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[導(dǎo)讀]目前的 DRAM 市場充滿不確定的訊號(hào),有人認(rèn)為景氣高峰期已經(jīng)結(jié)束了,也有人認(rèn)為現(xiàn)在才正要開始,而且產(chǎn)品短缺的狀況將會(huì)在可見的未來徘徊不去。還有人說,景氣高峰期會(huì)持續(xù),但將因?yàn)閮?nèi)存廠商缺乏晶圓廠設(shè)備而受到限

目前的 DRAM 市場充滿不確定的訊號(hào),有人認(rèn)為景氣高峰期已經(jīng)結(jié)束了,也有人認(rèn)為現(xiàn)在才正要開始,而且產(chǎn)品短缺的狀況將會(huì)在可見的未來徘徊不去。

還有人說,景氣高峰期會(huì)持續(xù),但將因?yàn)?strong>內(nèi)存廠商缺乏晶圓廠設(shè)備而受到限制;據(jù)了解,ASML與Nikon等設(shè)備供貨商,無法應(yīng)付內(nèi)存廠客戶在先進(jìn)制程DRAM量產(chǎn)方面對(duì)193納米浸潤式微影掃描機(jī)(immersion lithography scanner)的需求。

由于DRAM制造商在近年來的景氣循環(huán)中,都無法投資新的資本設(shè)備,再加上一些其它因素,使得整體DRAM位成長率在2010年恐怕僅有低于預(yù)期的2~4%。為此市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli已將2010年DRAM市場成長率由49%調(diào)降為45%。

DRAM產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況與前景究竟如何?有些人對(duì)短期趨勢抱持悲觀態(tài)度;VLSI Research執(zhí)行長G. Dan Hutcheson即表示,目前有三分之二的晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃集中在內(nèi)存,而這個(gè)狀況又是由DRAM廠商所主導(dǎo)。

「在5月份時(shí),每個(gè)人都認(rèn)為廠商之間的整并將限制產(chǎn)能過度擴(kuò)充問題;但不到一個(gè)季的時(shí)間,眼前的景象已經(jīng)從無止盡缺貨轉(zhuǎn)換為過剩。」Hutcheson認(rèn)為。

但也有人不認(rèn)同以上意見;「我們認(rèn)為DRAM景氣還能好上一陣子,原因是企業(yè)換機(jī)周期(將持續(xù)數(shù)年、不只是數(shù)季)、以及DRAM景氣循環(huán)速度處于停滯狀態(tài)(供應(yīng)量成長狀況更可預(yù)期、平均銷售價(jià)格亦維持穩(wěn)定),與1980、90年代那時(shí)不同?!筊aymond James & Associates分析師Hans Mosesmann表示。

Mosesmann指出,DRAM廠商預(yù)期今年第三季位需求可較前一季成長13~15%,第四季的狀況也差不多;部份廠商甚至預(yù)測2011年將出現(xiàn)100%以上的位成長率。這不僅意味著整體位需求量的成長,也顯示了企業(yè)應(yīng)用端(服務(wù)器)轉(zhuǎn)換至英特爾(Intel) Nehalem處理器架構(gòu),也對(duì)DRAM有更多需求。

iSuppli的資深DRAM產(chǎn)業(yè)分析師Mike Howard則認(rèn)為,DRAM是對(duì)各種供需變化因素非常敏感的商品;預(yù)期在2010年,DRAM整體出貨將達(dá)1.59億Gbit約當(dāng)位量,較去年的1.07億成長48.6%。

「今年度大多數(shù)的DRAM需求量,預(yù)測將在下半年產(chǎn)生;第三與第四季的DRAM位成長率可望各達(dá)11%?!瓜噍^之下,第一與第二季的DRAM位成長率都遠(yuǎn)低于10%;因此Howard指出,集中在短短半年時(shí)間內(nèi)的大量需求,會(huì)是對(duì)DRAM供貨商生產(chǎn)力的嚴(yán)苛考驗(yàn)。

兩個(gè)負(fù)面因素

然而iSuppli指出,有兩個(gè)因素可能對(duì)下半年的DRAM市場產(chǎn)生負(fù)面影響;其一,是ASML目前無法為市場供應(yīng)足夠的193納米浸潤式微影掃描機(jī),Nikon也即將面臨相同窘境:「雖然ASML今年可望交出額外的33套浸潤式掃瞄設(shè)備,但這無法解決目前的供應(yīng)瓶頸?!?/p>

其二,沒有了193納米浸潤式掃描機(jī),DRAM制造商將在進(jìn)入50納米以下制程遭遇困難;包括三星(Samsung)、海力士(Hynix)與美光(Micron)都是因?yàn)槿〉昧?93納米浸潤式微影掃描機(jī)與其它設(shè)備,才能升級(jí)到50納米以下制程。

但iSuppli指出,對(duì)資源有限或是那些正在協(xié)議轉(zhuǎn)手的廠商來說,所伴隨而來的許多困難,也可能減少其總產(chǎn)出,并對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)在該制程節(jié)點(diǎn)的位成長率造成負(fù)面影響。例如正在從6x納米制程轉(zhuǎn)換至45納米制程的爾必達(dá)(Elpida),就可能是造成該公司良率問題的原因。

總之一個(gè)最大的問題就是:DRAM制造商能在多快的時(shí)間內(nèi)升級(jí)產(chǎn)品?Convergent Semiconductors分析師Bob Merritt的答案是:“就看他們何時(shí)能籌到足夠的資金來做這件事;但現(xiàn)在要升級(jí)制程的代價(jià)越來越高昂,這會(huì)變成一個(gè)難以往上爬的陡坡?!?/p>

就像NAND閃存產(chǎn)業(yè)的情況,DRAM廠商都希望能盡快添購193納米浸潤式微影;不過三星則積極在下一代DRAM生產(chǎn)上采用深紫外光微影(EUV),EUV設(shè)備的成本每套可能超過1億美元,浸潤式微影掃描機(jī)的價(jià)格則是5,000萬美元起跳。

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