SanDisk聯(lián)手東芝開(kāi)發(fā)3D存儲(chǔ)芯片 欲取代NAND技術(shù)
[導(dǎo)讀] 據(jù)一份提交給美國(guó)證券交易委員會(huì)(SEC)的文件，為了擴(kuò)大合作，SanDisk與東芝(Toshiba)計(jì)劃合作開(kāi)發(fā)某些類型的可重寫(xiě)3D存儲(chǔ)芯片。
由SanDisk提交的這份文檔表示，SanDisk與東芝“將貢獻(xiàn)和交叉授權(quán)與這項(xiàng)3D合
據(jù)一份提交給美國(guó)證券交易委員會(huì)(SEC)的文件，為了擴(kuò)大合作，SanDisk與東芝(Toshiba)計(jì)劃合作開(kāi)發(fā)某些類型的可重寫(xiě)3D存儲(chǔ)芯片。
由SanDisk提交的這份文檔表示，SanDisk與東芝“將貢獻(xiàn)和交叉授權(quán)與這項(xiàng)3D合作有關(guān)的技術(shù)，并將共同開(kāi)展研發(fā)，作為提供知識(shí)產(chǎn)權(quán)授權(quán)的組成部分，SanDisk將接受東芝支付的一定金額的授權(quán)費(fèi)?！?
多年以來(lái)，東芝和SanDisk一直在NAND閃存方面開(kāi)展合作。雙方目前正在供應(yīng)43納米NAND閃存，每單元3位(x3)技術(shù)正在開(kāi)發(fā)之中。
市場(chǎng)調(diào)研公司Forward Insights的總裁Gregory Wong認(rèn)為，這項(xiàng)3D技術(shù)面臨許多挑戰(zhàn)?！?級(jí)3D R/W內(nèi)存將必須至少在制程方面追上NAND閃存，才能被視為可與x4 NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)，”Wong表示，指的是基于NAND的每單元4位技術(shù)。
“這將使3D R/W內(nèi)存至少要等3-4年后才能問(wèn)世，”Wong表示，“另一個(gè)問(wèn)題是，8級(jí)堆疊是否能夠以較高的成品率生產(chǎn)出來(lái)。Matrix曾于2003年展示過(guò)一款8級(jí)堆疊，但采用的是不太先進(jìn)的0.25μm制程。用領(lǐng)先制程生產(chǎn)8級(jí)內(nèi)存堆疊是另外一回事?！?/P>
下載文檔
