立。據(jù)稱，如果該合資公司運作成功，三星與海力士將會擊敗來自日本公司的競爭，并可以避免向日本支付大額專利費。
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