高密度電子封裝的最新進(jìn)展和發(fā)展趨勢
[導(dǎo)讀]電子封裝是連接半導(dǎo)體芯片和電子系統(tǒng)的一道橋梁，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展及其向各行業(yè)的迅速滲透，電子封裝已經(jīng)逐步成為實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片功能的一個瓶頸，電子封裝因此在近二三十年內(nèi)獲得了巨大的發(fā)展，并已經(jīng)取得了
電子封裝是連接半導(dǎo)體芯片和電子系統(tǒng)的一道橋梁，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展及其向各行業(yè)的迅速滲透，電子封裝已經(jīng)逐步成為實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片功能的一個瓶頸，電子封裝因此在近二三十年內(nèi)獲得了巨大的發(fā)展，并已經(jīng)取得了長足的進(jìn)步。
今日的電子封裝不但要提供芯片萬事保護(hù)，同時還要在一定的成本不滿足不斷增加的性能、可靠性、散熱、功率分配等功能。電子封裝的設(shè)計和制造對系統(tǒng)應(yīng)用正變得越來越重要，電子封裝的設(shè)計和制造從一開始就需要從系統(tǒng)入手以獲得最佳的性能價格比。原來一些僅用于前道的工藝已經(jīng)逐步應(yīng)用與后道封裝，且呈增長趨勢。 電子封裝發(fā)展的驅(qū)動力主要來源于半導(dǎo)體芯片的發(fā)展和向市場需要，可以概括為如下幾點(diǎn)： 速度及處理能力的增加是需要更多的引腳數(shù)，更快的時鐘頻率和更好的電源分配。
市場需要電子產(chǎn)品有更多功能，更長的電池壽命和更小的幾何尺寸。 電子器件和電子產(chǎn)品的需要量不斷增加，新的器件不斷涌現(xiàn)。
市場競爭日益加劇 芯片制造業(yè)的發(fā)展和電子產(chǎn)品的市場需要將最終決定電子封裝的發(fā)展趨勢 更小、更薄、更輕 性能更好、功能更強(qiáng)、能耗更小 可靠性更好 更符合環(huán)保要求 更便宜 電子封裝的發(fā)展和趨勢 電子封裝的發(fā)展主要經(jīng)歷了以下四個階段 70年代：通孔安裝器件、插入式器件 70年代器件的主流封裝形式為通孔器件和插入器件，以DIP(dual in line)和PGA(Pin grid array)為代表；器件分別通過波峰焊接和機(jī)械接觸實(shí)現(xiàn)器件的機(jī)械和電學(xué)連接。由于需要較高的對準(zhǔn)精度，因而組裝效率較低，同時器件的封裝密度也較低。
80年代：表面安裝器件 80年代出現(xiàn)了表面安裝技術(shù)，器件通過回流技術(shù)進(jìn)行焊接，由于回流焊接過程中焊錫熔化時的表面張力產(chǎn)生自對準(zhǔn)效應(yīng)，降低了對貼片精度的要求，同時回流焊接代替了波峰焊，也提高了組裝良品率。此階段的器件封裝類型緊PLCC(QFJ)和QFP為主，由于采用四面引腳，因而也很大強(qiáng)度上提高了封裝和組裝的密度。 90年代中前期：BGA 90年代隨著器件引腳和增加及對封裝、組裝亮度的要求，出現(xiàn)了球柵陣列式封裝BGA。典型的BGA以有機(jī)襯底（如BT）代替了傳統(tǒng)封裝內(nèi)的引線框架，且通過多層板布線技術(shù)實(shí)現(xiàn)焊點(diǎn)在器件下面的陣列平面分布，既減輕了引腳間距不斷下降在貼裝上面所遇到的阻力，同時又實(shí)現(xiàn)了封裝、組裝密度的大大增加，因而很快獲得了大面積的推廣且在產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用急劇增長。
