Molex推出下一代高性能超低功率存儲(chǔ)器技術(shù)

 21ic訊 Molex公司宣布推出空氣動(dòng)力型DDR3 DIMM插座和超低側(cè)高DDR3 DIMM 存儲(chǔ)器模塊插座產(chǎn)品組合，兩個(gè)產(chǎn)品系列均適用于電信、網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)系統(tǒng)、先進(jìn)計(jì)算平臺(tái)、工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備中要求嚴(yán)苛的存儲(chǔ)器應(yīng)用。

DDR3是為支持800 -1600 Mbps的數(shù)據(jù)速率(頻率400 - 800 MHz)而制定的DDR DRAM接口技術(shù)，該數(shù)據(jù)速率是DDR2接口的兩倍。采用標(biāo)準(zhǔn)1.5V工作電壓，DDR3對(duì)比DDR2減少了30%的功耗。Molex的DDR3 DIMM插座的底座面比標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)更低，在ATCA刀片系統(tǒng)中可以使用最大底座高度低于2.80 mm的極低側(cè)高模塊，新型DDR3 DIMM插座還具有10 mΩ的低電平接觸電阻，以便使用注冊(cè)DIMM模塊并且在刀片式服務(wù)器中降低功耗。

Molex產(chǎn)品經(jīng)理Douglas Jones表示：“隨著對(duì)更高帶寬的需求繼續(xù)增長(zhǎng)，能夠以較快速率傳輸數(shù)據(jù)而不犧牲寶貴的空間或功率是至關(guān)重要的。使用DDR3 DIMM插座，讓我們的客戶不僅能夠充分利用最高性能的存儲(chǔ)器互連的優(yōu)勢(shì)，而且又能維持或減小現(xiàn)有封裝尺寸并降低功耗。”

Molex 空氣動(dòng)力型DDR3 DIMM插座具有流線型外殼和閉鎖設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)氣流最大化，并消除運(yùn)作期間聚集的熱空氣。人類環(huán)境學(xué)閉鎖設(shè)計(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)快速動(dòng)作，并且輕易移開高密度存儲(chǔ)器模塊。2.40 mm的低底座面優(yōu)化了垂直空間，能更靈活地設(shè)計(jì)插座模塊的高度?？諝鈩?dòng)力型DDR3 DIMM插座用于極低側(cè)高壓接(14.26 mm)、低側(cè)高壓接(22.03 mm)、低側(cè)高SMT (21.34 mm)和極低側(cè)高SMT (14.20 mm)高度，與標(biāo)準(zhǔn)壓接終端相比，這些壓接插座的針孔型順應(yīng)引腳更小，有效節(jié)省了寶貴的PCB空間，以適用于較高密度的電子線路設(shè)計(jì)。Molex所有空氣動(dòng)力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，SMT型款不含有鹵素。

Molex超低側(cè)高DDR3 DIMM插座的底座面高僅1.10mm，為業(yè)內(nèi)最低。該插座在PCB上提供最高20.23 mm垂直空間，用于安裝高密度DIMM，適用于要求符合ATCA電路板機(jī)械規(guī)范的應(yīng)用，這項(xiàng)規(guī)范要求前PCB板一側(cè)的元件高度不能超過(guò)21.33 mm。超低側(cè)高DDR3 DIMM插座的閉鎖動(dòng)作的角度較小，所需的PCB空間也比標(biāo)準(zhǔn)DIMM更少，既改善了氣流，又實(shí)現(xiàn)了更貼近的元件安裝。新型無(wú)鹵素插座具有玻璃填充的高溫尼龍外殼和閉鎖裝置，可以使用波峰焊和高溫紅外回流焊運(yùn)作。