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[導(dǎo)讀]南朝鮮軍事緊張關(guān)系對(duì)于DRAM報(bào)價(jià)激勵(lì)未產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性的幫助,市場(chǎng)還是回到供需面看待DRAM市場(chǎng)未來(lái)的前景;在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年,但個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)需求卻旺季不旺下,DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)都呈現(xiàn)加速趕底之姿,

南朝鮮軍事緊張關(guān)系對(duì)于DRAM報(bào)價(jià)激勵(lì)未產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性的幫助,市場(chǎng)還是回到供需面看待DRAM市場(chǎng)未來(lái)的前景;在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年,但個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)需求卻旺季不旺下,DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)都呈現(xiàn)加速趕底之姿,預(yù)期2010年底前DDR3合約價(jià)將下跌至20美元水平,隨著爾必達(dá)(Elpida)、力晶陸續(xù)減產(chǎn),以及三星電子(Samsung Electronics)的新廠Fab16進(jìn)度將隨景氣調(diào)整,預(yù)計(jì)2011年下半DRAM市場(chǎng)可望走向供需平衡。

DRAM廠表示,戴爾(Dell)、惠普(HP)財(cái)報(bào)都交出不錯(cuò)成績(jī)單,筆記型計(jì)算機(jī)(NB)銷售量也不差,但DRAM價(jià)格仍是持續(xù)滑落,主要問(wèn)題出在供給端,加上目前計(jì)算機(jī)大廠內(nèi)建的DRAM搭載率還未提升至4GB容量,以致于源源不絕出籠的DRAM產(chǎn)出未能達(dá)到有效的消化。

2010年DRAM廠的產(chǎn)出都大幅集中于下半年,臺(tái)系方面有華亞科13萬(wàn)片的50納米產(chǎn)能大量出籠,挹注母公司南亞科和美光(Micron);南亞科本身的12寸晶圓廠也持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)中,都使得產(chǎn)出持續(xù)增加,同時(shí)也有助于2Gb芯片取代1Gb芯片的趨勢(shì)。

再者,三星的浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)移入的時(shí)間點(diǎn)最早,因此40納米制程的產(chǎn)出在第3季大幅增加,同時(shí)年底前35納米產(chǎn)出也將開(kāi)始出貨,都使得全球DRAM產(chǎn)出大幅成長(zhǎng)。

展望2011年,集邦科技預(yù)估2011年DRAM全年產(chǎn)出成長(zhǎng)率可達(dá)50%,其中三星的35納米制程轉(zhuǎn)換率在2011年下半年將超過(guò)50%,海力士(Hynix)、美光和爾必達(dá)均預(yù)計(jì)2011年第2季末量產(chǎn)30納米技術(shù)。

在臺(tái)系DRAM廠方面,2011年各陣營(yíng)也都會(huì)陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程,爾必達(dá)陣營(yíng)中的力晶和瑞晶將轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程,其中瑞晶因?yàn)榻?rùn)式微米曝光機(jī)臺(tái)到位速度較快,年底前目標(biāo)是50%產(chǎn)能將轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程,屆時(shí)2Gb容量DDR3成本可望降低至1.5美元。

美光陣營(yíng)中的南亞科和華亞科則將快速導(dǎo)入42納米制程,隨著50納米制程量產(chǎn),公司預(yù)期42納米制程的進(jìn)入門檻較低,可進(jìn)一步驅(qū)動(dòng)成本快速下降。

以2010年價(jià)格走勢(shì)來(lái)看,上半年2GB DDR3合約價(jià)高點(diǎn)為46.5美元,9月上旬則跌破40美元關(guān)卡,10月下旬再度跌破30美元關(guān)卡,11月上旬出爐的合約價(jià)約24~25美元,預(yù)計(jì)年底將下看至20美元。

在需求端方面,集邦預(yù)估2011年P(guān)C的銷售成長(zhǎng)將達(dá)11.8%,加上智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)普及,將刺激Mobile RAM需求成長(zhǎng)超過(guò)80%,而2011年桌上型計(jì)算機(jī)(DT)以及筆記型計(jì)算機(jī)(NB)的內(nèi)建存儲(chǔ)器搭載率將分別成長(zhǎng)至4.22GB和4GB,估計(jì)年增率分別為36%和31%。

日前南朝鮮軍事緊張沖突升溫,DRAM市場(chǎng)對(duì)于此事件的反應(yīng)較冷靜,雖然認(rèn)為三星或海力士在韓國(guó)的晶圓廠若遭到波及,臺(tái)系DRAM廠可能或接獲轉(zhuǎn)單,但業(yè)者都認(rèn)為要看雙方后續(xù)發(fā)展而定,如果只是單純喊話,軍事沖突沒(méi)有進(jìn)一步擴(kuò)大,全球DRAM報(bào)價(jià)的走勢(shì)還是要回歸正常市場(chǎng)供需來(lái)看待。

爾必達(dá)宣布減產(chǎn)后,力晶也跟進(jìn)減產(chǎn)且增加非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能的投片,三星2011年宣布新建的Fab16新廠進(jìn)度將隨景氣的狀況而做調(diào)整,在供給端逐漸改善下,若甫以需求端計(jì)算機(jī)大廠將存儲(chǔ)器搭載率提升至4GB以上,2011年下半的DRAM產(chǎn)業(yè)可望供需平衡。

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