新存儲技術(shù)能使機(jī)械硬盤容量提升5倍

德克薩斯大學(xué)的一個研究團(tuán)隊正致力于開發(fā)一項新奇的存儲技術(shù)，可避免目前數(shù)據(jù)存儲技術(shù)的某些局限，將硬盤驅(qū)動器帶向高密度、低成本及更佳可靠性的道路。或許回來我們使用的硬盤數(shù)據(jù)存儲密度會有質(zhì)的飛躍。

自打硬盤驅(qū)動器自20世紀(jì)50年代首度引進(jìn)計算機(jī)之后，存儲空間的密度就有了9倍數(shù)量級的增長，這和集成電路在性能方面的提升比起來簡直速度太慢了。如果按照現(xiàn)如今的技術(shù)和價格趨勢持續(xù)下去，10年以后，我們會在市場上看到2.5'的40TB容量硬盤，售價大概會是40美元(約合人民幣250元)上下。

不過通往低成本數(shù)據(jù)存儲的道路并不是完全暢通無阻的。對于硬盤驅(qū)動器來說，字節(jié)是存儲在單獨的金屬表面磁點上的，這些磁點靠得越近，那么就表示存儲密度越高。這樣的話，我們可以在1平方英寸的金屬表面上鋪滿1萬億個磁點(128GB的數(shù)據(jù))。如果想讓磁點靠得更近，點與點之間就會開始出現(xiàn)磁場干擾，導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。

德克薩斯大學(xué)的研究者對此問題有了他們自己的解決方法：他們能夠造出納米級別的自裝點，足以解決傳統(tǒng)設(shè)計上的局限。存儲密度在達(dá)到全新的高度以后，大容量硬盤的成本及穩(wěn)定性自然又能再上一個臺階。

這項開發(fā)的關(guān)鍵所在是嵌段共聚物的合成，這是一種能夠快速自組裝成小于10納米的點的一種材料，有史以來能夠產(chǎn)生的最小的點。隨后聚合物就會以任意模式銘刻到儲存載體表面。這種做法在制造硬盤驅(qū)動器時是很有好處的：將聚合物堆積在相應(yīng)的金屬基片上時，聚合物便會按照一定方法以極高的精度生成所需的點，整個過程僅需數(shù)秒時間。

此外，這一解決方案還可讓點的排布無需太過密集了，數(shù)據(jù)完整性依然有保證。研究者為此也找到了相應(yīng)的方法。研究者發(fā)現(xiàn)每當(dāng)點呈孤立狀態(tài)，他們之間也沒有磁性材料的話，彼此之間就不會發(fā)生不穩(wěn)定的情況。所以設(shè)計在金屬磁盤表面覆蓋一種特殊涂層，可保證數(shù)據(jù)的安全性。

目前德克薩斯大學(xué)的這個研究團(tuán)隊正與日立環(huán)球存儲科技公司合作，嘗試將此技術(shù)應(yīng)用到日立的存儲產(chǎn)品中去，未知未來我們看到的硬盤產(chǎn)品容量在什么時間能夠較大的飛躍，并且價錢也更便宜一些。