大容量存儲需求強勁！西部數(shù)據(jù)發(fā)布96層3D NAND UFS 2.1嵌入式存儲
[導讀]西數(shù)發(fā)布的96層3D NAND UFS 2.1存儲就是針對這一情況發(fā)布的產(chǎn)品，具備iNAND SmartSLC 5.1架構(gòu)，針對目前熱門的AI、AR和多攝像頭支持、高分辨率拍攝等領(lǐng)域有所優(yōu)化。
近日，西部數(shù)據(jù)公布了96層3D NAND UFS 2.1嵌入式存儲，該存儲主要面向手機、平板電腦和筆記本等智能終端。
現(xiàn)在移動終端和我們的行為正在產(chǎn)生更多數(shù)據(jù)，而數(shù)據(jù)的存儲容量，對速度和穩(wěn)定性的需求越來越高。未來幾年移動終端存儲的需求一直是增長狀態(tài)。根據(jù)Counterpoint Research的分析，NAND閃存容量將在2017-2021迎來健康的28%復合年增長率。因此更高性能NAND存儲變得炙手可熱。
西數(shù)發(fā)布的96層3D NAND UFS 2.1存儲就是針對這一情況發(fā)布的產(chǎn)品，具備iNAND SmartSLC 5.1架構(gòu)，針對目前熱門的AI、AR和多攝像頭支持、高分辨率拍攝等領(lǐng)域有所優(yōu)化。
它可以在未來5G網(wǎng)絡到來的時候，實現(xiàn)高的速度下載和傳輸存儲，并為AI技術(shù)提供支持。提供高達550MB/s的連續(xù)寫入性能。
據(jù)悉西數(shù)已經(jīng)針對256GB容量存儲解決方案開始測試，預計很快會有搭載該存儲的產(chǎn)品登場。
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