從晶圓代工轉(zhuǎn)回IDM，有可能嗎？

最近，《EETimes》記者RickMerritt在采訪英特爾高層MarkBohr的一篇報(bào)導(dǎo)中寫道：“MarkBohr認(rèn)為，無(wú)晶圓廠經(jīng)營(yíng)模式已經(jīng)快不行了。”

這篇報(bào)導(dǎo)引起了廣大回響，因?yàn)閮?nèi)容暗示了英特爾將重回智慧手機(jī)市場(chǎng)，并對(duì)目前由臺(tái)積電(TSMC)-ARM和多家無(wú)晶圓公司組成的生態(tài)系統(tǒng)發(fā)出了質(zhì)疑。

另外，最近還有兩篇相關(guān)的部落格文章《IsNVIDIAinaPanic?Ifso,whataboutAMD?Otherfablesscompanies?》，《WhySamsungwillgiveMorrisChangsleeplessnights》，也對(duì)相關(guān)議題進(jìn)行了討論。(編按：這兩篇文章并未翻成中文，請(qǐng)有興趣的讀者點(diǎn)選連結(jié)參考)

事實(shí)上，近期業(yè)界一再出現(xiàn)有關(guān)晶圓代工產(chǎn)業(yè)的重大消息，包括高通(Qualcomm)與臺(tái)積電之間的產(chǎn)能問(wèn)題；蘋果(Apple)并未將訂單從三星(Samsung)釋出給臺(tái)積電；還有超微(AMD)由于與GlobalFoundries之間的合作出現(xiàn)問(wèn)題而打算將制造業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)移給臺(tái)積等；另外，還有許多報(bào)導(dǎo)都提到了一些聲明，像是“Nvidia對(duì)臺(tái)積電深感不滿，還聲稱其20nm制程是毫無(wú)價(jià)值的”，另外，在《EETimes》的論壇中，針對(duì)《RequiredchangeinEDAvendors"roleandrewardvs.scalingyield》一文，我們也看到了業(yè)界人士討論著一個(gè)無(wú)可避免的問(wèn)題：我們是否正面臨著從晶圓代工朝向IDM模式的戲劇化逆轉(zhuǎn)？

看來(lái)，這段時(shí)間以來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在微縮技術(shù)方面的進(jìn)展，似乎為新一代整合產(chǎn)品提供了更多優(yōu)勢(shì)，包括在設(shè)計(jì)、EDA工具和制造之間的權(quán)衡，進(jìn)而提供更好的終端產(chǎn)品。這些整合的優(yōu)勢(shì)均呈現(xiàn)在良率方面，目前，所有損害良率的主因大多與設(shè)計(jì)相關(guān)，而非隨機(jī)的缺陷問(wèn)題，以及先進(jìn)制程中某些層需要雙重甚至三重/四重圖案的制造成本等因素所致。

因此，這或許能解釋為何臺(tái)積電和GlobalFoundries都宣布投資3DIC生產(chǎn)線。(參考：臺(tái)積電調(diào)高資本支出加速20nm制程；GlobalFoundries開始安裝20nmTSV設(shè)備)

我們很高興看到3DIC成為市場(chǎng)關(guān)注焦點(diǎn)，我們也相信，3D晶片制造能力將在未來(lái)進(jìn)一步協(xié)助代工廠擴(kuò)展其影響力。藉由3DIC技術(shù)，只要簡(jiǎn)單地增加層數(shù)，或許2就能簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)摩爾定律(Morre"sLaw)每隔十八個(gè)月便增加一倍電晶體數(shù)量的目標(biāo)。3DIC將提供更強(qiáng)大的晶片、更快的速度，以及更好的成本效益。

今天，從IDM到代工廠都已經(jīng)體認(rèn)到3DIC的發(fā)展?jié)摿?，而且不斷力大投資力度。所有的努力都正在加速3D晶片的發(fā)展，并因而為晶片產(chǎn)業(yè)開啟新的發(fā)展前景。然而，要說(shuō)今天的晶片業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)，是否會(huì)撼動(dòng)這個(gè)長(zhǎng)久以來(lái)推動(dòng)該產(chǎn)業(yè)發(fā)展的晶圓代工業(yè)務(wù)模式，事實(shí)上都還言之過(guò)早。

晶圓代工廠為許多無(wú)晶圓廠客戶提供服務(wù)，而這種產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，正是推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)成長(zhǎng)至今天規(guī)模的最主要?jiǎng)恿χ?。今天，在跨越?DIC時(shí)，整個(gè)晶片產(chǎn)業(yè)都面對(duì)著巨大挑戰(zhàn)，這是從基本電晶體結(jié)構(gòu)到制造及封裝在內(nèi)，每一個(gè)環(huán)節(jié)都要共同面對(duì)的難題。隨著3D晶片技術(shù)的進(jìn)展，這些技術(shù)難關(guān)看來(lái)也可望獲得解決。

無(wú)論是IDM或代工廠，都致力于投入從次20nm平面到1x-nm3D制程的技術(shù)研發(fā)，這些研發(fā)投入，將會(huì)是未來(lái)幾年內(nèi)推動(dòng)整個(gè)晶片產(chǎn)業(yè)再向前邁進(jìn)的動(dòng)力。

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