SK海力士開發(fā)出超高速存儲器 速度提升3倍！

韓國半導體巨頭SK海力士26晶宣布，公司已開發(fā)出超高速存儲器(HBM)。這種超高速存儲器的數據處理速度是目前性能最高的處理器速度的4倍，但是電力消耗量卻減少了40%.

這種超高速存儲器采用了硅通孔技術(TSV,Through -Silicon-Via)。這是是一種通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通,實現芯片之間互連的最新技術。是當今世界上速度最快的DRAM(GDDR5)速度的4倍多。

SK海力士表示，首先將把這種超高速存儲器用于圖形處理的半導體中，此后公司計劃為超級計算機，網絡，服務器等產品大量生產這一超高速存儲器。

另一方面，三星電子在今年10月公布今年第三季度的業(yè)績時，宣布其獲得了硅通孔技術。分析人士預計，三星電子也會很快推出自己的超高速存儲器。