90年代后期：倒裝焊接FC和芯片尺寸封裝CSP倒裝焊接技術(shù)在IBM公司在60年代引入，開始使用的是銅凸點(diǎn)，后發(fā)展為在芯片上制備高鉛焊料凸點(diǎn)再將芯片正面朝下直接貼在陶瓷襯底上，使用回流焊接實(shí)現(xiàn)多個焊點(diǎn)的一次性組裝。既大大提高了生產(chǎn)效率（當(dāng)時的金絲球焊機(jī)焊接速度較慢），同時由于引線電阻小，寄生電容小，因而獲得了優(yōu)異的性能特別是高頻性能。但由于價格和工藝復(fù)雜性等原因，該技術(shù)一直未獲得廣泛使用。由于芯片和有機(jī)襯底的熱膨脹系數(shù)差別很大，因而早期該技術(shù)僅僅用于陶瓷襯底。80年代IBM公司發(fā)明了底層填充技術(shù)，采用底層填充料充芯片和襯底之間的間隙，從而大大地增加了由芯片和襯底膨脹系數(shù)失配所產(chǎn)生的熱疲勞焊點(diǎn)壽命，同時也使得低成本的倒裝焊接組裝技術(shù)成為可能。目前在計算機(jī)、通信等領(lǐng)域倒裝焊接技術(shù)已經(jīng)獲得了相當(dāng)程度的應(yīng)用，并且正呈高速增長趨勢。
倒裝焊接雖然具有優(yōu)勢的性能和近乎理想的封裝密度，但仍然存在一系列的問題長期未能獲得很好的解決，如芯片測試、老化、已知好芯片、返修等，應(yīng)而其應(yīng)用仍受到很大的限制；而與此同時另一技術(shù)CSP開始出現(xiàn)，并很快發(fā)展成為90年代以來最引人注目的封裝形式。該封裝形式估計很快成為封裝形式的主流并將在很長的一段時期內(nèi)點(diǎn)據(jù)統(tǒng)治地位。根據(jù)IPC定義，CSP為封裝面積不大于芯片面積150％的封裝形式，CSP已經(jīng)發(fā)展超出100種不同的形式，其中最典型的是micro-BGA,器件與PCB板的連接與BGA相同，為焊錫球陣列，而內(nèi)部芯片到BGA基板的連接既可以采用線焊技術(shù)，也可以采用倒裝焊接技術(shù)。由于CSP既具有一般封裝器件的易于操作、測試、返修等特點(diǎn)，同時又在一定程度上具有倒裝焊接器件的高密度和優(yōu)異高頻性能等特點(diǎn)，因而成為BGA和倒裝焊接之間的最好中間產(chǎn)品，預(yù)期在很大的一段時間內(nèi)將成為器件封裝形式的主流。
90年代后期，電子封裝進(jìn)入超高速發(fā)展時期，新的封裝形式不斷涌現(xiàn)并獲得應(yīng)用，除倒裝焊接和芯片尺寸封裝以外，出現(xiàn)了多種發(fā)展趨勢，封裝標(biāo)準(zhǔn)化工作已經(jīng)嚴(yán)重滯后，甚至連封裝領(lǐng)域名詞的統(tǒng)一都出現(xiàn)困難，以下對部分形式作一簡介： - - 多芯片封裝: 將多個芯片封裝在統(tǒng)一器件內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)更高的封裝密度 - - 三維迭層封裝: 芯片經(jīng)過減薄后沿Z方向疊起來封裝在同一個器件內(nèi)。芯片之間通過線焊或倒裝焊形式連接。該技術(shù)特別是在存儲器件中已經(jīng)獲得一定范圍的應(yīng)用。 - - 單封裝系統(tǒng)SIP: 如多芯片模塊MCM：將多個具有不同功能的芯片封裝在同一個器件內(nèi)，以形成一個完整的系統(tǒng)或子系統(tǒng)功能：微電子機(jī)械系統(tǒng)MEMS：將微電子器件和應(yīng)用微電子技術(shù)制備的如傳感器、執(zhí)行器等封裝在同一模塊中以形成系統(tǒng)功能；微光機(jī)電系統(tǒng)MEOMS)：除微子機(jī)械外，進(jìn)一步將光學(xué)系統(tǒng)集成進(jìn)來。 - - SOC：將整個系統(tǒng)的功能完全集成在同一個半導(dǎo)體芯片上。
