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[導(dǎo)讀]作為全球第一大NAND供應(yīng)商的三星在這方面倒是很低調(diào),但是三星的行動一點(diǎn)也不慢,前幾天宣布量產(chǎn)第五代V-NAND閃存,今年將推出32TB容量的TLC閃存硬盤,1Tb核心容量的QLC閃存硬盤今年內(nèi)也會問世。

最近一段時(shí)間來美光、英特爾、東芝、西數(shù)先后宣布了QLC閃存出樣以及96層堆棧3D閃存上市的消息,作為全球第一大NAND供應(yīng)商的三星在這方面倒是很低調(diào),但是三星的行動一點(diǎn)也不慢,前幾天宣布量產(chǎn)第五代V-NAND閃存,今年將推出32TB容量的TLC閃存硬盤,1Tb核心容量的QLC閃存硬盤今年內(nèi)也會問世。

 

 

三星公司日前在日本東京舉行了“三星SSD論壇2018東京”會議,宣布了該公司在NAND閃存及SSD上的一些進(jìn)展,日本PCWatch網(wǎng)站做了詳盡報(bào)道,這里我們節(jié)選了部分內(nèi)容報(bào)道,主要涉及超大容量32TB硬盤及QLC閃存的。

 

 

首先是三星在NAND閃存上的一些優(yōu)勢,2002年首發(fā)了1Gb核心的NAND閃存,2013年首發(fā)了128Gb核心的NAND閃存,現(xiàn)在這是首發(fā)了1Tb核心容量的V-NAND閃存。目前三星的主力是64層堆棧的第四代V-NAND閃存,前不久三星宣布量產(chǎn)第五代V-NAND閃存,堆棧層數(shù)提升到了90層以上(很多報(bào)道中說是96層,不過三星官方說法是90層以上)。

 

 

三星將基于最新的3D閃存推出32TB容量的硬盤,不過這個(gè)硬盤看起來像是M.2規(guī)格,實(shí)際上兩者不太一樣,M.2是22mm寬,80-110mm長,三星用的是NGSFF(NF1)規(guī)格,長110mm,寬30.5mm,也就是說比M.2硬盤更寬一些,好處是可以并排放下兩組NAND閃存,有助于提高SSD容量,32TB硬盤就是這么來的。

不過它使用的是SAS界面,主打企業(yè)級市場,除了容量增大之外,第四代V-NAND閃存的隨機(jī)性能也是前代的2.5倍之多。

 

 

三星這個(gè)32TB容量的SSD硬盤使用的還是TLC閃存,三星在QLC閃存方面也沒有放松,已經(jīng)有1Tb核心容量的QLC閃存,三星也有32核心堆棧的QLC硬盤了,預(yù)計(jì)2018年上市。

 

 

三星的QLC硬盤是用于企業(yè)級市場,目的是取代現(xiàn)在的10K、15K轉(zhuǎn)HDD硬盤,與他們相比,QLC閃存硬盤的TCO總成本下降了66%。

 

 

除了數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器等市場,三星還會推出客戶端級QLC硬盤,也就是消費(fèi)級市場也會有QLC閃存硬盤,三星PPT中提到的是SATA接口,與TLC閃存的硬盤相比,QLC硬盤一樣可以實(shí)現(xiàn)540、520MB/s的讀取、寫入速度,性能上沒差距。

 

 

現(xiàn)在除了SK Hynix沒有具體公布他們的96層堆棧閃存及QLC閃存進(jìn)度之外,其他三大陣營的NAND供應(yīng)商都公布了QLC硬盤的進(jìn)度了,數(shù)據(jù)中心市場是QLC硬盤的重點(diǎn),但目標(biāo)不是取代TLC硬盤而是取代HDD硬盤,主要是那些關(guān)鍵任務(wù)所用的10K、15K高性能HDD硬盤。

至于消費(fèi)級市場,QLC硬盤預(yù)計(jì)在下半年問世,雖然理論上1Tb核心的QLC閃存可以輕松做到5TB甚至10TB以上的容量,不過真正上市的話首發(fā)容量不會這么大,畢竟還是要考慮到消費(fèi)者的承受力,但是照這個(gè)趨勢下去,明年有可能普及256-512GB的SSD硬盤了。

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