貿(mào)澤開售SanDisk iNAND 8251 嵌入式閃存為移動(dòng)AR和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供高效存儲(chǔ)

時(shí)間：2018-10-15 16:54:55

關(guān)鍵字： 3d nand技術(shù) 嵌入式閃存貿(mào)澤電子

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[導(dǎo)讀]貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)即日起備貨SanDisk的 iNAND® 8521嵌入式閃存 (EFD)。iNAND 8521 EFD采用3D NAND技術(shù)和UFS 2.1快速接口，具有出眾的讀寫性能，可為大多數(shù)輕薄型計(jì)算設(shè)備和數(shù)據(jù)密集型移動(dòng)設(shè)備提供存儲(chǔ)解決方案。

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)即日起備貨SanDisk的 iNAND® 8521嵌入式閃存 (EFD)。iNAND 8521 EFD采用3D NAND技術(shù)和UFS 2.1快速接口，具有出眾的讀寫性能，可為大多數(shù)輕薄型計(jì)算設(shè)備和數(shù)據(jù)密集型移動(dòng)設(shè)備提供存儲(chǔ)解決方案。

貿(mào)澤電子供應(yīng)的SanDisk iNAND 8521 EFD是尺寸為11.5 × 13 × 1.0 mm的存儲(chǔ)解決方案，采用SanDisk的最新3D NAND技術(shù)制成。借助UFS 2.1 Gear 3快速雙通道接口，EFD能為以數(shù)據(jù)為中心的高要求應(yīng)用裝置提供節(jié)能型即插即用集成。此款驅(qū)動(dòng)器的寫入性能出色，具有高達(dá)每秒500 MB (MBps) 的串行寫入速度和45K IOPs(每秒輸入/輸出次數(shù))的隨機(jī)寫入速度，支持快速文件傳輸和內(nèi)容下載。這些器件經(jīng)過優(yōu)化的控制器架構(gòu)提高了讀取性能，提供800 MBps串行讀取和50K IOPs隨機(jī)讀取速度，從而可以快速啟動(dòng)系統(tǒng)和應(yīng)用。

SanDisk iNAND 8521 EFD外形小巧，提供32 GB至256 GB的容量，可以為數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型應(yīng)用提供可擴(kuò)展性和設(shè)計(jì)靈活性，包括增強(qiáng)現(xiàn)實(shí) (AR)、高分辨率視頻拍攝、豐富的社交媒體體驗(yàn)、人工智能 (AI) 和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 邊緣設(shè)備等應(yīng)用。