后奇夢(mèng)達(dá)時(shí)代來(lái)臨 DRAM、SDRAM、Flash 3方得利
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奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)向德國(guó)政府申請(qǐng)破產(chǎn)后,全球?qū)⒔?0%的DRAM產(chǎn)能確定人間蒸發(fā),激勵(lì)農(nóng)歷春節(jié)假期后的開(kāi)工首日,DRAM品牌和eTT的顆粒價(jià)格即大漲25%,創(chuàng)下近年來(lái)最劇烈的單日漲幅,各家DRAM廠雖然不意外,但仍是掩不住笑意,認(rèn)為全球DRAM產(chǎn)業(yè)Bottom Fire機(jī)制終于有人出局!存儲(chǔ)器模塊廠也毫不遲疑地著手調(diào)漲DRAM合約價(jià),1GB容量的DDR2模塊價(jià)格大漲20%,而2GB模塊價(jià)格也調(diào)漲至21美元,大賺庫(kù)存利益,且?guī)?dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)走出最黑暗的谷底。
DRAM產(chǎn)業(yè)殊死戰(zhàn)打了將近1年之久,各界都在打賭,是臺(tái)灣的DRAM業(yè)者會(huì)先棄甲投降?還是德系業(yè)者會(huì)先被判出局?或是雙雙攜手走向夕陽(yáng)余暉?然2009年開(kāi)春不久,全球DRAM產(chǎn)業(yè)紛紛掀開(kāi)底牌,奇夢(mèng)達(dá)在上月底宣布破產(chǎn),以其全球市占率將近10%計(jì)算,等于全球?qū)p少10%之多的產(chǎn)能,對(duì)于全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)而言,是天大的好消息,全球DRAM產(chǎn)業(yè)宣布后奇夢(mèng)達(dá)時(shí)代來(lái)臨。
集邦科技報(bào)價(jià)指出,1Gb容量的品牌和eTT的DDR2顆粒分別上漲超過(guò)20%,價(jià)格站上1.08美元和1.2美元以上,原本態(tài)度觀望的合約價(jià)走勢(shì),在2月漲價(jià)的機(jī)率也相當(dāng)高,存儲(chǔ)器業(yè)者表示,全球DRAM一哥三星電子(Samsung Electronics)和二哥海力士(Hynix)終于等到奇夢(mèng)達(dá)出局,對(duì)于漲價(jià)的態(tài)度都躍躍欲試。
存儲(chǔ)器模塊廠指出,過(guò)去顆粒價(jià)格初期上漲時(shí),下游態(tài)度都會(huì)先觀望,但2日都毫不遲疑地著手調(diào)漲DRAM模塊的價(jià)格,調(diào)漲幅度都很貼近顆粒價(jià),超過(guò)20%,2GB模塊價(jià)格也調(diào)漲至21美元,各家模塊廠都悶了太久,迫不及待地大賺庫(kù)存漲價(jià)的利益,零時(shí)差調(diào)漲終端產(chǎn)品售價(jià)。
在利基型SDRAM存儲(chǔ)器方面,存儲(chǔ)器業(yè)者表示,奇夢(mèng)達(dá)在過(guò)去1年中,花很多心思再經(jīng)營(yíng)非標(biāo)準(zhǔn)型的SDRAM存儲(chǔ)器上,幾乎想以利基型產(chǎn)品在全球DRAM市場(chǎng)中殺出1條血路,如今奇夢(mèng)達(dá)宣布倒閉,對(duì)利基型產(chǎn)品也是好消息一則,包括三星電子、海力士、茂德、南亞科等,甚至是晶豪、鈺創(chuàng)SDRAM設(shè)計(jì)公司,都是大喜事。
存儲(chǔ)器業(yè)者透露,奇夢(mèng)達(dá)過(guò)去在經(jīng)營(yíng)利基型產(chǎn)品上,常不按牌理出牌的殺價(jià),有些產(chǎn)品即使已經(jīng)沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,奇夢(mèng)達(dá)也是照殺不誤,讓同業(yè)相當(dāng)困惑,未來(lái)奇夢(mèng)達(dá)退出利基型存儲(chǔ)器市場(chǎng)后,估計(jì)對(duì)市場(chǎng)秩序可大有幫助。
值得注意的是,NAND Flash價(jià)格也開(kāi)始雨露均沾,同步出現(xiàn)漲勢(shì),雖然漲幅不若DRAM顆粒般的兇猛,但模塊廠認(rèn)為,有了DRAM產(chǎn)業(yè)的教訓(xùn)后,NAND Flash大廠的擴(kuò)產(chǎn)多有節(jié)制,因此對(duì)于NAND Flash價(jià)格絕對(duì)有正面的挹注。
此外DRAM價(jià)格上漲后,存儲(chǔ)器大廠也不會(huì)有將產(chǎn)能轉(zhuǎn)到NAND Flash產(chǎn)品的壓力,因此倒了1家奇夢(mèng)達(dá),對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)是標(biāo)準(zhǔn)型、利基型、NAND Flash等3方得利。