256GB內(nèi)存！三星為即將推出的服務器展示256GB DDR4 內(nèi)存
[導讀]三星的256 GB DDR4寄存式DIMM帶有ECC，帶有36個內(nèi)存包，每個包含8 GB(64 Gbit)容量，以及IDT的4RCD0229K寄存器芯片(用于緩沖地址和命令信號，并增加內(nèi)存通道支持的等級數(shù))。這些封裝基于四個單芯片16 Gb元件，這些元件使用硅通孔(TSV)互連。在架構上，256 GB模塊是八進制的，因為它具有兩個物理等級和四個邏輯等級。
根據(jù)AnandTech的報道，三星為即將推出的服務器展示了其首款256 GB內(nèi)存模塊，新的Registered DIMM(RDIMM)基于今年早些時候推出的三星16 Gb DDR4內(nèi)存設備，并利用了該公司的3DS(三維堆疊)封裝。與目前使用的兩個128 GB LRDIMM相比，新模塊將提供更高的性能和更低的功耗。
▲圖自ANANDTECH
三星的256 GB DDR4寄存式DIMM帶有ECC，帶有36個內(nèi)存包，每個包含8 GB(64 Gbit)容量，以及IDT的4RCD0229K寄存器芯片(用于緩沖地址和命令信號，并增加內(nèi)存通道支持的等級數(shù))。這些封裝基于四個單芯片16 Gb元件，這些元件使用硅通孔(TSV)互連。在架構上，256 GB模塊是八進制的，因為它具有兩個物理等級和四個邏輯等級。
在這里有一點技術說明，指出這些新的DIMM是寄存DIMM(RDIMM)而不是負載減少的DIMM(LRDIMM)是非常有趣的。通常，LRDIMM是高容量配置所必需的，這些樣式的DIMM依賴于額外的緩沖，這會對RDIMM造成功耗和延遲的影響。相反，因為最新的服務器平臺(AMD EPYC，英特爾至強等)已經(jīng)將其內(nèi)存需求轉移到本地支持兩個插槽中支持八進制模塊 - 以每個通道總共限制為兩個插槽為代價 - LRDIMM沒有必要最大化這些新服務器的內(nèi)存容量。因此，可以使用更簡單的RDIMM。
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