美日韓陣營鼎立 DRAM產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒有終點

2009年全球DRAM產(chǎn)業(yè)從全球前五強變成四強鼎立，歐系代表奇夢達(Qimonda)正式退出市場，也宣告溝槽式技術(shù)陣營的結(jié)束。展望2010年DRAM產(chǎn)業(yè)新頁，將會是美、日、韓陣營合寫歷史，但目前臺灣的DRAM版圖中，韓系已消失，未來臺灣分為美、日兩陣營來抵御三星電子(Samsung Electronics )的勢力坐大，惟產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒有終點，最后一名很容易跟隨奇夢達的命運，因此美光(Micron)和爾必達(Elpida)未來競爭會更為激烈，且臺灣將成為美、日兩陣營比劃武功的重要戰(zhàn)場。

DRAM產(chǎn)業(yè)在所有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的成本敏感度最高，永遠需要最先進的機器設(shè)備和最新的制程技術(shù)，才能存活。唯有比競爭對手領(lǐng)先一步轉(zhuǎn)進50納米或是40納米，才能讓成本進一步降低。

但左右DRAM成本高低的，其實并非只在技術(shù)層面，還包括生產(chǎn)基地的良窳，例如DRAM產(chǎn)業(yè)早已全面進入12吋廠時代，8吋廠不可能存活下來，而臺灣的低制造成本優(yōu)勢，更是DRAM產(chǎn)業(yè)滋養(yǎng)成長的溫床，未來臺DRAM廠料將延續(xù)此優(yōu)勢，在2010年全球DRAM市場中占有一席之地。

奇夢達注定淘汰命運

舉例來說，過去奇夢達就是在技術(shù)和生產(chǎn)基地上都出問題，注定了狼狽退出DRAM產(chǎn)業(yè)的命運。 2009年初奇夢達申請破產(chǎn)，當時正是臺灣農(nóng)歷春節(jié)連假的第1天，從此奇夢達就消失在全球DRAM產(chǎn)業(yè)版圖中，也代表歐洲在全球DRAM產(chǎn)業(yè)競爭的落敗，以及溝槽式技術(shù)的壽終正寢。

奇夢達過去和臺廠的淵源相當深厚，前身英飛凌(Infineon)是茂德的合作伙伴，雙方在2003年正式拆伙，之后與南亞科、華邦等臺廠合作，是溝槽式技術(shù)陣營的代表。 2006年溝槽式陣營的市占率最高達曾達23%，2007年已下滑至18%，市占率的下滑也使得設(shè)備商投入的研發(fā)資金要選邊站，溝槽式技術(shù)的設(shè)備商越來越少，設(shè)備越來越貴，加上0.11微米之后就沒有優(yōu)勢，因此奇夢達的技術(shù)開發(fā)成本的確越來越高。

奇夢達當然也知道技術(shù)瓶頸終于來臨，因此也自己研發(fā)出埋入式閘極字元線連結(jié)(Buried Wordline)技術(shù)，轉(zhuǎn)而研發(fā)堆疊式技術(shù)架構(gòu)，更宣布與爾必達技術(shù)合作開發(fā)4F2技術(shù)，將Buried Wordline技術(shù)提供給爾必達合作開發(fā)新技術(shù)，頗有化敵為友之意，但所有的努力卻在金融風(fēng)暴來臨后功虧一簣，技術(shù)雖好，但沒有錢代表連存活的技術(shù)都沒有，奇夢達最終宣布破產(chǎn)。
合作伙伴的倒戈，也是壓垮奇夢達的1根稻草。 2008年3月南亞科正式和奇夢達分道揚鑣，與過去從來不曾和他人分享技術(shù)的美光，簽下技術(shù)合作合約。由此可知，資金、技術(shù)雖是2010年以后DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要關(guān)鍵，但是策略聯(lián)盟的伙伴關(guān)系也將繼續(xù)具有不可替代的影響力。

臺DRAM廠攜手美、日抗韓

就以2009年退出臺灣DRAM市場的海力士(Hynix)來說，因臺灣政府主導(dǎo)的DRAM產(chǎn)業(yè)整合中，營造了聯(lián)合美、日一起抗韓的氣氛，鎖定三星電子為最大敵人，海力士身在韓營，因此黯然退出臺灣DRAM市場，原本的合作伙伴茂德則轉(zhuǎn)投爾必達懷抱。
不論臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合結(jié)果為何，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)終究是分為臺美、臺日兩線發(fā)展，對抗三星是共同的目標，這點其實和政府整合計畫的原意相仿。

