臺(tái)灣內(nèi)存廠商紛紛進(jìn)入NAND閃存市場(chǎng)

    面對(duì)蒸蒸日上的NAND型閃存市場(chǎng)，臺(tái)灣內(nèi)存制造商有些坐不住了，紛紛宣布要進(jìn)入該市場(chǎng)。臺(tái)灣DRAM制造商南亞（Nanya）、力晶科技（Powerchip）和茂德科技（ProMos）在過去已經(jīng)宣稱要進(jìn)入NAND型閃存市場(chǎng)，不過沒有見到什么實(shí)質(zhì)行動(dòng)。因?yàn)榕_(tái)灣本土廠商缺少NAND型閃存專利和技術(shù)，他們注定是該市場(chǎng)的后來者。

　　因而臺(tái)灣廠商會(huì)使用更安全的閃存代工策略。盡管沒有太多事前的聲張，不過目前至少有兩個(gè)臺(tái)灣廠家想通過這個(gè)途徑進(jìn)入市場(chǎng)。

　　今年早些時(shí)候，力晶科技獲得瑞薩科技的授權(quán)，銷售后者的NAND型閃存。瑞薩早就表示，這會(huì)為NAND型閃存市場(chǎng)帶來變數(shù)。不過更大的進(jìn)展來自內(nèi)存制造專家茂德科技，該公司宣稱已經(jīng)進(jìn)入“試產(chǎn)”階段，很可能是臺(tái)灣首款擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的NAND型閃存產(chǎn)品。

　　茂德科技的1GB閃存使用自己的設(shè)計(jì)，基于130納米工藝。根據(jù)Gartner Inc.的報(bào)道，該產(chǎn)品將在該公司位于新竹的8英寸芯片廠制造。當(dāng)然，技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后當(dāng)前的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，不過茂德科技已經(jīng)計(jì)劃加快其研發(fā)步伐以便早日趕上對(duì)手。

　　Gartner的分析師Ben Lee在一份報(bào)告中寫到：“茂德并沒有計(jì)劃在2007年上半年之前量產(chǎn)130納米NAND型閃存芯片。根據(jù)市場(chǎng)需要，茂德會(huì)發(fā)布在其12英寸晶圓廠用亞60納米工藝生產(chǎn)的容量超過16GB的芯片?！?

　　茂德科技的第二間12英寸晶圓廠去年正式投入生產(chǎn)。該公司表示第三間12英寸工廠已經(jīng)提上議事日程，Lee認(rèn)為極可能是作生產(chǎn)NAND型閃存之用。不過這間工廠最有可能是拿來生產(chǎn)DRAM。Lee表示，該公司計(jì)劃在2008年在該廠使用60納米技術(shù)生產(chǎn)基于其合作伙伴海力士半導(dǎo)體的DRAM產(chǎn)品。

　　另外一家DRAM制造商力晶最近宣布，它獲得瑞薩的授權(quán)協(xié)議。協(xié)議包括瑞薩的AD-AND型閃存的技術(shù)和銷售權(quán)。該協(xié)議同時(shí)授權(quán)力晶可以使用自用品牌出售AG-AND型閃存。

　　力晶也已經(jīng)在代工方面展開了行動(dòng)。今年1月份，該公司表示將會(huì)購買旺宏電子的一間12英寸晶圓廠，以便緩解高密度數(shù)據(jù)閃存不斷增長的需求。旺宏電子的該工廠沒有設(shè)備，不過是按月產(chǎn)3.5萬片晶圓設(shè)計(jì)的，售價(jià)為1.66億美元。作為協(xié)議的一部分，旺宏電子和力晶將會(huì)在將來的閃存開發(fā)上組成伙伴關(guān)系，包括那些在力晶用90納米技術(shù)代工的閃存。

　　DRAM制造商南亞在過去幾個(gè)月一直表示要進(jìn)入NAND型閃存市場(chǎng)。不過目前為止，該公司還沒有透露過它的計(jì)劃。

　　不過無論如何，臺(tái)灣制造商能否面對(duì)海力士、IM Flash、三星、東芝和其他NAND型生產(chǎn)廠家的競(jìng)爭(zhēng)仍是未知之?dāng)?shù)。不過，如果像DRAM一樣，臺(tái)灣廠家應(yīng)該可以爭(zhēng)得一席之地?；蛘?，考慮到目前NAND型閃存市場(chǎng)糟糕的價(jià)格趨勢(shì)，臺(tái)灣投機(jī)主義者們或者可以考慮適當(dāng)推遲進(jìn)入市場(chǎng)的日期。