隨著芯片封裝密度的不斷提高，被動元器件和基板逐漸成為阻礙密度和性能提高的壁壘，因而帶動了被動元器件如電阻、電容等的發(fā)展。其發(fā)展歷史及趨勢和主動元器件相仿，也經(jīng)歷了從通孔組裝到表面安裝到1維陣列并正向平面陣列方向發(fā)展。 隨著封裝、組裝的發(fā)展，晶片級、 芯片級、組裝級、系統(tǒng)級的界線已經(jīng)逐漸模糊。原來一些僅僅用于晶片級的技術(shù)已經(jīng)開始用于封裝和組裝級。 目前熱點(diǎn)和發(fā)展趨勢 在封裝、組裝業(yè)高速發(fā)展的背景下，以下幾點(diǎn)尤為引人注目 底層填料 無鉛焊接 導(dǎo)電膠 高密度基板 底層填料 底層填料原來僅僅用于較大芯片的倒裝焊接應(yīng)用，以增加焊點(diǎn)的熱疲勞壽命。現(xiàn)在已經(jīng)被大量應(yīng)用于CSP器件中，用以增強(qiáng)焊點(diǎn)抵抗機(jī)械應(yīng)力、振動、沖擊等能力。
底層填料主要分為流動型和無流動型。流動型通過毛細(xì)管現(xiàn)象將底層填料吸入芯片與基板之間的空隙之中，然后使用熱或光進(jìn)行固化。從材料角度要求其熱膨脹系數(shù)盡可能與焊錫材料相近,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高、揚(yáng)氏模量大、離子雜質(zhì)少、防潮性好、與芯片、鈍化層材料、基板材料、阻焊材料等有良好的粘合強(qiáng)度；從工藝角度來中看，要求填充速度快、具有充小空隙的能力、固化時間短，固化后無填料不均勻沉淀等。[!--empirenews.page--]
1996年，美國Georgia Institute of Technology 的C.P.Wong教授首先發(fā)表了他們的無流動型底層填料方面的結(jié)果。引起研究和產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注，度迅速成為熱點(diǎn)研究領(lǐng)域。該材料集助焊劑和底層填料功能與一身，在回流過程中焊接和固化過程一次完成（也可以在回流焊接后低于焊接錫熔點(diǎn)的溫度完成最終固化）。由于工藝過程比流動型的底層填料要簡單得多，因而可以大大降低生產(chǎn)成本并提高生效率。 無論是流動型還是無流動型的底層填料，一經(jīng)固化，器件一般無化返修，這一特性從某種程度上限制了底層填料在產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用。近年來在可返修底層填料方面已經(jīng)取得了很好的進(jìn)展，現(xiàn)已經(jīng)開發(fā)出在化學(xué)可返修、熱學(xué)可返修、熱塑型底層填料等樣品。預(yù)期相應(yīng)產(chǎn)品在短期內(nèi)會逐步走向市場。
無鉛焊料 由于PbSn共晶焊料中含有有害健康和環(huán)境的鉛元素，因而焊料的無鉛化一直是電子工業(yè)廣泛關(guān)注的一個問題。雖然禁鉛幾經(jīng)起落，但隨著環(huán)境保護(hù)意識的不斷增強(qiáng)及市場競爭的不斷的加劇，無鉛焊接正離我們越來越近。 - - 價格、性能：到目前為止，以有很多無鉛焊料體系得到了充分的研究，但從性能價格比方面仍然沒有任何材料可以和傳統(tǒng)錫鉛晶焊料相比。 - - 助焊劑：現(xiàn)有助焊劑種類很多，新的產(chǎn)品仍在不斷涌現(xiàn)，但幾乎所有體系皆是按照錫鉛共晶焊料設(shè)計并優(yōu)化的。新的焊料體系對助焊劑必定是提出新的要求。同時今后無鉛焊料很可能出現(xiàn)多種焊料體系共存的局面，這更加加大了助焊劑開發(fā)的難度。 - - 元器件、基板、焊接設(shè)備：目前的無鉛焊料體系一般都比共晶錫鉛材料的熔點(diǎn)高。由于現(xiàn)在絕大多數(shù)器件為塑料封裝器件，焊接溫度的提高對器件的抵抗熱應(yīng)力和防潮性能必定提出更高的要求；同時焊接設(shè)備也會產(chǎn)生一定影響。