但在共同面對三星這個巨大敵人的同時，2010年的美光和爾必達可能要先彼此爭相出頭，因為誰擠進了全球前3強(前2強為三星和海力士)的門票，就可以立于不敗之地，尤其不能當上最后1名，因為未來的DRAM市場競爭只會更嚴峻，不論是技術(shù)、產(chǎn)能、資金等規(guī)模，最后1名的業(yè)者隨時得面對被淘汰的危機。

資金匱乏　筑下50納米戰(zhàn)爭的天險

在技術(shù)制程上，美光和爾必達2009年都缺席于50納米大戰(zhàn)，主要原因是資金不足，沒有多余資金引進新的機器設(shè)備，但兩陣營這口氣當然咽不下去，隨著DRAM產(chǎn)業(yè)景氣快速復(fù)蘇，美光和爾必達2010年將重整士氣，前進50納米和40納米制程。
轉(zhuǎn)進50納米制程對于DRAM廠是重要的競爭分水嶺，因為導(dǎo)入50納米制程需要導(dǎo)入浸潤式微顯影(Immersion Scanner)機臺，1臺價格超過新臺幣10億元，但平均1臺只能做約1萬片產(chǎn)能，如果1座晶圓廠的規(guī)模是單月10萬片，就要購買10臺的Immersion Scanner設(shè)備，要花上100億元，由此可知，50納米制程世代比的絕對是口袋的深度。

美光的50納米制程在2009年初在美國麻州Virginia廠開始試產(chǎn)，2010年預(yù)計50納米制程也將進入量產(chǎn)，同陣營的南亞科和華亞科，2010年也是重兵放在50納米制程上，南亞科旗下3萬片的12吋廠產(chǎn)能，和華亞科旗下高達13萬片的12吋廠產(chǎn)能2010年都要全數(shù)轉(zhuǎn)進50納米。由此可知，2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)將是新制程的挑戰(zhàn)賽，比技術(shù)也比時間。

美光技術(shù)＋臺塑財力稱霸臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)

對南亞科和華亞科而言，因為在轉(zhuǎn)制程同時，等同是從溝槽式技術(shù)要轉(zhuǎn)換到堆疊式技術(shù)，部分機器設(shè)備、制程設(shè)計都要改變，相較其他同業(yè)，會走的比同業(yè)艱辛，但只要跨出這一步，未來40納米和30納米相對容易許多。為了確保制程和技術(shù)轉(zhuǎn)換順利，南亞科在2009年下半先導(dǎo)入68納米的美光溝槽式制程做練兵，確定溝槽式技術(shù)無慮后，再轉(zhuǎn)進50納米制程，華亞科則隨后加入。
南亞科和華亞科為了轉(zhuǎn)進50納米，也開始密集募資，南亞科辦理3次募資總共獲得462億元的資金，銀彈相當充沛。華亞科也不遑多讓，2009年8月辦理海外存托憑證募得102.52億元，這次現(xiàn)金增資預(yù)計可募得近150億元，合計兩次募資可獲得250億元；臺塑集團旗下DRAM廠搶錢的功力一流，更是羨煞眾多同業(yè)。

有了南亞科和華亞科的支援，美光本身也同時進行40納米制程的研發(fā)，由新加坡廠導(dǎo)入試產(chǎn)，未來到了40納米制程，由于Immersion Scanner機臺都可以共用，所需的費用就可以大大減少。由此推測，在美光精進的技術(shù)加上臺塑集團財力的奧援，2010年南亞科和華亞科的DRAM勢力頗有想像空間。

爾必達臥薪嘗膽2010年將一舉跨到40納米

臺灣另1個DRAM聯(lián)盟的帶頭者則是爾必達。 2009年的金融風(fēng)暴重傷DRAM產(chǎn)業(yè)，也使得爾必達一度面臨財務(wù)危機，是繼奇夢達之后，市場認為最有可能走向破產(chǎn)的DRAM陣營，也因此爾必達當時密切與臺灣政府合作，希望能獲得臺灣金援。此外，爾必達內(nèi)部也擬好兩套作戰(zhàn)計畫，以應(yīng)付當時的艱辛困局。

