三星要做首家批量生產(chǎn)80納米DDR2存儲(chǔ)器廠商

      美國(guó)東部時(shí)間3月13日（北京時(shí)間3月14日）消息：三星電子公司宣稱它將成為批量生產(chǎn)80納米制程的512Mb的DDR 2 DRam（動(dòng)態(tài)隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器）的第一家廠商。

三星電子公司說，公司依靠其80納米制程生產(chǎn)工藝可以將先前90納米制程的生產(chǎn)工藝的生產(chǎn)效率提高50％。

三星半導(dǎo)體公司DRam市場(chǎng)營(yíng)銷總裁Tom Trill說：“自從DDR 2于2004年首次面世以來，市場(chǎng)對(duì)于DDR 2的需求便一直很大，我們利用80納米制程生產(chǎn)工藝可以更有效地滿足今年DDR 2市場(chǎng)的需求增長(zhǎng)?！?

　三星電子公司稱，它可以從90納米制程生產(chǎn)工藝平穩(wěn)過渡到80納米制程的生產(chǎn)工藝上，因?yàn)樗褂玫脑S多基礎(chǔ)工藝并沒有很大改變，它只需對(duì)其產(chǎn)品生產(chǎn)線進(jìn)行一些升級(jí)即可。

三星電子公司的凹槽數(shù)組晶體管（RCAT）技術(shù)的發(fā)展推動(dòng)了其生產(chǎn)工藝向80納米制程的躍遷。 這種三維晶體管設(shè)計(jì)布局極大地提高了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中的關(guān)鍵性部件即刷新率。

凹槽數(shù)組晶體管技術(shù)也減少了存儲(chǔ)單元的截面積，增加了單位硅片上所能安裝的芯片個(gè)數(shù)，從而提高了工藝制程。

據(jù)Gartner公司預(yù)計(jì)，在2006年，DDR 2存儲(chǔ)器將占據(jù)整個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器市場(chǎng)50％以上的比例。