全球DRAM產(chǎn)業(yè)第一季營收83億美元小跌4%
根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,全球DRAM產(chǎn)業(yè)第一季營收數(shù)字83億美元,雖然DRAM合約均價較上季下跌30%,但受惠于第一季DRAM顆??偖a(chǎn)出量較前一季約成長15%,以及各DRAM廠逐步降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM比例轉(zhuǎn)為附加價值高的行動式記憶體及繪圖式記憶體等產(chǎn)品,總括第一季DRAM廠總營收較去年第四季86億美元小幅衰退4%左右。
從市場面來觀察,由于DRAM廠在先進制程產(chǎn)能不斷開出下,第一季位元成長率較上季成長約15%,但PC市場銷售不如預(yù)期下,與上季相比呈現(xiàn)近7%的衰退,加上PC平均記憶體搭載量沒有顯著成長下,DRAM市場供過于求下,第一季DDR32GB合約均價為16.7美元,較上季23.9美元跌幅達30%,而現(xiàn)貨市場方面DDR31Gb1333MHz顆粒均價亦較上季下跌26.7%至1.1美元價位。 即使DRAM價格在第一季仍呈現(xiàn)下跌的價格走勢,美系及韓系DRAM廠商仍繳出獲利的財務(wù)報告,臺灣DRAM廠僅有華邦可維持獲利,但其余仍處于虧損的狀態(tài),加上受到地震影響,整體市場消費信心不足,DRAM廠亦對今年資本支出轉(zhuǎn)趨保守。 2011年的DRAM資本支出下降36%,由去年的117.6億美元降至75億美元,但DRAM廠仍未停止制程的研發(fā)腳步,韓美日DRAM廠商預(yù)計今年將30nm制程邁入主流規(guī)格,臺系DRAM廠亦加速40nm制程轉(zhuǎn)換,加上各廠商積極的調(diào)整產(chǎn)品組合,加重行動式記憶體及伺服器用記憶體比重,調(diào)降標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)出,尋求未來轉(zhuǎn)型的契機。 從全球DRAM廠自有品牌記憶體營收排名來分析,韓系廠商三星(Samsugn)與海力士(Hynix)營收仍穩(wěn)坐全球DRAM廠前兩位,三星本季營收下降6.1%,三星DRAM市占率仍維持與上季相同約40%左右,由于制程轉(zhuǎn)進速度優(yōu)于其他廠商,35nm制程產(chǎn)出逐步拉高,預(yù)計年底35nm制程的占整體產(chǎn)出量可以超過50%,市占率有望進一步提升。 海力士本季營收與上季相較微幅上升0.3%,市占率由上季21.9%上升至22.9%,其主因由于海力士積極降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM比重,提升行動式記憶體及繪圖式記憶體產(chǎn)出比例,即使第一季DRAM呈現(xiàn)價格下滑的趨勢,海力士DRAM營收仍保持微幅的成長。 日系廠商爾必達(Elpida)方面亦受到DRAM價格下滑影響,第一季營收與上季相比下降約5.1%,市占率由13.6%下降至13.5%,日前力晶已正式宣布未來產(chǎn)出的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM將全數(shù)交由爾必達銷售,預(yù)計第二季末將對爾必達營收挹注有所貢獻。 在產(chǎn)品規(guī)劃上,爾必達日本廣島廠將專注行動式記憶體與代工方面業(yè)務(wù),并將標(biāo)準(zhǔn)型DRAM轉(zhuǎn)交瑞晶與力晶負責(zé)。而子公司瑞晶方面,目前38nm制程試產(chǎn)良率狀況良好,可望第二季末導(dǎo)入量產(chǎn)并大幅提升成本競爭力。 美光(Micron)方面,受到DRAM價格影響,雖然DRAM位元產(chǎn)出本季增加約23%,DRAM營收仍較上季下跌8.5%,但市占率小幅下滑至11.4%。 臺系廠方面,由于DRAM市場市況不佳,南科第一季營收下滑約3.8%,但本季市占率維持相同4.2%,由于南科在42nm制程持續(xù)轉(zhuǎn)進下與代工廠華亞科產(chǎn)出量增加下,位元銷售量相較于上季成長20%。 力晶則是受惠于浸潤式機臺正式加入量產(chǎn)行列,45nm制程產(chǎn)出增加下,營收增加8.3%,算是第一季少數(shù)DRAM廠營收成長的廠商,未來力晶將轉(zhuǎn)型為專業(yè)代工廠并淡出自有品牌銷售,并加重行動型記憶體、快閃記憶體及代工業(yè)務(wù)營收,獲利能力可望穩(wěn)定提升。 華邦營收較去年第四季下滑2.7%,由于華邦近期專注于行動式記憶體、利基型記憶體及NORFlash等毛利較高產(chǎn)品線,獲利表現(xiàn)仍可抱持審慎樂觀的態(tài)度。 以各國市占率版圖來分析,韓系廠商合計市占率高達64.1%,美系以及臺系DRAM廠方面,市占率各為11.7%及10.5%,而日系廠商市占率下滑至13.7%。
全球DRAM廠自有品牌記憶體營收排名