[導讀] 英飛凌董事長兼首席執(zhí)行官Wolfgang Ziebart日前確認，該公司不會興建90納米以下的產能，而是向“輕晶圓廠”(fab-lite)策略轉變。 Ziebart在接受《EE Times》電話采訪時公開表示懷疑會有多少公司將經營自己的6
英飛凌董事長兼首席執(zhí)行官Wolfgang Ziebart日前確認，該公司不會興建90納米以下的產能，而是向“輕晶圓廠”(fab-lite)策略轉變。
Ziebart在接受《EE Times》電話采訪時公開表示懷疑會有多少公司將經營自己的65納米、300毫米晶圓廠。Ziebart提到了英特爾和德州儀器，但他認為，即使還有其它公司擁有足夠的需求使其有理由投入40-50億美元的巨資興建65納米工廠，也將寥寥無幾。
Ziebart明確表示，英飛凌計劃繼續(xù)經營在德國、法國和馬來西亞的現(xiàn)有工廠，并稱預計這些工廠的技術還將使用“相當一段時間”。
此前，英飛凌宣布計劃擴大與新加坡特許半導體(Chartered Semiconductor)之間的芯片代工合作。雙方已簽訂65納米邏輯產品制造協(xié)議，這次合作是在IBM、英飛凌、特許和三星共同開發(fā)65納米技術項目的基礎上開展的。這四家公司在一同開發(fā)65納米和45納米工藝。
Ziebart還表示，英飛凌DRAM部門首次公開發(fā)行(IPO)的策略已經確定，計劃在明年年中左右進行。他否認了此前有關“英飛凌CEO稱DRAM部門未必上市，可能會與另一家公司合并(http://www.esmchina.com/ART_8800065380_617681.HTM)”的報導。
他承認，如果屆時市場條件或其它因素不適宜，可能導致其推遲上述IPO，或者考慮其它方案。
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