1個是利用現(xiàn)有65納米技術(shù)作微縮，研發(fā)出65納米XS版本，讓產(chǎn)能多出20%；另1個是決定舍棄50納米，且在2010年直接跳到40納米制程技術(shù)。爾必達內(nèi)部評估，如果公司2010年才轉(zhuǎn)到50納米制程，那么三星2010年的40納米早已量產(chǎn)出貨，整個技術(shù)斷層仍是存在，但如果能直接跳到40納米制程，屆時成本競爭力有機會與三星一較高下。

爾必達的40納米制程初期會由6F2制程技術(shù)切入，目前已宣布研發(fā)成功，到了40納米4F2制程階段，研發(fā)重心會由日本廣島移到臺灣，日前爾必達與瑞晶宣布成立研發(fā)中心，預(yù)計2009、2010兩年合計投資8,000萬美元，落實臺日雙方的生產(chǎn)及研發(fā)工作。

海力士黯然退出臺灣成為整合下最大苦主

此外，評斷2010年各家DRAM廠勢力變化的關(guān)鍵因素時，可不能遺忘海力士的存在。海力士在全球記憶體產(chǎn)業(yè)中，一直有獨特的生存之道，例如海力士對NAND Flash即投注相當大的財力與技術(shù)研發(fā)。過去海力士由于48納米制程不順，因此NAND Flash技術(shù)發(fā)展不順，再加上海力士很多NAND Flash產(chǎn)能都是在8吋廠生產(chǎn)，不具競爭力，因此將旗下8吋廠大量退役，這些因素都使得海力士的NAND Flash產(chǎn)能受到影響。

在此同時，競爭對手三星和東芝(Toshiba)在NAND Flash市場戰(zhàn)斗力十足，市占率持續(xù)擴大，都各自保持在30%，且原本市占率落后的美光和英特爾(Intel)的IM Flash陣營， 2009年憑借著34納米制程量產(chǎn)，是全球第1個跨入30納米世代的NAND Flash業(yè)者，對海力士形成極大威脅。

2009年下半美光在NAND Flash市場的市占率一度超越海力士，搶下全球3哥寶座，但目前海力士32納米制程已正式量產(chǎn)成功，目前也開始小量出貨，預(yù)計海力士可重拾產(chǎn)業(yè)競爭力，因此2010年各家NAND Flash市占的變化將精采可期。尤其最近持有海力士股權(quán)28%的債權(quán)銀行，打算出脫部分持股，日前也傳出阿拉伯聯(lián)合大公國有興趣投資部分海力士股權(quán)，此消息顯示海力士的產(chǎn)業(yè)競爭力備受肯定，2010年美光、爾必達等對手得多加把勁，才有機會超越海力士。

臺灣成美、日重要戰(zhàn)場

整體來看，南韓、美國、日本在DRAM產(chǎn)業(yè)的競爭賽，未來仍會如火如荼進行。走過金融風(fēng)暴的摧殘，DRAM價格也開始反彈，各廠開始賺錢，整裝待發(fā)進行下一輪比賽，臺灣DRAM業(yè)者的未來，也跟隨著國際大廠的勢力消長而不斷變動中。

未來臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展確定是臺美、臺日雙線出擊，最大敵人是三星，除了依賴母廠技術(shù)的優(yōu)劣外，最大的關(guān)鍵仍是資金，也因此市場格外看好美光和南亞科、華亞科陣營，認為有臺塑集團的支持，等于有龐大的銀庫做支援。

短期之內(nèi)，臺灣還是維持臺美、臺日兩陣營最有利，畢竟美、日都是全球第3、第4，在還沒有分出勝負前，倉促壓寶恐賠上臺灣累積數(shù)10年的DRAM產(chǎn)業(yè)根基。

爾必達在臺灣產(chǎn)能之爭上收獲豐富，未來40納米若能成功量產(chǎn)，全球競爭力不可小覷；美光有臺塑集團的財力加持，在資金競爭力上明顯勝出，在此美、日兩陣營的壯大下，臺灣成為DRAM重要的戰(zhàn)場，臺廠也應(yīng)該借著與國際大廠合作的機會，增加自己的競爭力、研發(fā)實力和價值，彼此才能并駕齊驅(qū)，達到挑戰(zhàn)三星的目標。