新技術(shù)大幅提高機(jī)械硬盤的存儲(chǔ)密度

西數(shù)旗下日立環(huán)球存儲(chǔ)的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室今天宣布，通過將自組裝分子(self-assembling molecules)、納米壓印(nanoimprinting)兩種技術(shù)的融合，他們成功創(chuàng)造了大面積的高密度存儲(chǔ)介質(zhì)，其中磁島(magnetic islands)的寬度只有區(qū)區(qū)10nm(一百億分之一米)。

這種寬度只相當(dāng)于大約50個(gè)分子并排，或者人類頭發(fā)絲的十萬分之一，而且日立獲得了大約10萬個(gè)磁軌，已經(jīng)能夠滿足生產(chǎn)硬盤的需要。

日立表示，他們獲得的10nm晶格密度是現(xiàn)在硬盤技術(shù)的兩倍，實(shí)驗(yàn)室測(cè)試也展現(xiàn)了出色的讀寫速度和數(shù)據(jù)保存能力。擴(kuò)展到整個(gè)硬盤之后，納米壓印技術(shù)有望得到超過一萬億個(gè)磁島。

日立宣稱，這一成就將對(duì)納米級(jí)制造產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響，可以大大降低晶格介質(zhì)(bit-patterned media)的成本，從而在未來數(shù)年內(nèi)大幅度提高機(jī)械硬盤的存儲(chǔ)密度。

下圖就是日立通過納米技術(shù)得到的高密度磁島，其中每個(gè)白點(diǎn)都能存儲(chǔ)一個(gè)比特(bit)的信息，而每平方英寸內(nèi)有1.2萬億個(gè)白點(diǎn)，相當(dāng)于幾乎1120Gb，而現(xiàn)在單碟1TB硬盤的最高存儲(chǔ)密度也才每平方英寸625Gb。如此一來，單碟2TB將不再是夢(mèng)。