東芝、西數(shù)宣布Fab 6工廠正式啟用！重點生產(chǎn)96層堆棧3D NAND閃存

在全球NAND閃存市場上，三星份額第一，第二、第三則是東芝及西數(shù)，這兩家還是合作研發(fā)、生產(chǎn)NAND閃存的，盡管去年東芝出售閃存業(yè)務(wù)期間雙方一度劍拔弩張，還打起了官司，不過兩家公司并沒有分手。今天東芝、西數(shù)一起宣布他們位于日本四日市三重縣的Fab 6工廠正式啟用，配套的閃存研發(fā)中心今年3月份已經(jīng)運轉(zhuǎn)了，新的研發(fā)及生產(chǎn)中心重點就是96層堆棧3D NAND閃存，QLC閃存也將是重點，該工廠投產(chǎn)意味著東芝/西數(shù)的3D閃存產(chǎn)能進一步提速。

東芝西數(shù)在全球NAND市場上的份額合計超過40%，而主要生產(chǎn)基地就在日本，東芝2017年2月份宣布在日本四日市建設(shè)新的閃存晶圓廠Fab 6，總投資5000億日元，折合約45億美元。在這起投資中，收購了閃迪公司的西數(shù)公司盡管與東芝公司因為NAND業(yè)務(wù)出售一事鬧的不開心，但雙方在晶圓廠投資上并沒有撕破臉，而這次新工廠落成也意味著兩家公司早就相逢一笑泯恩仇了。

除了Fab 6晶圓廠之外，東芝、西數(shù)還在工廠附近建設(shè)了新的NAND閃存研發(fā)中心，今年3月份已經(jīng)投入運營了。

東芝、西數(shù)的Fab 6工廠本月初就已經(jīng)開始生產(chǎn)3D NAND閃存了，重點就是新一代的BiCS 4技術(shù)96層堆棧3D閃存，其中有TLC類型的閃存，但新一代的QLC閃存無疑也是Fab 6工廠的重點，在這方面，東芝/西數(shù)選擇的BiCS技術(shù)路線跟其他家的NAND閃存都不同，一直以來容量密度都是業(yè)界最好水平之一，這次的QLC閃存核心容量是1.33Tb，比之前美光、英特爾公布的1Tb核心大了33%。

基于1.33Tb核心的QLC閃存，東芝已經(jīng)開發(fā)出了16核心的單芯片閃存，一顆閃存的容量就有2.66TB，大家還記得東芝之前發(fā)布的RC100系列硬盤嗎，它使用的就是單芯片封裝，一顆閃存最大容量才480GB，現(xiàn)在QLC閃存的幫助下單芯片封裝實現(xiàn)了2.66TB的容量，是之前的5倍多。

東芝、西數(shù)的QLC閃存今年下半年已經(jīng)陸續(xù)出樣，年底可能會有QLC硬盤商業(yè)化，不過大規(guī)模量產(chǎn)及上市還要等到2019年。