三星與海力士聯(lián)合開發(fā)450毫米晶圓工藝的MRAM
[導(dǎo)讀] 三星公司(Samsung)與海力士半導(dǎo)體公司(Hynix)，兩家韓國最大的芯片公司，近日對外宣稱，兩家將計(jì)劃聯(lián)合開發(fā)自旋扭矩轉(zhuǎn)換式磁性隨機(jī)存儲器(STT-MRAM)并使之標(biāo)準(zhǔn)化，從而成為采用450毫米晶圓工藝的該芯片市場的領(lǐng)軍
三星公司(Samsung)與海力士半導(dǎo)體公司(Hynix)，兩家韓國最大的芯片公司，近日對外宣稱，兩家將計(jì)劃聯(lián)合開發(fā)自旋扭矩轉(zhuǎn)換式磁性隨機(jī)存儲器(STT-MRAM)并使之標(biāo)準(zhǔn)化，從而成為采用450毫米晶圓工藝的該芯片市場的領(lǐng)軍人。
上述消息的宣布來自于漢城舉行的一次半導(dǎo)體商與政府部門的集會上。兩家公司解釋道，這一聯(lián)盟是出于電子關(guān)鍵技術(shù)本地化發(fā)展的考慮，從而避免支付專利費(fèi)給外國公司的情況。
從事STT-MRAM研發(fā)的合資公司，將定于今年9月掛牌成立。據(jù)稱，如果該合資公司運(yùn)作成功，三星與海力士將會擊敗來自日本公司的競爭，并可以避免向日本支付大額專利費(fèi)。
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