臺積電(TSMC)董事會日前核準資本預算美金2億500萬元,將用以擴充該公司晶圓十二廠的45納米制程產能。臺積電預計于今年九月即可完成45納米制程驗證并開始為客戶進行量產,該制程結合了193納米浸潤式曝光顯影制程、應變硅晶(Siliconstrains)以及超低介電系數(shù)(Extremelow-kdielectric,ELK)組件連接材料等優(yōu)勢。
臺積電計劃先推出45納米低耗電量(LP)制程,之后再推出泛用型(Generalpurpose)及高效能(Highperformance,GS)制程。此外45納米邏輯制程也提供低耗電量三閘級氧化層(Triplegateoxide,LPG)的制程選擇。此三種制程皆提供多種不同運作電壓以及1.8伏、2.5伏或3.3伏的輸入/輸出電壓以滿足不同產品的需求。臺積電并同時宣布推出45納米制程設計生態(tài)環(huán)境。