美光三星Hynix要哭死！內存價格Q1跌了20%，Q2季度還要再跌20%

由于存儲芯片今年以來不斷跌價，就連DRAM內存芯片也轉入熊市，三星、美光、SK Hynix的營收及盈利也隨即暴跌，為此他們已經決定削減今年的資本開支，減少產能，美光就宣布將內存、閃存產能各自減少5%。這些廠商希望通過減產控制內存及閃存降價，閃存這邊可能有效，預計Q2季度跌幅會收窄，但是內存芯片降價幅度是止不住了，Q1季度均價跌了20%，Q2季度預計還要再跌20%，這個趨勢會一直持續(xù)到Q3季度。

以下為集邦資訊報道的詳細內容：

集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫存過高影響，DRAM第一季合約價跌幅持續(xù)擴大，整體均價已下跌逾20%。然而價格加速下跌并未刺激需求回溫，預計在庫存尚未去化完成的影響下，DRAM均價跌勢恐將持續(xù)至第三季。

根據(jù)DRAMeXchange調查，DRAM供應商累積的庫存水位在第一季底已經普遍超過六周 (含wafer bank)，而買方的庫存水位雖受到不同產品別的影響略有增減，但平均至少達五周，在服務器以及PC客戶端甚至超過七周。

進入第二季，受惠于1Ynm制程貢獻，供給位元仍持續(xù)成長。在極力消化庫存的考量下，DRAM供應商普遍采取持續(xù)大幅降價的策略以刺激銷售。與第一季相似，跌幅最大的產品別為PC與服務器內存，跌幅約兩成。而行動式內存受惠于新機潮的拉貨動能跌幅較小，約10~15%，預估DRAM均價在第二季將持續(xù)下跌近兩成水位。

至于今年下半年跌幅是否有效收斂，則取決于需求端的回溫以及第二季底庫存去化的成效。DRAMeXchange分析，2019年各產品的DRAM平均搭載容量成長表現(xiàn)將不若去年，因此，終端需求的回溫是DRAM景氣是否落底的關鍵因素。單純就供需預測來看，上半年供過于求的狀況遠高過下半年，預期價格跌幅在今年第三季與第四季可望逐漸收斂。

PC、服務器用DRAM 2Q跌價幅度未見收斂，行動內存跌幅趨緩

觀察DRAM各應用別今年的價格走勢，由于庫存水位較高的關系，自去年第四季以來，以標準型內存與服務器內存的跌幅最為明顯。以PC需求面來說，今年缺乏刺激出貨量成長的因素，再加上Intel CPU缺貨狀況在中低階機種仍未緩解，使得出貨不振的狀況在上半年特別顯著。以主流標準型內存模組8GB解決方案來看，第一季度的價格已經下滑近三成，最低價已落在近40美元。展望第二季，均價持續(xù)下探35美元，年底恐怕要挑戰(zhàn)30美元關卡。

服務器在經歷連續(xù)兩年的需求高峰后，第一季由于庫存偏高，加上進入傳統(tǒng)OEM的淡季，備貨動能顯著衰退。雖然三月開始，部分北美資料中心業(yè)者開始陸續(xù)洽單，但整體采購力道仍未明顯復蘇。再者，現(xiàn)階段供需雙方普遍庫存偏高，在既有庫存去化與需求動能恢復前，預估服務器內存價格將持續(xù)走跌。DRAMeXchange預估，第二季仍將有兩成左右的跌幅，第三與第四季也會維持接近一成左右的降價空間。

在行動內存方面，第一季受到智能手機市場需求不旺，生產總量較去年同期衰退逾10%的影響，行動內存供應商庫存無法有效去化，導致價格持續(xù)下探，discrete以及eMCP產品平均跌幅接近2成，市場報價混亂。

展望第二季以及第三季，除了受惠Android / iPhone雙陣營旗艦新機備料帶動單機搭載容量提升外，也同時受惠傳統(tǒng)市場旺季，整體需求將轉趨熱絡，預估合約價跌幅將較第一季收斂，不過考慮到今年智能手機總生產數(shù)量將呈現(xiàn)負成長，中、低階手機平均搭載容量成長有限，第二、三季的合約價格依舊難以止跌。

而就利基型存儲器價格走勢來看，農歷假期過后，中國有部分機上盒、網通標案訂單出現(xiàn)帶動小量拉貨需求，然一次性標案結束后，整體需求仍然疲軟。DDR3供給仍高于需求的情況下，預期今年第二季與三季利基型存儲器價格仍將分別走跌15%與10%。