新型閃存殺出 2012年閃存市場(chǎng)格局將大變

    根據(jù)市場(chǎng)研究公司W(wǎng)eb-Feet Research預(yù)測(cè)，到2012年電荷捕獲型(trapped charge)和相變(phase change)內(nèi)存會(huì)超過(guò)其他閃存，在全部565億美元內(nèi)存市場(chǎng)中占據(jù)30.7%的比例。

    電荷捕獲型內(nèi)存，主要是NROM，2006年占237億美元閃存市場(chǎng)份額的6.1%。但是隨著SONOS NAND型閃存的變種TANOS和BE-SONOS進(jìn)入NAND市場(chǎng)，預(yù)計(jì)這部分市場(chǎng)將大大增加。

    Web-Feet Research技術(shù)研究副總裁Gregory Wong表示，“當(dāng)浮柵閃存技術(shù)遭遇到40納米以下的挑戰(zhàn)時(shí)，電荷捕獲和相變技術(shù)可以延續(xù)NAND和NOR閃存?！备偶夹g(shù)中電荷儲(chǔ)存在多晶硅層，而在以SONOS為基礎(chǔ)的電荷捕獲技術(shù)中，電荷儲(chǔ)存在不導(dǎo)電的氮化物材料層之間。

    當(dāng)前，大多數(shù)電荷捕獲型內(nèi)存用于NOR閃存的代碼存儲(chǔ)，在2006年占全部NOR閃存市場(chǎng)的15.7%，預(yù)計(jì)到2012年將達(dá)到28.1%。

    NAND閃存市場(chǎng)中電荷捕獲型內(nèi)存預(yù)計(jì)變化更顯著，預(yù)計(jì)2012年將增加到30%的份額，而目前這個(gè)比例還不到1%。相變內(nèi)存預(yù)計(jì)到2012年將占據(jù)5.5%的NOR閃存市場(chǎng)。