美光三星Hynix要哭死!內(nèi)存價格Q1跌了20%,Q2季度還要再跌20%
由于存儲芯片今年以來不斷跌價,就連DRAM內(nèi)存芯片也轉(zhuǎn)入熊市,三星、美光、SK Hynix的營收及盈利也隨即暴跌,為此他們已經(jīng)決定削減今年的資本開支,減少產(chǎn)能,美光就宣布將內(nèi)存、閃存產(chǎn)能各自減少5%。這些廠商希望通過減產(chǎn)控制內(nèi)存及閃存降價,閃存這邊可能有效,預(yù)計Q2季度跌幅會收窄,但是內(nèi)存芯片降價幅度是止不住了,Q1季度均價跌了20%,Q2季度預(yù)計還要再跌20%,這個趨勢會一直持續(xù)到Q3季度。
以下為集邦資訊報道的詳細內(nèi)容:
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,受庫存過高影響,DRAM第一季合約價跌幅持續(xù)擴大,整體均價已下跌逾20%。然而價格加速下跌并未刺激需求回溫,預(yù)計在庫存尚未去化完成的影響下,DRAM均價跌勢恐將持續(xù)至第三季。
根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查,DRAM供應(yīng)商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過六周 (含wafer bank),而買方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減,但平均至少達五周,在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過七周。
進入第二季,受惠于1Ynm制程貢獻,供給位元仍持續(xù)成長。在極力消化庫存的考量下,DRAM供應(yīng)商普遍采取持續(xù)大幅降價的策略以刺激銷售。與第一季相似,跌幅最大的產(chǎn)品別為PC與服務(wù)器內(nèi)存,跌幅約兩成。而行動式內(nèi)存受惠于新機潮的拉貨動能跌幅較小,約10~15%,預(yù)估DRAM均價在第二季將持續(xù)下跌近兩成水位。
至于今年下半年跌幅是否有效收斂,則取決于需求端的回溫以及第二季底庫存去化的成效。DRAMeXchange分析,2019年各產(chǎn)品的DRAM平均搭載容量成長表現(xiàn)將不若去年,因此,終端需求的回溫是DRAM景氣是否落底的關(guān)鍵因素。單純就供需預(yù)測來看,上半年供過于求的狀況遠高過下半年,預(yù)期價格跌幅在今年第三季與第四季可望逐漸收斂。
PC、服務(wù)器用DRAM 2Q跌價幅度未見收斂,行動內(nèi)存跌幅趨緩
觀察DRAM各應(yīng)用別今年的價格走勢,由于庫存水位較高的關(guān)系,自去年第四季以來,以標準型內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存的跌幅最為明顯。以PC需求面來說,今年缺乏刺激出貨量成長的因素,再加上Intel CPU缺貨狀況在中低階機種仍未緩解,使得出貨不振的狀況在上半年特別顯著。以主流標準型內(nèi)存模組8GB解決方案來看,第一季度的價格已經(jīng)下滑近三成,最低價已落在近40美元。展望第二季,均價持續(xù)下探35美元,年底恐怕要挑戰(zhàn)30美元關(guān)卡。
服務(wù)器在經(jīng)歷連續(xù)兩年的需求高峰后,第一季由于庫存偏高,加上進入傳統(tǒng)OEM的淡季,備貨動能顯著衰退。雖然三月開始,部分北美資料中心業(yè)者開始陸續(xù)洽單,但整體采購力道仍未明顯復(fù)蘇。再者,現(xiàn)階段供需雙方普遍庫存偏高,在既有庫存去化與需求動能恢復(fù)前,預(yù)估服務(wù)器內(nèi)存價格將持續(xù)走跌。DRAMeXchange預(yù)估,第二季仍將有兩成左右的跌幅,第三與第四季也會維持接近一成左右的降價空間。
在行動內(nèi)存方面,第一季受到智能手機市場需求不旺,生產(chǎn)總量較去年同期衰退逾10%的影響,行動內(nèi)存供應(yīng)商庫存無法有效去化,導致價格持續(xù)下探,discrete以及eMCP產(chǎn)品平均跌幅接近2成,市場報價混亂。
展望第二季以及第三季,除了受惠Android / iPhone雙陣營旗艦新機備料帶動單機搭載容量提升外,也同時受惠傳統(tǒng)市場旺季,整體需求將轉(zhuǎn)趨熱絡(luò),預(yù)估合約價跌幅將較第一季收斂,不過考慮到今年智能手機總生產(chǎn)數(shù)量將呈現(xiàn)負成長,中、低階手機平均搭載容量成長有限,第二、三季的合約價格依舊難以止跌。
而就利基型存儲器價格走勢來看,農(nóng)歷假期過后,中國有部分機上盒、網(wǎng)通標案訂單出現(xiàn)帶動小量拉貨需求,然一次性標案結(jié)束后,整體需求仍然疲軟。DDR3供給仍高于需求的情況下,預(yù)期今年第二季與三季利基型存儲器價格仍將分別走跌15%與10%。