ONFI發(fā)布新的NAND規(guī)范 創(chuàng)造新的速度紀(jì)錄
開放式NAND閃存接口(ONFI)工作組專門致力于簡(jiǎn)化NAND閃存與消費(fèi)電子設(shè)備、計(jì)算平臺(tái)及工業(yè)系統(tǒng)的集成。該組織今天發(fā)布了ONFI 2.1版技術(shù)規(guī)范。這個(gè)芯片級(jí)標(biāo)準(zhǔn)接口是最新的規(guī)范,延續(xù)了ONFI工作組此前發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn):ONFI 1.0和ONFI 2.0。與之前發(fā)布的版本一樣,ONFI 2.1版規(guī)范提出更簡(jiǎn)化的閃存控制器設(shè)計(jì),但是把性能水平提高到新的范圍層次——每秒166兆字節(jié)(MB/s)到200MB/s。展望未來(lái),ONFI工作組還宣布,已著手制訂更新的ONFI 3.0版規(guī)范,速度最高可達(dá)400MB/s。
如今,對(duì)于固態(tài)驅(qū)動(dòng)器等閃存型設(shè)備來(lái)說,更快的速度成為關(guān)鍵設(shè)計(jì)因素;在此背景下,尤其是在這些固態(tài)驅(qū)動(dòng)器所連接的接口采用Serial ATA 6 Gb/s、USB 3.0和第二代PCI Express標(biāo)準(zhǔn)能夠提供更快數(shù)據(jù)率的情況下,ONFI 2.1版規(guī)范響應(yīng)了市場(chǎng)對(duì)提高NAND整體性能的需求。
此外,新版技術(shù)規(guī)范認(rèn)識(shí)到,消費(fèi)者對(duì)上網(wǎng)本(netbook)等低成本消費(fèi)品的需求激增,而且市場(chǎng)要求應(yīng)用低成本、高性能的閃存為這些設(shè)備提供支持的需求也極為迫切,為此,ONFI 2.1在技術(shù)規(guī)范中新加入了Small Data Move命令。有了Small Data Move命令,過去為了在這些低成本內(nèi)存架構(gòu)實(shí)現(xiàn)良好的糾錯(cuò)功能所必需的昂貴且數(shù)量可觀的內(nèi)部存儲(chǔ)需求就不復(fù)存在了。ONFI 2.1版規(guī)范的其他特色及功能有:
• 兼容性。延續(xù)了ONFI一貫堅(jiān)持的向后兼容性,ONFI 2.1版標(biāo)準(zhǔn)與ONFI 2.0、ONFI 1.0以及老式NAND接口兼容。
• 交錯(cuò)讀取性能更優(yōu)。ONFI 2.1版規(guī)范新增對(duì)交錯(cuò)讀取的支持,能延展讀取的管道,尤其是在陣列時(shí)間可能更長(zhǎng)的多層單元(MLC)架構(gòu)中。
• 更完善的糾錯(cuò)碼通信功能。隨著NAND原始誤碼增多,使用的糾錯(cuò)碼數(shù)量也不斷增加。ONFI 2.1版規(guī)范支持NAND設(shè)備通過擴(kuò)展糾錯(cuò)碼信息同時(shí)傳送多組糾錯(cuò)碼參數(shù)。
• 更好的功率管理。ONFI 2.1版規(guī)范允許主機(jī)向NAND寫入數(shù)據(jù)時(shí)停止時(shí)鐘,這樣最高可節(jié)省數(shù)十毫瓦的電量。
• 新推出的Change Row Address命令。在多媒體卡(MMC)和SD卡應(yīng)用中,有一些命令支持主機(jī)無(wú)限期地寫入數(shù)據(jù)。主機(jī)停止寫入數(shù)據(jù)時(shí),可能位于“頁(yè)”(page)的中央,這樣會(huì)加重NAND的負(fù)擔(dān)。Change Row Address命令可更改“頁(yè)”寫入位置,以避免將不完整的“頁(yè)”寫入最后的位置,這樣可以減輕NAND的壓力。
恒憶公司(Numonyx)系統(tǒng)架構(gòu)經(jīng)理Mark Leinwander說,“ONFI為下一代嵌入式和消費(fèi)電子設(shè)備提供了強(qiáng)大的平臺(tái)。對(duì)于NAND閃存行業(yè)的發(fā)展來(lái)說,為內(nèi)存制訂系統(tǒng)級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)是非常關(guān)鍵的;能為此做出貢獻(xiàn),恒憶公司感到很自豪。ONFI 2.1版規(guī)范以O(shè)NFI 1.0版規(guī)范提供的標(biāo)準(zhǔn)化命令集和引腳定義為基礎(chǔ),有助于為下一代高速應(yīng)用奠定基礎(chǔ)?!?
索尼美國(guó)分公司美國(guó)地區(qū)企業(yè)技術(shù)總監(jiān)Peter Douma說,“NAND閃存在許多消費(fèi)電子設(shè)備的設(shè)計(jì)之中發(fā)揮關(guān)鍵作用。我們?yōu)镺NFI努力要達(dá)到的性能水平而備受鼓舞,200MB/s是非常了不起的成績(jī)?!?
過去六個(gè)月里,ONFI工作組與美國(guó)電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)( The Joint Electron Device Engineering Councils,JEDEC)進(jìn)行了富有成效的合作;這是一個(gè)側(cè)重于未來(lái)NAND標(biāo)準(zhǔn)化的聯(lián)合工作組的工作內(nèi)容之一。歡迎ONFI及JEDEC各成員參與上述工作。ONFI 2.1版規(guī)范已提交給上述聯(lián)合工作組,作為繼續(xù)合作的材料。