導(dǎo)電膠 導(dǎo)電膠焊接由于具有一系列的優(yōu)點(diǎn)如成本低廉、焊接溫底低、不含鉛、可以實(shí)現(xiàn)很小的引腳間距等，因而近二十年一直頗受關(guān)注，并且導(dǎo)電膠焊料在某些領(lǐng)域已獲得了很好的運(yùn)用。在無鉛化方面，導(dǎo)電膠至少是共晶錫鉛的一個可能的替代方案。而在小引腳間距方面，對于錫鉛體系，如間距小于0.5毫米，對貼片機(jī)的精度要求就將明顯增高，而對更小的引腳間距，焊接的良品率可能明顯下降。雖然由于平面陣列式器件如BGA,CSP的出現(xiàn)在一定程度上緩解了間距不斷變小在時間上的應(yīng)力，但在未來，器件的引腳間距仍肯定繼續(xù)朝著不斷減小的方向發(fā)展，因而在未來，導(dǎo)電膠任將是錫鉛焊接材料的一個強(qiáng)有力的競爭者。
高密度基板技術(shù) 隨著電子系統(tǒng)不斷向高密度、高速度方向發(fā)展，現(xiàn)有基板制備技術(shù)已經(jīng)無法滿足技術(shù)要求，高密度基板技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。高密度基板的典型要求如下： 線寬/線距， 75/75微米 焊盤尺寸， 150-200微米 微通孔尺寸，200微米 傳統(tǒng)基板制備技術(shù)顯然無法達(dá)到這樣的要求。在通孔方面，現(xiàn)已經(jīng)發(fā)展出激光鉆孔、光掩模腐蝕等通孔技術(shù)，且這三種技術(shù)都獲得了一定程度的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。
目前高密度基板技術(shù)在數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、通訊和計算機(jī)等領(lǐng)域已獲得了相當(dāng)程度的應(yīng)用，且應(yīng)用范圍正不斷擴(kuò)大。與此同時為進(jìn)一步提高系統(tǒng)的密度，將被動元器件集成于基板制造過程中的技術(shù)也已經(jīng)步入研究開發(fā)階段，在不久的將來有望一定的范圍內(nèi)獲得市場應(yīng)用。 總結(jié) 電子封裝、組裝的發(fā)展主要可以概括為高密度、高速度、和環(huán)保。在器件封裝方面，BGA,CSP和倒裝焊接技術(shù)將是未來10年內(nèi)的發(fā)展主流：基板方面，高密度基板的市場有率將穩(wěn)步提高：集成了被動元器件的高密度基板有望在某些領(lǐng)域進(jìn)入市場：在基板互連方面，無鉛焊接估計會很快進(jìn)入市場，但無鉛焊接和傳統(tǒng)共晶錫鉛焊料預(yù)計會在較長的時間內(nèi)處于共存狀態(tài)。
中國的封裝、組裝業(yè)正處于高速發(fā)展階段，且已經(jīng)初具規(guī)模，這一情況下，通過加強(qiáng)電子封裝、組裝領(lǐng)域的研究開發(fā)，增強(qiáng)研究、服務(wù)機(jī)構(gòu)和產(chǎn)業(yè)之間的交流和協(xié)作，必定可以極大地推動中國的封裝、組裝業(yè)的迅速發(fā)展，完成產(chǎn)業(yè)從量向質(zhì)的轉(zhuǎn)變。
市場需要電子產(chǎn)品有更多功能，更長的電池壽命和更小的幾何尺寸。 電子器件和電子產(chǎn)品的需要量不斷增加，新的器件不斷涌現(xiàn)。
市場競爭日益加劇 芯片制造業(yè)的發(fā)展和電子產(chǎn)品的市場需要將最終決定電子封裝的發(fā)展趨勢 更小、更薄、更輕 性能更好、功能更強(qiáng)、能耗更小 可靠性更好 更符合環(huán)保要求 更便宜 電子封裝的發(fā)展和趨勢 電子封裝的發(fā)展主要經(jīng)歷了以下四個階段 70年代：通孔安裝器件、插入式器件 70年代器件的主流封裝形式為通孔器件和插入器件，以DIP(dual in line)和PGA(Pin grid array)為代表；器件分別通過波峰焊接和機(jī)械接觸實(shí)現(xiàn)器件的機(jī)械和電學(xué)連接。由于需要較高的對準(zhǔn)精度，因而組裝效率較低，同時器件的封裝密度也較低。
