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Sematech將使用X射線開發(fā)新型半導(dǎo)體材料

時(shí)間：2007-03-21 09:40:34
關(guān)鍵字： X射線    半導(dǎo)體材料    TE    SE   
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[導(dǎo)讀] 據(jù)EETimes網(wǎng)站報(bào)道，英國(guó)X射線計(jì)量系統(tǒng)供應(yīng)商BedeX-rayMetrology日前表示，Sematech將使用其X-ray計(jì)量系統(tǒng)評(píng)估45nm及以后制程節(jié)電的新型半導(dǎo)體材料，從而加速Bede的X-ray技術(shù)的上商用化。 據(jù)悉，Bede的X-ray

   據(jù)EETimes網(wǎng)站報(bào)道，英國(guó)X射線計(jì)量系統(tǒng)供應(yīng)商BedeX-rayMetrology日前表示，Sematech將使用其X-ray計(jì)量系統(tǒng)評(píng)估45nm及以后制程節(jié)電的新型半導(dǎo)體材料，從而加速Bede的X-ray技術(shù)的上商用化。


    據(jù)悉，Bede的X-ray計(jì)量系統(tǒng)將被Sematech的研究人員用于包括SiGe、金屬柵極和high-k電介質(zhì)在內(nèi)的前沿前段材料的研發(fā)。具體而言，上述系統(tǒng)將用于幫助研發(fā)人員研究high-k電介質(zhì)和金屬電極中存在的晶相和結(jié)晶度，以及SiGe薄膜中應(yīng)力的測(cè)定。

    Sematech公司的高級(jí)研究員AlainDiebold在一份聲明中表示，high-k材料的晶向和結(jié)晶度會(huì)影響器件的電氣特性，使用XRD（X射線衍射分析儀）可以幫助研究人員調(diào)整工藝，加速high-k電介質(zhì)的開發(fā)。當(dāng)前XRD是測(cè)量SiGe中的應(yīng)力和成分的先進(jìn)技術(shù)。

來(lái)源：半導(dǎo)體國(guó)際

作者：tee

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