DRAM產(chǎn)業(yè)的好日子能過多久？

還有人說，景氣高峰期會持續(xù)，但將因為內(nèi)存廠商缺乏晶圓廠設(shè)備而受到限制；據(jù)了解，ASML與Nikon等設(shè)備供貨商，無法應付內(nèi)存廠客戶在先進制程DRAM量產(chǎn)方面對193納米浸潤式微影掃描機(immersion lithography scanner)的需求。

由于DRAM制造商在近年來的景氣循環(huán)中，都無法投資新的資本設(shè)備，再加上一些其它因素，使得整體DRAM位成長率在2010年恐怕僅有低于預期的2~4%。為此市場研究機構(gòu)iSuppli已將2010年DRAM市場成長率由49%調(diào)降為45%。

DRAM產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況與前景究竟如何？有些人對短期趨勢抱持悲觀態(tài)度；VLSI Research執(zhí)行長G. Dan Hutcheson即表示，目前有三分之二的晶圓廠產(chǎn)能擴充計劃集中在內(nèi)存，而這個狀況又是由DRAM廠商所主導。

「在5月份時，每個人都認為廠商之間的整并將限制產(chǎn)能過度擴充問題；但不到一個季的時間，眼前的景象已經(jīng)從無止盡缺貨轉(zhuǎn)換為過剩。」Hutcheson認為。

但也有人不認同以上意見；「我們認為DRAM景氣還能好上一陣子，原因是企業(yè)換機周期(將持續(xù)數(shù)年、不只是數(shù)季)、以及DRAM景氣循環(huán)速度處于停滯狀態(tài)(供應量成長狀況更可預期、平均銷售價格亦維持穩(wěn)定)，與1980、90年代那時不同?！筊aymond James & Associates分析師Hans Mosesmann表示。

Mosesmann指出，DRAM廠商預期今年第三季位需求可較前一季成長13~15%，第四季的狀況也差不多；部份廠商甚至預測2011年將出現(xiàn)100%以上的位成長率。這不僅意味著整體位需求量的成長，也顯示了企業(yè)應用端(服務器)轉(zhuǎn)換至英特爾(Intel) Nehalem處理器架構(gòu)，也對DRAM有更多需求。

iSuppli的資深DRAM產(chǎn)業(yè)分析師Mike Howard則認為，DRAM是對各種供需變化因素非常敏感的商品；預期在2010年，DRAM整體出貨將達1.59億Gbit約當位量，較去年的1.07億成長48.6%。

「今年度大多數(shù)的DRAM需求量，預測將在下半年產(chǎn)生；第三與第四季的DRAM位成長率可望各達11%。」相較之下，第一與第二季的DRAM位成長率都遠低于10%；因此Howard指出，集中在短短半年時間內(nèi)的大量需求，會是對DRAM供貨商生產(chǎn)力的嚴苛考驗。

兩個負面因素

然而iSuppli指出，有兩個因素可能對下半年的DRAM市場產(chǎn)生負面影響；其一，是ASML目前無法為市場供應足夠的193納米浸潤式微影掃描機，Nikon也即將面臨相同窘境：「雖然ASML今年可望交出額外的33套浸潤式掃瞄設(shè)備，但這無法解決目前的供應瓶頸?！?/p>

其二，沒有了193納米浸潤式掃描機，DRAM制造商將在進入50納米以下制程遭遇困難；包括三星(Samsung)、海力士(Hynix)與美光(Micron)都是因為取得了193納米浸潤式微影掃描機與其它設(shè)備，才能升級到50納米以下制程。

但iSuppli指出，對資源有限或是那些正在協(xié)議轉(zhuǎn)手的廠商來說，所伴隨而來的許多困難，也可能減少其總產(chǎn)出，并對整個產(chǎn)業(yè)在該制程節(jié)點的位成長率造成負面影響。例如正在從6x納米制程轉(zhuǎn)換至45納米制程的爾必達(Elpida)，就可能是造成該公司良率問題的原因。

總之一個最大的問題就是：DRAM制造商能在多快的時間內(nèi)升級產(chǎn)品？Convergent Semiconductors分析師Bob Merritt的答案是：“就看他們何時能籌到足夠的資金來做這件事；但現(xiàn)在要升級制程的代價越來越高昂，這會變成一個難以往上爬的陡坡?！?/p>

就像NAND閃存產(chǎn)業(yè)的情況，DRAM廠商都希望能盡快添購193納米浸潤式微影；不過三星則積極在下一代DRAM生產(chǎn)上采用深紫外光微影(EUV)，EUV設(shè)備的成本每套可能超過1億美元，浸潤式微影掃描機的價格則是5,000萬美元起跳。