80年代：表面安裝器件 80年代出現(xiàn)了表面安裝技術(shù)，器件通過回流技術(shù)進(jìn)行焊接，由于回流焊接過程中焊錫熔化時的表面張力產(chǎn)生自對準(zhǔn)效應(yīng)，降低了對貼片精度的要求，同時回流焊接代替了波峰焊，也提高了組裝良品率。此階段的器件封裝類型緊PLCC(QFJ)和QFP為主，由于采用四面引腳，因而也很大強(qiáng)度上提高了封裝和組裝的密度。 90年代中前期：BGA 90年代隨著器件引腳和增加及對封裝、組裝亮度的要求，出現(xiàn)了球柵陣列式封裝BGA。典型的BGA以有機(jī)襯底（如BT）代替了傳統(tǒng)封裝內(nèi)的引線框架，且通過多層板布線技術(shù)實(shí)現(xiàn)焊點(diǎn)在器件下面的陣列平面分布，既減輕了引腳間距不斷下降在貼裝上面所遇到的阻力，同時又實(shí)現(xiàn)了封裝、組裝密度的大大增加，因而很快獲得了大面積的推廣且在產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用急劇增長。
90年代后期：倒裝焊接FC和芯片尺寸封裝CSP倒裝焊接技術(shù)在IBM公司在60年代引入，開始使用的是銅凸點(diǎn)，后發(fā)展為在芯片上制備高鉛焊料凸點(diǎn)再將芯片正面朝下直接貼在陶瓷襯底上，使用回流焊接實(shí)現(xiàn)多個焊點(diǎn)的一次性組裝。既大大提高了生產(chǎn)效率（當(dāng)時的金絲球焊機(jī)焊接速度較慢），同時由于引線電阻小，寄生電容小，因而獲得了優(yōu)異的性能特別是高頻性能。但由于價格和工藝復(fù)雜性等原因，該技術(shù)一直未獲得廣泛使用。由于芯片和有機(jī)襯底的熱膨脹系數(shù)差別很大，因而早期該技術(shù)僅僅用于陶瓷襯底。80年代IBM公司發(fā)明了底層填充技術(shù)，采用底層填充料充芯片和襯底之間的間隙，從而大大地增加了由芯片和襯底膨脹系數(shù)失配所產(chǎn)生的熱疲勞焊點(diǎn)壽命，同時也使得低成本的倒裝焊接組裝技術(shù)成為可能。目前在計算機(jī)、通信等領(lǐng)域倒裝焊接技術(shù)已經(jīng)獲得了相當(dāng)程度的應(yīng)用，并且正呈高速增長趨勢。
倒裝焊接雖然具有優(yōu)勢的性能和近乎理想的封裝密度，但仍然存在一系列的問題長期未能獲得很好的解決，如芯片測試、老化、已知好芯片、返修等，應(yīng)而其應(yīng)用仍受到很大的限制；而與此同時另一技術(shù)CSP開始出現(xiàn)，并很快發(fā)展成為90年代以來最引人注目的封裝形式。該封裝形式估計很快成為封裝形式的主流并將在很長的一段時期內(nèi)點(diǎn)據(jù)統(tǒng)治地位。根據(jù)IPC定義，CSP為封裝面積不大于芯片面積150％的封裝形式，CSP已經(jīng)發(fā)展超出100種不同的形式，其中最典型的是micro-BGA,器件與PCB板的連接與BGA相同，為焊錫球陣列，而內(nèi)部芯片到BGA基板的連接既可以采用線焊技術(shù)，也可以采用倒裝焊接技術(shù)。由于CSP既具有一般封裝器件的易于操作、測試、返修等特點(diǎn)，同時又在一定程度上具有倒裝焊接器件的高密度和優(yōu)異高頻性能等特點(diǎn)，因而成為BGA和倒裝焊接之間的最好中間產(chǎn)品，預(yù)期在很大的一段時間內(nèi)將成為器件封裝形式的主流。
90年代后期，電子封裝進(jìn)入超高速發(fā)展時期，新的封裝形式不斷涌現(xiàn)并獲得應(yīng)用，除倒裝焊接和芯片尺寸封裝以外，出現(xiàn)了多種發(fā)展趨勢，封裝標(biāo)準(zhǔn)化工作已經(jīng)嚴(yán)重滯后，甚至連封裝領(lǐng)域名詞的統(tǒng)一都出現(xiàn)困難，以下對部分形式作一簡介： - - 多芯片封裝: 將多個芯片封裝在統(tǒng)一器件內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)更高的封裝密度 - - 三維迭層封裝: 芯片經(jīng)過減薄后沿Z方向疊起來封裝在同一個器件內(nèi)。芯片之間通過線焊或倒裝焊形式連接。該技術(shù)特別是在存儲器件中已經(jīng)獲得一定范圍的應(yīng)用。 - - 單封裝系統(tǒng)SIP: 如多芯片模塊MCM：將多個具有不同功能的芯片封裝在同一個器件內(nèi)，以形成一個完整的系統(tǒng)或子系統(tǒng)功能：微電子機(jī)械系統(tǒng)MEMS：將微電子器件和應(yīng)用微電子技術(shù)制備的如傳感器、執(zhí)行器等封裝在同一模塊中以形成系統(tǒng)功能；微光機(jī)電系統(tǒng)MEOMS)：除微子機(jī)械外，進(jìn)一步將光學(xué)系統(tǒng)集成進(jìn)來。 - - SOC：將整個系統(tǒng)的功能完全集成在同一個半導(dǎo)體芯片上。
隨著芯片封裝密度的不斷提高，被動元器件和基板逐漸成為阻礙密度和性能提高的壁壘，因而帶動了被動元器件如電阻、電容等的發(fā)展。其發(fā)展歷史及趨勢和主動元器件相仿，也經(jīng)歷了從通孔組裝到表面安裝到1維陣列并正向平面陣列方向發(fā)展。 隨著封裝、組裝的發(fā)展，晶片級、 芯片級、組裝級、系統(tǒng)級的界線已經(jīng)逐漸模糊。原來一些僅僅用于晶片級的技術(shù)已經(jīng)開始用于封裝和組裝級。 目前熱點(diǎn)和發(fā)展趨勢 在封裝、組裝業(yè)高速發(fā)展的背景下，以下幾點(diǎn)尤為引人注目 底層填料 無鉛焊接 導(dǎo)電膠 高密度基板 底層填料 底層填料原來僅僅用于較大芯片的倒裝焊接應(yīng)用，以增加焊點(diǎn)的熱疲勞壽命。現(xiàn)在已經(jīng)被大量應(yīng)用于CSP器件中，用以增強(qiáng)焊點(diǎn)抵抗機(jī)械應(yīng)力、振動、沖擊等能力。
底層填料主要分為流動型和無流動型。流動型通過毛細(xì)管現(xiàn)象將底層填料吸入芯片與基板之間的空隙之中，然后使用熱或光進(jìn)行固化。從材料角度要求其熱膨脹系數(shù)盡可能與焊錫材料相近,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高、揚(yáng)氏模量大、離子雜質(zhì)少、防潮性好、與芯片、鈍化層材料、基板材料、阻焊材料等有良好的粘合強(qiáng)度；從工藝角度來中看，要求填充速度快、具有充小空隙的能力、固化時間短，固化后無填料不均勻沉淀等。[!--empirenews.page--]
1996年，美國Georgia Institute of Technology 的C.P.Wong教授首先發(fā)表了他們的無流動型底層填料方面的結(jié)果。引起研究和產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注，度迅速成為熱點(diǎn)研究領(lǐng)域。該材料集助焊劑和底層填料功能與一身，在回流過程中焊接和固化過程一次完成（也可以在回流焊接后低于焊接錫熔點(diǎn)的溫度完成最終固化）。由于工藝過程比流動型的底層填料要簡單得多，因而可以大大降低生產(chǎn)成本并提高生效率。 無論是流動型還是無流動型的底層填料，一經(jīng)固化，器件一般無化返修，這一特性從某種程度上限制了底層填料在產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用。近年來在可返修底層填料方面已經(jīng)取得了很好的進(jìn)展，現(xiàn)已經(jīng)開發(fā)出在化學(xué)可返修、熱學(xué)可返修、熱塑型底層填料等樣品。預(yù)期相應(yīng)產(chǎn)品在短期內(nèi)會逐步走向市場。
