韓DRAM廠商加快向20nm工藝的產能轉移速度

據業(yè)內消息人士透露，三星與海力士兩家DRAM芯片廠商都已表示將加快向20nm制造工藝的產能轉移速度。

預計到2013年時，采用20nm工藝制造的DRAM芯片將會成為這倆家廠商的主要產品，同時市場中的30nm工藝DRAM芯片將逐漸退居二線。

另外，消息還稱未來三星和海力士會把業(yè)務重點從目前已經供大于求的PC DRAM市場轉移至更具發(fā)展?jié)摿Φ囊苿釉O備及服務器市場，并且將率先為后者推出容量為4GB的20nm工藝DRAM芯片產品。

與此同時，美光科技、南亞科技以及華亞科技也表示會在完成向30nm工藝過渡的同時，進一步加大在移動DRAM和服務器內存芯片市場中的投入力度。

其中，臺灣華亞科技預計能夠在2013年中期完成向30nm工藝的過渡，屆時其將具有月產40000塊12英寸晶圓的能力。