美光：內(nèi)存工藝短時間不需要用EUV光刻工藝

 今年臺積電、三星及Globalfoundries等公司都會量產(chǎn)7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，二代7nm才會上EUV光刻工藝，預計明年量產(chǎn)。那么存儲芯片行業(yè)何時會用上EUV工藝?在美光看來，EUV光刻工藝并不是DRAM芯片必須的，未來幾年內(nèi)都用不上，在新一代工藝上他們正在交由客戶驗證1Y nm內(nèi)存芯片，未來還有1Z、1α及1β工藝。

內(nèi)存跟CPU等芯片雖然都是集成電路，生產(chǎn)制造過程有相似之處，不過工藝并不相同，CPU邏輯工藝今年進入到了7nm節(jié)點，但內(nèi)存主流的還是20nm、18nm工藝，其中18nm就屬于1X nm節(jié)點(16-19nm之間)，后面的1Y nm則是14-16nm之間，1Z大概是12到14nm。再之后，美光提出的是1α及1β工藝，具體對應(yīng)xx nm就不明了。

三星是第一家量產(chǎn)18nm工藝，也就是第一個進入1X nm節(jié)點的，遙遙領(lǐng)先其他公司，美光現(xiàn)在也開始向1X nm工藝轉(zhuǎn)進，下一代的1Y nm工藝已經(jīng)進入客戶驗證階段了，今年下半年問世，1Z nm工藝節(jié)點在處于工藝優(yōu)化階段，1α及1β工藝則是在不同研發(fā)階段。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在參加伯恩斯坦年度戰(zhàn)略決策會上回答了有關(guān)的工藝問題，在EUV光刻工藝上，他認為EUV光刻機在DRAM芯片制造上不是必須的，直到1α及1β工藝上都也不會用到它。

在內(nèi)存工藝上，美光認為1α及1β工藝上依然都不需要EUV光刻工藝，不過早前ASML兩年前提到過內(nèi)存在進入1Y nm節(jié)點時就需要考慮EUV工藝了，實際上并沒有，包括三星在內(nèi)的三大DRAM巨頭都沒有很快進入EUV節(jié)點的打算。