無鉛焊料 由于PbSn共晶焊料中含有有害健康和環(huán)境的鉛元素，因而焊料的無鉛化一直是電子工業(yè)廣泛關(guān)注的一個問題。雖然禁鉛幾經(jīng)起落，但隨著環(huán)境保護(hù)意識的不斷增強(qiáng)及市場競爭的不斷的加劇，無鉛焊接正離我們越來越近。 - - 價格、性能：到目前為止，以有很多無鉛焊料體系得到了充分的研究，但從性能價格比方面仍然沒有任何材料可以和傳統(tǒng)錫鉛晶焊料相比。 - - 助焊劑：現(xiàn)有助焊劑種類很多，新的產(chǎn)品仍在不斷涌現(xiàn)，但幾乎所有體系皆是按照錫鉛共晶焊料設(shè)計并優(yōu)化的。新的焊料體系對助焊劑必定是提出新的要求。同時今后無鉛焊料很可能出現(xiàn)多種焊料體系共存的局面，這更加加大了助焊劑開發(fā)的難度。 - - 元器件、基板、焊接設(shè)備：目前的無鉛焊料體系一般都比共晶錫鉛材料的熔點(diǎn)高。由于現(xiàn)在絕大多數(shù)器件為塑料封裝器件，焊接溫度的提高對器件的抵抗熱應(yīng)力和防潮性能必定提出更高的要求；同時焊接設(shè)備也會產(chǎn)生一定影響。
導(dǎo)電膠 導(dǎo)電膠焊接由于具有一系列的優(yōu)點(diǎn)如成本低廉、焊接溫底低、不含鉛、可以實(shí)現(xiàn)很小的引腳間距等，因而近二十年一直頗受關(guān)注，并且導(dǎo)電膠焊料在某些領(lǐng)域已獲得了很好的運(yùn)用。在無鉛化方面，導(dǎo)電膠至少是共晶錫鉛的一個可能的替代方案。而在小引腳間距方面，對于錫鉛體系，如間距小于0.5毫米，對貼片機(jī)的精度要求就將明顯增高，而對更小的引腳間距，焊接的良品率可能明顯下降。雖然由于平面陣列式器件如BGA,CSP的出現(xiàn)在一定程度上緩解了間距不斷變小在時間上的應(yīng)力，但在未來，器件的引腳間距仍肯定繼續(xù)朝著不斷減小的方向發(fā)展，因而在未來，導(dǎo)電膠任將是錫鉛焊接材料的一個強(qiáng)有力的競爭者。
高密度基板技術(shù) 隨著電子系統(tǒng)不斷向高密度、高速度方向發(fā)展，現(xiàn)有基板制備技術(shù)已經(jīng)無法滿足技術(shù)要求，高密度基板技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。高密度基板的典型要求如下： 線寬/線距， 75/75微米 焊盤尺寸， 150-200微米 微通孔尺寸，200微米 傳統(tǒng)基板制備技術(shù)顯然無法達(dá)到這樣的要求。在通孔方面，現(xiàn)已經(jīng)發(fā)展出激光鉆孔、光掩模腐蝕等通孔技術(shù)，且這三種技術(shù)都獲得了一定程度的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。
目前高密度基板技術(shù)在數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、通訊和計算機(jī)等領(lǐng)域已獲得了相當(dāng)程度的應(yīng)用，且應(yīng)用范圍正不斷擴(kuò)大。與此同時為進(jìn)一步提高系統(tǒng)的密度，將被動元器件集成于基板制造過程中的技術(shù)也已經(jīng)步入研究開發(fā)階段，在不久的將來有望一定的范圍內(nèi)獲得市場應(yīng)用。 總結(jié) 電子封裝、組裝的發(fā)展主要可以概括為高密度、高速度、和環(huán)保。在器件封裝方面，BGA,CSP和倒裝焊接技術(shù)將是未來10年內(nèi)的發(fā)展主流：基板方面，高密度基板的市場有率將穩(wěn)步提高：集成了被動元器件的高密度基板有望在某些領(lǐng)域進(jìn)入市場：在基板互連方面，無鉛焊接估計會很快進(jìn)入市場，但無鉛焊接和傳統(tǒng)共晶錫鉛焊料預(yù)計會在較長的時間內(nèi)處于共存狀態(tài)。
中國的封裝、組裝業(yè)正處于高速發(fā)展階段，且已經(jīng)初具規(guī)模，這一情況下，通過加強(qiáng)電子封裝、組裝領(lǐng)域的研究開發(fā)，增強(qiáng)研究、服務(wù)機(jī)構(gòu)和產(chǎn)業(yè)之間的交流和協(xié)作，必定可以極大地推動中國的封裝、組裝業(yè)的迅速發(fā)展，完成產(chǎn)業(yè)從量向質(zhì)的轉(zhuǎn)變。
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