由于沒有統(tǒng)一的通用容量或性能要求，系統(tǒng)設計師們致力于設計價格昂貴的多芯片封裝存儲器件。市場研究公司Semico Research分析師Bob Merritt說：“這說明目前我們已經(jīng)研發(fā)出來的存儲技術(shù)是不夠的?！?
市場調(diào)研機構(gòu)iSuppli存儲器件分析師Mark DeVoss預測，2019年存儲器件市場規(guī)模將達760億美元，對任何能夠融合最好的多類型存儲的存儲芯片技術(shù)來說，這都是一個無法抵制的誘惑。
但是，包括那些致力于研究可替代性存儲技術(shù)的很多業(yè)界專家都在懷疑，真正的通用存儲技術(shù)究竟會不會發(fā)展起來？
“我還沒有真正看到通用存儲技術(shù)像其他事物一樣隨時都會出現(xiàn)，”就職于Intel相位轉(zhuǎn)換存儲（PCM）部門的Greg Atwood說。
實際上，很多理想的通用存儲芯片的性能都是互不兼容的。像SRAM之類的快速存儲芯片需要相當?shù)偷碾娫撮T限來改變存儲數(shù)據(jù)的每個位，但是對于長期數(shù)據(jù)存儲來說，電源門限越高越好。因此，將快速操作和長期數(shù)據(jù)存儲集成起來確非易事。
主要的擁有競爭力的技術(shù)包括PCM、FRAM和MRAM。同時，Nantero公司正在研發(fā)使用碳納米管存儲數(shù)據(jù)的技術(shù)。但是，實際上這些技術(shù)中只有FARM是唯一一個已經(jīng)走向市場的技術(shù)。Ramtron International每年售出價值約3,000萬美元的FRAM芯片，而Fujitsu（富士通）作為Ramtron芯片的開創(chuàng)者，并沒有透露其銷售情況。
FRAM不可能同時在存儲密度和價格上取得優(yōu)勢。最新的FRAM芯片僅有256Kb的存儲容量，而閃存已經(jīng)達到8Gb的存儲容量。
PCM對于尺寸非常小的存儲芯片來說頗具發(fā)展?jié)摿?，它在成本上更有?yōu)勢，也是Hynix、英飛凌、英特爾、三星、ST以及其他一些廠商的研究方向。相對來說，PCM的功耗相當高，而且，由于它對溫度的敏感性，還可能存在加工上的問題。
對于MRAM，飛思卡爾半導體兩年前就已經(jīng)針對它開始4Mb芯片的用戶樣品開發(fā)，2006年計劃開始商業(yè)產(chǎn)品的供應。
飛思卡爾MRAM技術(shù)總監(jiān)Saied Tehrani認為，從存儲速度和耐用性方面考慮，MRAM是各種存儲技術(shù)候選方案中最好的選項。但是它并不指望MARM會是“實際上可以替代我們今天所用的一切存儲技術(shù)的存儲器件”。
Nantero公司首席執(zhí)行官Greg Schmergel認為納米管存儲技術(shù)是“一種在原理上沒有物理限制的技術(shù)”，它最終能夠成為通用型的存儲技術(shù)。但是也和其他技術(shù)一樣，這種技術(shù)離市場的驗證還相差甚遠。并且，研究還在繼續(xù)，研究的過程也帶給我們這種可能性：即在將來某一天，一個真正通用的存儲芯片會真真切切地出現(xiàn)。
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