三星電子與東芝開始400Mbit秒高速NAND閃存接口規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)化活動

韓國三星電子（Samsung Electronics）與東芝宣布，開發(fā)出了面向NAND閃存的接口規(guī)格，并且已向JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會（Solid State Technology Association）提出了標(biāo)準(zhǔn)化方案。兩公司的目標(biāo)是2011年初實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化。接口規(guī)格的名稱為“Toggle DDR 2.0”，最大數(shù)據(jù)傳輸速度為400Mbit/秒。據(jù)兩公司介紹，這一速度相當(dāng)于目前廣泛普及的NAND閃存的10倍左右。

Toggle DDR 2.0是基于DDR（Double Data Rate）的接口技術(shù)。兩公司表示通過追加信號噪聲對策等功能，可實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸。另外，最大數(shù)據(jù)傳輸速度為133Mbit/秒的“Toggle DDR 1.0”也已開發(fā)完成。東芝目前正在開發(fā)采用Toggle DDR 1.0的NAND閃存。實用化時間未公布。