給力！三星單芯片16GB容量高性能閃存來了

三星宣布開始用10nm級別制程量產(chǎn)128Gb，3bit MLC NAND閃存芯片，這意味著單芯片16GB容量。憑借這種新芯片，三星可以擴展其128GB閃存卡的供應。

3bit MLC也叫做TLC，表示閃存芯片中的每個cell可以容納3bit數(shù)據(jù)。我們知道閃存芯片目前主要有三種類型，分別是SLC(single-level-cell), MLC( multi-level-cell)和TLC(triple-level-cell)。SLC的壽命較長，而MLC和TLC比較便宜。三星計劃采用這種閃存芯片來量產(chǎn)500GB以上容量的SSD，進一步推動臺式機和筆記本中用SSD取代傳統(tǒng)硬盤。

另外，在Android手機中采用這種芯片也可以在手機體積不變的前提下增加其內(nèi)部存儲空間。

這種新閃存芯片在存儲密度和讀寫性能方面都達到目前業(yè)界最高標準——在DDR 2.0界面上可以達到400Mbps的數(shù)據(jù)傳輸率。