英飛凌全新.XT技術(shù)延長IGBT模組使用年限

英飛凌科技（Infineon Technologies）推出創(chuàng)新IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)，能大幅延長IGBT模組的使用年限。全新的.XT技術(shù)實(shí)現(xiàn)IGBT模組內(nèi)所有內(nèi)部接合的最佳化，以延長產(chǎn)品壽命。

相較于現(xiàn)有的技術(shù)，全新的.XT技術(shù)可以延長IGBT模組10倍的使用壽命，另外輸出功率則增加25%。全新的技術(shù)支援最高達(dá)200℃的接面溫度。透過此全新的封裝技術(shù)，能滿足新興應(yīng)用對于更高的功率循環(huán)性能需求，更提升模組的功率密度及更高的接面作業(yè)溫度。

功率循環(huán)會產(chǎn)生溫度變化，并導(dǎo)致IGBT模組內(nèi)部接合的機(jī)械應(yīng)力。單層因熱膨脹所產(chǎn)生的不同系數(shù)，會造成熱應(yīng)力，最終導(dǎo)致材料疲乏及磨耗。全新的.XT技術(shù)涵蓋了IGBT模組內(nèi)影響功率循環(huán)性能的關(guān)鍵區(qū)域，包括晶片前端的黏合接線、晶片背面的焊接（晶片至DCB）以及DCB基板至底板的焊接。

這項(xiàng)全新的內(nèi)部接合技術(shù)適用于英飛凌多數(shù)現(xiàn)有的封裝以及全新的模組封裝。這三項(xiàng)新接合技術(shù)均適用于標(biāo)準(zhǔn)制程，非常適合大量生產(chǎn)。第一款采用全新.XT技術(shù)的產(chǎn)品是PrimePACK 2模組FF900R12IP4LD，搭載半橋架構(gòu)，提供900安培，并以150℃接面作業(yè)溫度的IGBT4晶片為基礎(chǔ)。